第十四章掠入射射線(xiàn)散射精品文檔聚合物材料掠入射x射線(xiàn)衍射§14.1引言1923年Compton首先報(bào)道了當(dāng)X射線(xiàn)以很小角度入射到具有理想光滑平整表面的樣品上,可以出現(xiàn)全反(亦稱(chēng)鏡面反射)現(xiàn)象.入射X射線(xiàn)在樣品上產(chǎn)生全反射的條件是掠入射角(Grazingincdeneagle) (臨c界角).由于照到樣品的入射角很小,幾乎與樣表面行，因此人們也將X射線(xiàn)全反射實(shí)稱(chēng)為入射衍射(GID)實(shí)驗(yàn).當(dāng)X射線(xiàn)以臨界角 入射到樣品上時(shí)，射線(xiàn)穿透樣深度僅納米級(jí)，可以測(cè)定樣品面的c結(jié)構(gòu)信息;由于常的X射線(xiàn)衍射入到樣品面的角較大,大部分射線(xiàn)透射到品中的度也較大,是Bg射,而的X射射，不息.到用.例如,在用,為了求,這須那物有等.總之，在當(dāng)今的生活中軟物質(zhì)薄膜已起到越耒越重要的作.因此，在原子,分子水平上對(duì)這類(lèi)薄膜的表面行為和界面行為的表征是極其重要.在此基礎(chǔ)上,對(duì)其結(jié)構(gòu)和成型條件進(jìn)行調(diào)控，以提高它們的性能和使用范圍已日益顯得重.收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔去0開(kāi)用X性步.X所液體.故X具.目和征.將X鏡)鏡)描鏡)儀)面展.§14.2掠入射衍射幾何分類(lèi)及其特點(diǎn)§14.2.1掠入射衍射幾何分類(lèi)掠射衍射幾何分類(lèi)主要有下述三(圖14.1):1.共面端非稱(chēng)射(EAD)(圖41())這種射衍的幾特點(diǎn)衍面與品表之間成近Brag角，入射X射線(xiàn)出射X射線(xiàn)同樣表面間形成射角衍射與入線(xiàn)樣品表面線(xiàn)共面.2.共面掠入射衍(GID)(圖41())收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔，射X射X線(xiàn)面.3.非共面掠射Bragg-Laue衍(GBL)(圖141c)這種件的射衍幾，際是上兩掠幾何聯(lián)合.它含有與樣表法傾斜很角的子平的射因此易量

s

與樣品表面成小度；也可以通掠射角或出角度小變成的掠射X射線(xiàn)非稱(chēng)射.入射線(xiàn)反線(xiàn)衍射不面但均樣表面間有小角反射與品面近垂直.收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔圖14.1掠入射和出射X射衍何(a)EADX射線(xiàn)衍射幾何(b)GIDX射線(xiàn)衍射幾何(c)GBLX射線(xiàn)衍射幾何圖中，kkk分別為入射波矢，鏡面反射波矢，衍射波矢；si,f,s

是相對(duì)于Bragg平面的倒易矢量.分別是i,f,s,

kkksi,f,s

與表面間角； 為BBragg角.§14.2.2掠入射衍射特點(diǎn)1.在掠射衍射幾何中，Bragg衍射與全反射同時(shí)發(fā)生，它可以探測(cè)沿樣品表面或界面內(nèi)原子尺度的結(jié)構(gòu)變.在GBL幾何條件下，動(dòng)量的傳輸是沿樣品表面或界面進(jìn)行；在EAD幾何條件下，沿樣品表面的動(dòng)量傳輸也比較大..成g角反c角 近.c.角i

