產線無影像異常通用分析方法

上半部/未完，待續本資料僅涉及物料和制程中的物理類不良，不涉及開發端原理錯誤，軟件參數調試異常錯誤等不良。一：什么情況引起無影像和異常。

信號發生阻塞，電源無法供給IC能量，導致IC工作不正常或無法得到正確的信號。信號阻塞？如同一個郵差從郵局出發，給收信人送信，經過某條河的時候，發現橋斷了，過不去，收信人沒法收到信件。

對于模組。

分析無影像和異常，就是分析那個橋是斷的，橋是怎么斷的，天災還是人禍？

信號在Sensor到終端要走那些路。（注：以目前最復雜的結構ACF熱壓型號來討論）。分析無影像或異常不良的主要思路：

分段測量，縮小范圍。一個熟練的分析者必須具備的知識：

1熟悉模組元件和結構和各部件的組裝工藝。2了解上游物料(PCB,FPC結構與制程）。3熟悉Sensor的工作原理。

1-1分析通用流程-COB開短路/萬用表二極管檔測試原理開短路測試(openshorttest)：測試芯片的封裝情況。測試原理：

一般來說，手機模組感光芯片（屬于CMOS工藝的芯片，比如臺積電為OV代工制造的IC），在CMOS芯片的ESD防護電路設計中，其中一個環節為了防止I/O端口

與VDD或VSS之間放電使相連的P,NMOS晶體管燒壞，在I/Opad兩側加了首尾相接的二極管來泄放保護電路，正因為有這樣的ESD防護機制，通過恒流測壓的方法，給定一個電流閾值（一般都是100uA），在二極管達到這個大小的電流時候，測試出ESD防護二極管的正向壓降值大小（0.4-0.8V）來確認整個回路是否導通，如果模組封裝中PCB線路斷開，金線斷開都會造成高阻開路.未打線鋁PAD上的探針測試痕跡

晶圓廠芯片出廠前都會對每個Die的所有電氣性能進行探針(Probe)測試，所以對于封裝廠來說，一般實際分析中不考慮IC本體的問題。萬用表二極管檔測試：一般開短路測試完后的模組分析第一步需要使用萬用表確認，防止插排轉接板連接不好所引起的誤判，注意如果測試開路線路，表筆的電源極性不能反接，所測開路引腳接COM端，GND引腳接ΩV端。Truly一些能測試開短路的工具：度信MIPIHV910D，V9，開短路工裝DTOS，萬用表等。上表為IsMedia自動調焦機O/Stest截圖，測試閾值電流100uA二極管檔測試標志開短路測試的一些注意事項：開短路OK:1.一個感光IC可能有多個AVDD/DVDD/DOVDD這些提供電源的接口PAD。所即使斷開1.2個，測試的壓降值可能幾乎沒有任何影響。但實際此部分電路缺少電源供給，導致黑屏或點不亮,所以一般開短路OK但實際無影像的模組，我們首先排查IC各電源PAD金線或PCB走線是否出現問題。

開短路OK畫面出現非黑屏等異常，一般考慮為ESD損傷,也可通過Colorbar測試，colorbar測試是由sensorISP端產生的數據，如果畫面正常，說明output端是沒有問題的。模組損傷的部位一般是IC采集模塊電路。

2由于IC制程或別的原因，ESD保護二極管可能本生發生開路等問題。此類情況可能引發測試開路卻畫面正常的現象。

案例：2012.5.8CM6692出現大量不規則開路現象，如果關閉開短路測試或提高判定PASS上限電壓，模組出現正常的功能。colorbar畫面異常EOS：ElectricalOverStress-指過度電性應力。ESD：ElectricalStaticDischarge-靜電放電。EOS通常產生于：

–電源

–測試裝置

*其過程持續時間可能是幾微秒到幾秒（也可能是幾納秒）

*很短的EOS脈沖導致的損壞與ESD損壞相似。

*損壞表征

–金屬線膨脹融化

–通常會發熱

–功率升高

–會出現閉鎖/短路情況ESD屬于EOS的特例

–能量有限

–由于靜態電荷引起

*其過程持續時間為幾皮秒到幾納秒

*其可見性不強

*通常導致晶體管級別的損壞EOS能量大,通常在光學顯微鏡下就能在芯片上看到異常;而ESD能量小,通常通過其他處理后才能在電鏡下下看到異常.

