華大電子MCUCIU32L061x8存儲(chǔ)器（Flash）一5、Flash存儲(chǔ)器（Flash）5.1簡介Flash存儲(chǔ)器連接在AHB總線上，由Flash控制器統(tǒng)一管理，可對(duì)存儲(chǔ)器執(zhí)行取指、讀取、編程和擦除操作，并具有安全訪問機(jī)制和讀寫保護(hù)等功能。Flash主要特性高達(dá)128KB的用戶存儲(chǔ)空間一塊大小：16KB一頁大小：512字節(jié)32-bits位寬讀取/寫入支持頁擦除、塊擦除、批量擦除可配置3種讀出保護(hù)等級(jí)（RDP）2塊可配置的代碼讀出保護(hù)區(qū)域（PCROP）2塊可配置的寫入保護(hù)區(qū)域（WRP）可配置大小的用戶安全存儲(chǔ)區(qū)域Flash功能描述Flash存儲(chǔ)器組成Flash存儲(chǔ)器按32-bits位寬執(zhí)行讀寫訪問，可存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù)。Flash存儲(chǔ)器的組成如下：Userflash區(qū)：用于存儲(chǔ)用戶程序和數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)空間為128KB,分成8個(gè)塊（Block）,每個(gè)塊包含32個(gè)頁（Page）,每頁512字節(jié)；Systemmemory區(qū)：用于存儲(chǔ)Bootloader和算法APL存儲(chǔ)空間為14KB；Optionbytes區(qū)：用于存儲(chǔ)外設(shè)和存儲(chǔ)器保護(hù)配置的選項(xiàng)字節(jié)；Engineer區(qū)：用于存儲(chǔ)UID、TS/BGR校準(zhǔn)值；OTP區(qū)：一次性可編程區(qū)域，共512字節(jié)。表S?lFhsh存慵器組成區(qū)域地址空間大小(字節(jié))說明Userflash0x08000000-0x080001FF512Paee0Block0??????0x080031:00-0x08003FFF512Page310x08004000—0x080041FF512Page12Block1?????????0x08007E00-0x08007FFI512P<kge630x08008000-0x080081FF512Page64Block2?????????0x0800BEOO-0x0800BFFF512Page950x0800C000-0x0800C1FF512Page96Block3?????????0x0800FEOO-0x0800FFFF5121270x08010000-0x080101FF512Pagr128Block4?????????0x08013E00-0x08013FFI512Pilix1590x08014000-0x1)8014IFF512Page160Block5?????????0x08017EOO-(M)8017FFF512Page1910x08018000-0x08018IFF512P畔192Block6?????????0x0801BEOO-0x0801BFFF512Page2230x0801C000-0x0801ClFF512Page224Block7?????????512Page255SystemmemoryOxlFFDOOOO-0xlFFD37FF14K心..\P【存儲(chǔ)＜Optionbytes1 1(KlM64選項(xiàng)字節(jié)存儲(chǔ)區(qū)Er^meer0x1FFF(B40-0x1FFF(BFF192UD、TS/BGR校準(zhǔn)值存儲(chǔ)＜OTPOx1FFF0400-0x1FFFOSH512一次性可娘程區(qū)Flash讀取訪問等待周期Flash存儲(chǔ)器連接在AHB總線上，讀取Flash時(shí)使用HCLK時(shí)鐘。當(dāng)HCLK的時(shí)鐘頻率超出Flash存儲(chǔ)器的工作頻率時(shí)，就會(huì)造成數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤，此時(shí)需要插入等待周期。Flash訪問控制寄存器(FLASH_ACR)中的LATENCY[1:0]位域，用于配置Flash讀取訪問的等待周期，HCLK時(shí)鐘頻率與Flash讀取訪問等待周期的對(duì)應(yīng)關(guān)系見下表。