于 時(shí),由c不構(gòu)..等.§14.3射X射線(xiàn)衍射及實(shí)方法介§14.3.1掠入射X射儀掠射X射衍常X射線(xiàn)同在于行的X射量.掠射X射線(xiàn)射收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔率(10)統(tǒng).s司和r射X置.圖2是本u的G射X射線(xiàn)衍射儀.ATX-G帶有全反射面內(nèi)(XZ平面)三軸，18KW旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極靶，多層鏡與4晶單色器的高分辨及高準(zhǔn)直系.在保證掠射條件下，探測(cè)器可在1/4球面范圍內(nèi)掃描.該儀器上可采用其它測(cè)量方式進(jìn)行薄膜的數(shù)據(jù)采..圖14.2ATX-G掠入射X射線(xiàn)衍射儀圖14.3是掠入射X射線(xiàn)衍射儀光學(xué)系.它是一種典型的全反射測(cè)量X射線(xiàn)儀.由高功率旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極靶產(chǎn)生的輻射首先經(jīng)過(guò)第一狹縫準(zhǔn)直；根據(jù)對(duì)單色化和入射X射線(xiàn)強(qiáng)度的不同要求，單色器可采用石墨晶體Si單晶，Ge單晶或切割晶.一般采用切割Ge晶體，并選用多層鏡使射線(xiàn)經(jīng)過(guò)多次反射以提高分辯能力；單色化后的射線(xiàn)再通過(guò)第二狹縫進(jìn)一步準(zhǔn)直，整個(gè)準(zhǔn)直過(guò)程可通過(guò)計(jì)算機(jī)自動(dòng)完.樣品則被置于可控制入射()和出射角()i f的X射線(xiàn)測(cè)角儀上.為降低背底散射和出射X射線(xiàn)束的發(fā)散度，在探測(cè)器前放有狹縫3和狹縫4.收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔圖14.3掠入射X射線(xiàn)射儀學(xué)統(tǒng)§14.3.2掠入射X射線(xiàn)衍實(shí)方法介在做入射X射線(xiàn)衍射驗(yàn)，為提測(cè)量度d，粗糙度的精確性將品置帶有分測(cè)角的直樣架上(圖44)；樣品表面的傾斜通轉(zhuǎn)動(dòng)

RX

和R，以達(dá)到品表法與Z軸平行且樣中心正Y好處于旋轉(zhuǎn)軸與旋轉(zhuǎn)軸交上.之后再調(diào)樣位置其入射X射線(xiàn)準(zhǔn)這一程是過(guò)覆調(diào)節(jié)Z方向和動(dòng)(或)角位置，直到樣位處于射X射線(xiàn)束心.樣品在個(gè)位時(shí)僅有半入射X射線(xiàn)度檢測(cè)到.然后將探器的2角設(shè)在合的置，進(jìn)步調(diào)節(jié)Z方向和，角位置，到測(cè)器測(cè)其最強(qiáng)時(shí)，驗(yàn)樣品位置調(diào)方為成.然后可按定采樣件行測(cè)記錄.薄膜品制備法有種,如LB膜、電沉和膠-凝膠法等;一般常用方是:將已被事溶好待試樣溶，滴在Si或SiO2單晶襯底上采高速轉(zhuǎn)涂法制得同度的品.收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔圖4圖 圖5物)膜X與 線(xiàn).，qkf,ki,

knn)i f圖5

度PEP反射強(qiáng)度與q關(guān)線(xiàn)z§14.4掠入射X射線(xiàn)衍基原理§14.4.1掠入射X射線(xiàn)全射收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔點(diǎn)r為 E(r)E(ikr)該電場(chǎng)強(qiáng)度在介質(zhì)中的傳播特性可按Helmholtz方程表0 示: E(r)k2n2(r)E(r) (14.1)2這里，kk，k是波矢；是輻射線(xiàn)波長(zhǎng)n(r)是位于r處的折射2率，對(duì)于均勻介質(zhì)n(r)是與位置無(wú)關(guān)的常.如果具有諧波振動(dòng)的介質(zhì)在單位體積內(nèi)含有N個(gè)原子，諧振頻率為，則n(r)為:iNife22n2(r)1Nm0i1i2iNife22，；e和m；尼i；f度,數(shù).對(duì)X線(xiàn),i>式)為:in(r)1(r)(r)Ni，(r)2eNi(r)(f(E)2i1ANi)Ni(r)2eNi(r)f(E2i1ANi)收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔(r)；(r)關(guān)料(如)在X項(xiàng)(r；NA為o；為X；(ri