OV5640/5647EOS損傷ESD損傷X-RayX射線是一種波長很短在0.01納米到10納米之間的的電磁輻射。X光有很強的穿透性，穿透力與物質密度有關，物質密度越高，比如金屬，透過的光子較少，最終成像越暗，利用這種差別吸收機理可以區分不同的物質。TrulySMT加工中心的X-ray型號：PonyMV3100-VC

X-ray適用范圍：1不拆卸holder檢查。2BGA焊接3從外觀檢查無法確認。

X-Ray電容過孔地線銅層線路金屬層越厚，X光透過的越少，成像顏色越暗，多層PCB，因銅金屬線路部分重疊，所以導致某些線路看上去顏色較深，沒有重疊的地方，顏色較淺，使用X-RAY觀察要仔細辨別是線路重疊還是有斷裂。金線電阻電容注意區別，電阻電容內部材質不同X-Ray線路缺口金線短接驅動IC連錫焊盤斷裂IC焊盤欠錫側面檢查CrossSection取樣灌膠研磨拋光

微切片是一個重要的破壞性分析方法的手段,通過切片可以觀察物體的某個截面情況,研究判斷模組內部結構或成分.

例如：觀察ACF導電球形變，PCB線路，測量膠水厚度，holder鏡頭內部結構等。

微切片制作流程1取樣1.將待切片物體固定在塑膠底座上，按需要檢測的位置放置好，將套筒套上。2封膠封膠的目的是固定待測物體。水晶膠：高純度環氧樹脂膠，在催化劑和固化劑的作用下自動凝固，常溫下凝固時間4-8小時，可加熱60-100℃

加速其熱固化（注：如果切片是測量holder結構的變化，不推薦加熱固化，樹脂加熱膨脹會擠壓模組，同時會有水晶膠開裂的風險）。1：

將水晶膠倒入容器內（注：如果有刻度的容器更好）膠水體積配比：水晶膠/固化劑/催化劑100:2:1比例配置2：滴入水晶膠體積2%的固化劑3：滴入水晶膠體積1%的催化劑4充分攪拌均勻，看不到分層5:將調和好的膠水倒入固定套桶內。6:凝固硬化。3研磨研磨建議流程：

粗磨-細磨粗磨1：使用砂紙120或240將水晶膠塊磨至需要測試的位置0.5mm附近。粗磨2：使用砂紙600或1200將水晶膠塊磨至0.3mm左右。細磨3：使用砂紙2500將水晶膠塊磨至0.1mm左右。細磨4：使用砂紙5000將水晶膠塊磨至待測位置（預拋光），此時研磨面目視光滑反光，沒有明顯的砂痕。非自動研磨機在研磨過程中需要不斷的調整方向和檢查，將膠塊下壓研磨時用力均勻，不可一邊重一邊輕。避免磨過頭或磨歪。研磨機轉速：800-999拋光（注：可選步驟，一般細磨4后如果未能達到預期效果可進行精細拋光）：

將氧化鋁拋光粉/拋光膏撒在專用拋光紙上，不斷切換方向進行輕壓式拋光。使用顯微鏡觀察檢查拋光面直至拋光面如鏡面一般的光滑，顯微鏡下無任何明顯的砂痕。4拋光爛孔BGA錫球線路微斷SEM-EDS/FIBSEM（scanningelectronmicroscope）掃描電子顯微鏡。SEM是利用一束高能入射電子轟擊物質表面，捕獲被激發區域的二次電子等成像，具有納米級別的分辨率。用于觀察物質表面結構，形態等，EDS利用不同元素的X射線光子特征能量不同進行成分分析，對于模組封裝廠分析無影像，常用的功能是分析SMT中不良，比如虛焊來分析焊盤元素成分等。確定是否屬于物料問題還是制層問題。FIB（focusedionbeam）聚焦離子束，利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器,制作精密切片分析。對于CCM主要用去分析供應商的焊盤的鎳金厚度等。幾乎很少使用。TFT事業部所使用的設備，hitach4800，和FB2100為什么IC的線路損傷是短路？上圖為Sensor挑傷的圖片，開短路測試基本均短路

IC的一般結構介紹錫焊原理：錫焊，錫金屬或多種不同的金屬原子或分子擴散和結合成一體的工藝方法。IMC.Intermetalliccompound(介面合金共化物)，錫焊就是在錫和被焊金屬之間，在高溫中會快速形成一層薄薄的錫合金化合物。

焊接好不好，就是看這層化合物是否長的合理，長的牢固。FPC銅錫IMC

Ni3Sn4FPC鍍鎳3-5um

IMC層一般1-4um之間，只有形成一層穩定連續的Ni3Sn4的IMC層，才能保證焊接后足夠的強度Truly一般使用的FPC或PCB都是ENIG(化學鍍鎳金)的板，這種工藝的板鍍鎳的時候會使用到一種次磷酸鈉這種還原劑，所以鎳層中最終會含有7-10%磷P元素由于磷P元素不能參加反應，只能逐漸滲析至IMC和鎳層之間，形成一個富磷層，reflow時間越長，IMC越厚，鎳層參與的反應越多，磷就滲析的越多，富磷層聚集的越厚，富磷層本身結構強度