表5-2HCLK時(shí)鐘頻率與Flash讀取訪問等待周期的對(duì)應(yīng)關(guān)系疹率范國等待周期LA1INC\|1:O|配JtHCLK224MHz0HCLKLATENCY(IO]=0xHCLK>24MHz1HCLKLATENCY(1:0]=10為保證Flash讀取訪問不出現(xiàn)異常或錯(cuò)誤，當(dāng)要改變HCLK的時(shí)鐘頻率時(shí),必須按照特定步驟進(jìn)行配置。?提高HCLK頻率的配置步驟：1）通過配置FLASH_ACR寄存器中的LATENCY[1:0]位域，增大Flash讀取訪問的等待周期；2）讀取LATENCY[1:O]位域，檢查等待周期已配置成功；3）提高HCLK頻率，可通過配置RCC時(shí)鐘配置寄存器（RCC_CFG）中的SYSW[2:0]位域，切換更高頻率的時(shí)鐘源，或通過配置HPRE[2:0]位域，減小系統(tǒng)時(shí)鐘的分頻值；4）配置SYSW[2:0]位域后，必須對(duì)RCC_CFG寄存器中的SYSWS[2:0]位域進(jìn)行檢查，確認(rèn)系統(tǒng)時(shí)鐘已切換完成。?降低HCLK頻率的配置步驟：1）降低HCLK頻率，可通過配置RCC時(shí)鐘配置寄存器（RCC_CFG）中的SYSW[2:0]位域，切換更低頻率的時(shí)鐘源，或通過配置HPRE[2:0]位域，增大系統(tǒng)時(shí)鐘的分頻值；2）配置SYSW[2:0]位域后，必須對(duì)RCC_CFG寄存器中的SYSWS[2:0]位域進(jìn)行檢查，確認(rèn)系統(tǒng)時(shí)鐘已切換完成；通過FLASH_ACR寄存器中的LATENCY[1:0]位域，減小Flash讀取訪問的等待周期；4）讀取LATENCY[1:O]位域，檢查等待周期已配置成功。5.3.3Flash解鎖為防止Flash被意外修改，增加了保護(hù)措施，必須向特定寄存器寫入密鑰，才能解鎖相關(guān)功能的配置權(quán)限。Flash控制寄存器解鎖復(fù)位后，F(xiàn)lash控制寄存器（FLASH_CR）將處于寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。要配置FLASH_CR寄存器，需首先進(jìn)行解鎖操作。FLASH_CR寄存器的解鎖操作，必須嚴(yán)格按照以下步驟順序執(zhí)行：）向FLASH_CRKEY寄存器寫入密鑰1：0xE57A1A85；2）向FLASH_CRKEY寄存器寫入密鑰2：0x7C6E8391；3）檢查FLASH_CR寄存器中的LOCK位，當(dāng)該位清0時(shí)，表明FLASH.CR寄存器已解鎖。解鎖完成后，才能對(duì)FLASH_CR寄存器進(jìn)行配置。注意:FLASH_CR寄存器中與選項(xiàng)字節(jié)相關(guān)的控制位（OBL_LAUNCH和OPTSTRT）,必須在Flash選項(xiàng)字節(jié)解鎖后才能進(jìn)行配置。密鑰必須嚴(yán)格按照順序?qū)懭耄绻霈F(xiàn)以下情況，將產(chǎn)生總線錯(cuò)誤同時(shí)觸發(fā)HardFault中斷，直到再次復(fù)位后，才能重新對(duì)FLASH.CR寄存器進(jìn)行解鎖：向FLASH_CRKEY寄存器寫入錯(cuò)誤的密鑰值；解鎖順序錯(cuò)誤，先向FLASH_CRKEY寄存器寫入密鑰2：0x7C6E8391；解鎖后繼續(xù)向FLASH_CRKEY寄存器寫入任意值（包括密鑰）。將FLASH_CR寄存器中的LOCK位重新置1,能恢復(fù)FLASH_CR寄存器的寫保護(hù)賴定狀態(tài)。通過復(fù)位，也能使FLASH_CR寄存器恢復(fù)注寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。注意:當(dāng)FLASH_SR寄存器中的BSY位為1時(shí),對(duì)FLASH_CR寄存器的寫入將無效,FLASH_SR寄存器中的PESERR標(biāo)志將置1,Flash當(dāng)前操作將繼續(xù)正常執(zhí)行。Flash選項(xiàng)字節(jié)解鎖復(fù)位后，F(xiàn)lash選項(xiàng)字節(jié)處于寫保護(hù)鎖定狀態(tài)，所有的選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器、FLASH_CR寄存器中的OBL_LAUNCH位和OPTSTRT位,都會(huì)被寫保護(hù)。要對(duì)選血字節(jié)進(jìn)行更新，就先毒進(jìn)行解鎖操作。