于r，為A為Z的i i第i徑re(稱(chēng)n長(zhǎng))的為:

r=e2 4e4mc20

05(?)；f和f的(項(xiàng))的(吸項(xiàng))子.項(xiàng) 項(xiàng) 小23量算率)把)式)為:- ))， 著 X射線(xiàn)輻射波長(zhǎng)的增加，X射線(xiàn)與樣品間的作用也增加，的作用亦不可忽略.在這兩種情況下，不論樣品的化學(xué)結(jié)構(gòu)如何，折射率n(r)成為復(fù).在掠入射條件下，X射線(xiàn)由光密介質(zhì)(1)入射到光疏介質(zhì)

(n)時(shí)，由2于入射角i和出射角f

都很小，故波矢差qKf

K也小(圖.介均i勻且介質(zhì)波長(zhǎng)遠(yuǎn)離X射線(xiàn)吸收邊時(shí)，折射率可化:收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔圖1.6位于XZ平面內(nèi)的電磁在掠入角為

i

條下入波矢Ki，反射矢K和折射矢K(圖中f t

為折角) rn12ei r2 4)的l圖6知:nsins)，n1，n2質(zhì)1，2率.的

n1式1)為:s)

sn i2式)若 n21式)，0則>，角 i

有應(yīng).，i 果

n1即2

0則<當(dāng) i

，i0，則cos=1.把

=0時(shí)對(duì)應(yīng)的 i

角度稱(chēng)為臨界角并以 表示.c上述結(jié)果說(shuō)明，只有在>i c

時(shí)，>，有折射發(fā)生；當(dāng) 時(shí)沒(méi)有折 ic射出現(xiàn)，稱(chēng)為全反(或稱(chēng)鏡面反).當(dāng)然，由于吸收作用將有很小的反射損.在全反射下X射線(xiàn)不能深入到介質(zhì).全反射是研究薄膜表面結(jié)構(gòu)的重要方法，它在研究表面和界面結(jié)構(gòu)，吸附，相變，粗糙度中都得到了廣泛地應(yīng).當(dāng)入射X射線(xiàn)同樣品表面夾角在 附近時(shí)，伴隨的Bragg衍c射，其散射線(xiàn)的穿透深度僅為幾納米，可以測(cè)定樣品表面原子排列，稱(chēng)為二維X射線(xiàn)散射.收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除ee精品文檔式)果,的為,則 i

ss=c i

n-2以:=c

r)式)角 與X關(guān).質(zhì)c，.c

， 大.表1關(guān)c值.表14.1部分材料的e,,和c值材料 r010m2) 06)e

(m1)

/()c真空 0PS(CH)9.588n58 n23 n87 n2PMM(CHCl) 10.6PVC(CHCl)12.1PBrS(CHBr)13.2Quartz(SiO)18.0-19.7Silicon(Si)20.0Nick88n58 n23 n87 n2

0 03.544.0 74.6865.0 976.8-7.4 857.6 14127.4 40749.64170

00.1530.120.1740.1810.21-0.220.2230.4240.570表14.1表明， 值很小，通常為一度的十分之.對(duì)X射線(xiàn)而言，的量c級(jí)為10-6，可見(jiàn)折射率n稍小于1.當(dāng)將通用的PE樣品置于空氣中時(shí)，由于它的<0，所以它沒(méi)有c值，不存在全反射現(xiàn).上述討論中，應(yīng)用X射線(xiàn)研究聚合物薄膜時(shí)，入射線(xiàn)的偏振不是主要的，因此偏振效應(yīng)不予考.對(duì)一些小分子材料，由于這些材料具有較高的取向或具有一定的磁矩，在這種情況下X射線(xiàn)入射線(xiàn)的偏振不能忽.§14.4.2反射系數(shù)和透射系數(shù)收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔空/面(圖.質(zhì)1(空)中為E(r)(0,,0)(ikr)矢i i

