DS18B20操作時序詳解_第1頁
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?960」{}庫o時辛1.DS18B2C復位程序分析單片機發送復位脈沖低電平保持至少 480us釋放總線進入接收狀態，等待15us-60usDS18B20發出存在脈沖脈沖持續60-240usvoidreset()uinti;//i?960」{}庫o時辛1.DS18B2C復位程序分析單片機發送復位脈沖低電平保持至少 480us釋放總線進入接收狀態，等待15us-60usDS18B20發出存在脈沖脈沖持續60-240usvoidreset()uinti;//i定義為uchar型ds=0;i=103;while(i>0)i--;ds=1;while(i>0)i--;〃在這里不做存在檢測2.DS18B20寫程序時序分析:—s>w*- |>i^|I r\單片機由高電平拉低至低電平產生寫時間隙15us之后就需要將所需要寫的位送到總線上面DS18B20在開始之后的15-60us內對總線進行采樣(注意采樣時間)uintdswrite(uchardat){uchari;uintj;sbittempbyte;for(i=0;i<8;i++){tempbyte=dat&0x01;dat>>=1;//從最低位開始每一位送到tempbyte臨時位//總線拉低為低電平if(tempbyte)//寫1{ds=0;j++;j++;〃延時個13usds=1;j=8;while(j>0)j--//延時個71us}else{ds=O;j=8;while(j>O)j--;ds=1;j++；j++；〃保證大于1us-} 主軌廻作腐 主軌廻作腐 DS1820fi作用 上拉電困起惟用3.DS18B20賣時序時序分析單片機從高電平拉低至低電平低電平保持4us后將總線拉高產生讀時間隙讀時間在4us后到15us之前（注意一定在15us之前）讀時間才有效從拉低總線60us-120us之間釋放總線（注意是在這個時間間隙之間，嚴格按照時序操作）

bittempbit(){uintj;bitdat;ds=0;j++;//延時個4usds=1;j++；j++；〃仿真結果在8.86us左右dat二ds;〃確保在15us之前j=8；while(j>0)j--；ds=1；returndat；}uchardsread()〃用uchar來裝讀到的數據足夠{uchari,j,dat；for(i=0；i<8；i++){后面讀的數j=tempbit()；后面讀的數dat=(j<<7)|(da

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