Flash選項(xiàng)字節(jié)的解鎖操作，必須嚴(yán)格按照以下步驟順序執(zhí)行：1）先解鎖Flash控制寄存器FLASH_CR（詳見：Flash控制寄存器解的；向FLASH_OPTKEY寄存器寫入密鑰1：0x6A894D7B；向FLASH.OPTKEY寄存器寫入密鑰2：0x7C311F5A；4）檢查FLASH_CR寄存器中的OPTLOCK位，當(dāng)該位清0時(shí)，表明Flash選項(xiàng)字節(jié)已M鎖。解鎖完成后，才能對(duì)選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器及其控制位（OBL_LAUNCH和OPTSTRT）進(jìn)行酉己置。密鑰必須嚴(yán)格按照順序?qū)懭耄绻霈F(xiàn)以下情況，將產(chǎn)生總線錯(cuò)誤同時(shí)觸發(fā)HardFault中斷，直到再次復(fù)位后，才能重新對(duì)Flash選項(xiàng)字節(jié)進(jìn)行解鎖：向FLASHJDPTKEY寄存器寫入錯(cuò)誤的密鑰值；解鎖順序錯(cuò)誤，先向FLASH.OPTKEY寄存器寫入密鑰2：0x7C311F5A；解鎖后繼續(xù)向FLASH_OPTKEY寄存器寫入任意值（包括密鑰）；在對(duì)FLASH_CR寄存器解鎖前，向FLASH_OPTKEY寄存器寫入任意值（包括密鑰）。將FLASH_CR寄存器中的OPTLOCK位重新置1,能恢復(fù)Flash選項(xiàng)字節(jié)的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。通過復(fù)位，也能使Flash選項(xiàng)字節(jié)恢復(fù)成寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。當(dāng)FLASH_CR寄存器恢復(fù)成寫保護(hù)鎖定狀態(tài)時(shí)（LOCK位置1）,Flash選項(xiàng)字節(jié)也會(huì)被恢復(fù)成寫保護(hù)鎖定狀態(tài)，OPTLOCK位將自動(dòng)置lo53.3.3Flash掉電控制位解鎖復(fù)位后，F(xiàn)lash訪問控制寄存器（FLASH_ACR）中的PDEN位將處于寫保護(hù)鎖定狀態(tài)，該位用于控制Flash的掉電。要配置PDEN位,就要先進(jìn)行解鎖操作。PDEN位的解鎖操作，必須嚴(yán)格按照以下步驟順序執(zhí)行：1）先解鎖FLASH控制寄存器FLASH.CR（詳見：Flash控制寄存器解鎖）；向FLASH_PDKEY寄存器寫入密鑰1：Ox57D93AB6；向FLASH_PDKEY寄存器寫入密鑰2：0x9A2D827C；4）檢查FLASH.CR寄存器中的PDLOCK位，當(dāng)該位清0時(shí)、表明PDEN位已解鎖。解鎖完成后，可對(duì)PDEN位進(jìn)行配置。密鑰必須嚴(yán)格按照順序?qū)懭耄绻霈F(xiàn)以下情況，將產(chǎn)生總線錯(cuò)誤同時(shí)觸發(fā)HardFault中斷，直到再次復(fù)位后，才能重新對(duì)PDEN位進(jìn)行解鎖操作：向FLASH.PDKEY寄存器寫入錯(cuò)誤的密鑰值；解鎖順序錯(cuò)誤，先向FLASH.PDKEY寄存器寫入密鑰2：0x9A2D827C；解鎖后繼續(xù)向FLASH_PDKEY寄存器寫入任意值（包括密鑰）；在對(duì)FLASH.CR寄存器解鎖前，向FLASH_PDKEY寄存器寫入任意值（包括密鑰）。將FLASH_CR寄存器中的PDLOCK位重新置1,能恢復(fù)PDEN位的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。另外通過復(fù)位，也能使PDEN位恢復(fù)成寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。當(dāng)FLASH_CR寄存器恢復(fù)成寫保護(hù)鎖定狀態(tài)時(shí)（LOCK位置1）,PDEN位也會(huì)被恢復(fù)成寫保護(hù)鎖定狀態(tài)，PDLOCK位將自動(dòng)置1。5.3.4Flash功耗管理為進(jìn)一步降低系統(tǒng)功耗，當(dāng)程序僅在SRAM中運(yùn)行時(shí)，通過將Flash訪問控制寄存器（FLASH_ACR）中的PDEN位置1,能使Flash進(jìn)入PowerDown狀態(tài)。在配置PDEN位前，要先進(jìn)行解鎖操作