ki

ks,0,n)臨i i為 為n1i質(zhì)2一c為E(r)(,B,0)ep(ikr)，其中波矢f fkf

k(cos,,sin);透射波強(qiáng)度為i i

E(r)(0,C,0)(ikr)矢t tk(k0,k).t t,x t,z

k，k定.于Z在Yt,x t,z振-振)在0連的,為:rsA，ts.由l有:rkri,z t,zskki,z t,z)tti,zskki,z t,z)圖6，kkn，kkn式)算i,z i t,z t，kk(n2cos2)12，把上述k，k代入式(.)和式t,z i i,z t,z(14.12，略去高階小量，則:rsinn2)1ri isnn2)12i i(3)t 2sinissin(sin2)12i i(14.14)同理，位于XZ平面內(nèi)，垂直于Y方向的電磁波偏振是線(xiàn)性的(P偏)，則其反射系數(shù)和透射系數(shù)分別:收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔rn2kki,z t,rpn2ki,z t,z)t2ki,tpn2kki,z t,z)，))

r1)nn2)12p1)nn2)12i iit2itp(1)nn2)12i i式)式)式)式)，X射，n1以

rr，p s

tt.慮-象.p s即l為:

R=r2.當(dāng)f

時(shí)可i到Rf為:R=2p)2p2fi1)2pR=2i 1 2)，P1

和P折角pp部: 2 t 1 p2122)24222)12i c i c p21(22)242(22)22i c i 圖7了l率

Rf

與i線(xiàn).c收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔圖14.7在不同的

值下反射率R與f

i 關(guān)系曲線(xiàn)c(圖中采用CuKX射線(xiàn)Si空，=7.56106，c=0.220)圖7的

定角 附c(i)當(dāng)c

> ，c

R值降.式f)可當(dāng)>3 c

，R可為:fR(c)4f 2)式)式)可過(guò)射X角的

R值.f當(dāng)

，R4，這表明f

Rfi4常二述Pd

于 k大 ik度)k–4.率Rf隨

增比4些.當(dāng)

圖14.8是Fresnel透射率T=t 關(guān)系曲.從圖中可以看,cf c的，T值.同0(收)況 c f收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔收()，Tf小

動(dòng).波c致.當(dāng)

，Tf

1,時(shí)入射波較容易的進(jìn)入到介質(zhì)中.在 波(波Z播c，X減)算:T=4f1c)圖14.8 不同的

值下透射率Tf

與i 關(guān)系曲(圖用cCuK X射線(xiàn)Si真空界面，=7.5606，c20為i1情c況)§14.4.3X射線(xiàn)穿透深度通常，由于吸收效應(yīng)，入射X射線(xiàn)波在進(jìn)入到樣品中后，會(huì)不斷衰減，將入射X射線(xiàn)強(qiáng)度衰減為原來(lái)強(qiáng)度的1/e時(shí)X射線(xiàn)達(dá)到的深度，定義為收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔度.式)為:pp質(zhì)t 1 2下Z)度Et

E為:t ECpi(kxkzp)exp(kzp)t i,x 1 2 (14.22)當(dāng)時(shí)pi c 2

很大，由式(14.22)可知，電場(chǎng)強(qiáng)度E急速下降，波的傳t播按指數(shù)衰減進(jìn)行(又稱(chēng)瞬逝)，此波波矢與介質(zhì)表面幾乎平行，其穿透深度為:2122)24222) (14.23)2 i c i21式(14.23)說(shuō)明，穿透深度隨掠入射角改變，因此測(cè)定不同深度的i結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)調(diào)整i

來(lái)達(dá).當(dāng)0時(shí)，i0c

1 (14.24)4re可見(jiàn)此時(shí)穿透深度0

與無(wú).對(duì)大多數(shù)材料0

5nm.從 值也0進(jìn)一步說(shuō)明，當(dāng)入射X射線(xiàn)角度很小時(shí)，散射主要發(fā)自于靠近樣品表.利一可探料表.圖4.9表，當(dāng)i>1時(shí)，此時(shí)cX射線(xiàn)僅受材料的吸收影響，穿透深度迅速增.理論上當(dāng)=，即無(wú)吸收作用時(shí)，具有無(wú)限大的穿透深度.收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔圖14.9在不同的

值下穿透深度與i 關(guān)系曲(圖中采用cCuKX射線(xiàn)Si真空界面，=7.5606，c=0.220)式()度x:x

== (14.25)4對(duì)數(shù)，在i=2時(shí)，14-105?.§14.5多層膜系統(tǒng)§14.5.1雙層膜系統(tǒng)實(shí)用器件中常采用多層膜結(jié)構(gòu)以達(dá)到特殊使用要求，因此對(duì)多層膜表面結(jié)構(gòu)的研究比單一表面層結(jié)構(gòu)研究更為重.對(duì)于多層膜結(jié)構(gòu)所有各個(gè)界面的散射都必須計(jì).圖14.10是雙界面結(jié)構(gòu)衍射幾何.圖14.10雙層界結(jié)構(gòu)射幾圖將處真空(或空氣)的薄膜樣品(介質(zhì)1)置襯底(介質(zhì)2)之上.由圖1.10可知如果以r0,1表示真空樣品的反系數(shù)以

r表示樣與襯間1,2的反系數(shù)；d為樣品厚度.在此條件下反射數(shù)為:收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除1,2 ,z01,2 ,z0,11 01 1=r2精品文檔rrr(2kr01,2 ,zs1rr(2kd)0,2 ,zr(1r2)(2ikd)0,1 1r0,1(2ik1d)0,11,2 1,z

(14.26)由此可進(jìn)一步得到反射率0,z為:r2r22errexp(2ikd)R(k)=r 2 01 ,2R(k)=r 0,z s 1rr22errexp(2ikd)01,2 01,2 ,z

(14.27)取其實(shí):R(k)=0,z

r2r22rrcos2kd)1r2r,22r,1r,2cos2k,zd)0,11,2 0,11,2 1,z

(14.28)作為例子，圖14.11(a)是厚度為50n，置于光滑平整Si單晶片上的氘化聚苯乙(d-PS)理想薄膜，它的反射率R與波矢z.以看出，在k0,>c(臨界波矢)后，由于薄膜厚度引起的一系列很明顯的振動(dòng)波.根據(jù)波的寬度0,z

可以求得樣品的厚度，即dk(cm).圖中0,z=6.2803，d.0,z圖)了R(k)k4與k線(xiàn).看z0,z 0,z出，全部振動(dòng)的R(k)k4對(duì)k數(shù)(示.進(jìn)z0,z 0,z一步驗(yàn)證了R(k)k4論.z0,z收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔圖14.11(a)

置于Si單上d-PS的R(k)k，z z

線(xiàn)圖14.1(b)R(k)k4z0,z

k

的關(guān)系線(xiàn)§14.5.2多層膜系統(tǒng)對(duì)于具有n層薄膜樣品，第n+1層是半無(wú)長(zhǎng)襯底最上為真空(或空氣)，設(shè)第j層的折射率為n1i，厚度為j j j

d(j=1，j2，…n)，掠入角，反射角為 (圖14.1).在這種多層結(jié)構(gòu)中，i每個(gè)界用一個(gè)換矩表征，代表n個(gè)界面的變矩陣乘，則求出反射率.Prrtt給出了具有n個(gè)界面的X射線(xiàn)反射率遞推公:收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除00精品文檔21 R1Rexpn2co2dRj1,j2rj,j21 R1j1,j2j,j1，rj,j是l

R； 是Rj,j2

Rj,j率.第n到空(氣/，圖14.12多層掠射何獲得R1,2值為止.應(yīng)注意,因?yàn)橐r為限，故

R=0.由n，n1

R2R給,2出樣表總反強(qiáng)度.圖1413是置于Si單晶上厚度d=8nm的PS的計(jì)結(jié)果.整個(gè)計(jì)算采用=0.5nm，=7.5606，Si1， =3.06，Si PSSiPS1，由于最頂層是真空介,當(dāng)入射角很小,其臨界角0PS = =0.15， =c,PSPSc,Si

=0.20.由圖中可以看出，當(dāng)掠入射角Si 時(shí)，反射率R按指數(shù)ic,Si

(c)42i

迅低.反射率R對(duì)2中存i在Bragg衍射,由Bragg衍射峰的位置可以確定多層膜的平均厚.存在收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔于g間,空S和i界成,為g紋.由g周期可以求得多層膜總的厚度,即i

d2/qz

/2,里iq2ksin.z i圖3反率R

i

振動(dòng)條紋曲線(xiàn)(PS/Si界面)§14.6.粗度襯明第j第1率n1數(shù).，的.，化.種:度,章度;度.面(面)厚面(面)物度l均c收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除精品文檔比度相c c面(面)伏(圖)在出c伏.面(界面)面(面)同.況) )圖4具有厚度起伏曲率小的波浪表面(a)具有厚度起伏曲率較大的粗糙表(b)下，表(或界)各點(diǎn)的入射角不同，正如圖14.14(a)所示.由于表面存在較小的曲率，盡管如,，1 2

也是不同的，但均在其平均值附近擺.這種條件(粗糙度變化不明)的表面對(duì)入射線(xiàn)造成的影響，類(lèi)似于入射線(xiàn)照射到平板上的發(fā)散效應(yīng)(圖14.14(a下方).表面法線(xiàn)方向密度改變是急劇的，存在不連續(xù)。第二種情況是表(或界面)一個(gè)厚度起伏的尺寸遠(yuǎn)于干度，入射到表面(或界面)上每點(diǎn)的角度與其平均值明顯不同.c表面法線(xiàn)方向的密度變化，從真(或空)的零值增加到介質(zhì)中的平均密度，不是陡然改變的，是連續(xù)的圖14.14(b)).這種更接近于表面實(shí)際情況的粗糙度造成表面法線(xiàn)方向密度的改變，類(lèi)似于小角散射中相界面的密度梯度效.一般而言，表面和界面的這種厚度起伏粗糙)，由于射線(xiàn)的相互作用，將造成反射率降.表面和界面的厚度起伏 時(shí)，造成了反射強(qiáng)度的降低，形成發(fā)散散射，偏離了鏡面反.收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系管理員刪除kkk2精品文檔但中.當(dāng)X角到n第j為d，i j為 (圖)數(shù)r據(jù)t:j(RRj,j1 j,j1Rj,j1j1,j)，)

Rj,j1kjkj1(2kjkjj/2)j j1a(ikd/)j jj1)1kj(14.33)

(n2co2)2j i式中，d和 第j參j,j數(shù)應(yīng)給予確定，即,,d和.式11)中的粗糙度實(shí)際上應(yīng)包含表面或界面的粗糙度()和擴(kuò)散度

()，因此，d

22.表面粗糙 d度的存在將造成反射X射線(xiàn)的非鏡面性；表面擴(kuò)散度將增加表面的透明性，兩者均可使鏡面反射率降.式(.)中分布是按asn分布函數(shù)處理，即按exp(-2)進(jìn)行分析.在掠入射X射線(xiàn)表面結(jié)構(gòu)研究,由于對(duì)象不,使用的理論也不.如果不考慮散射體的消光、折射和多重散射條件的單層界面的原子結(jié)構(gòu)問(wèn)題，則采用Born近似法，亦稱(chēng)BA理.A于,.i s c

A決i

,下Xc s c射線(xiàn)衍射形成的Kiessig干涉條紋或多層膜樣品出現(xiàn)的Bragg峰結(jié);此時(shí)收集于網(wǎng)絡(luò)