工作匯報專業：環境工程姓名:孫明明日期：2014/11/29工作匯報專業：環境工程1金屬功函數Wm：把金屬中電子從費米能級EFm逸出到真空E0中所需的最小能量稱為金屬的功函數半導體功函數Ws：把E0與費米能級EFS之差稱為半導體的功函數接觸電勢差：在交界面,電子會從功函數小的材料轉移到功函數大的材料中，從而前者帶上正電荷，后者帶上負電荷，這樣就產生了接觸電勢差。光致界面電荷轉移的機理費米能級：在固體物理學中，一個由無相互作用的費米子組成的系統的費米能,表示在該系統中加入一個粒子引起的基態能量的最小可能增量。費米能:亦可等價定義為在絕對零度時，處于基態的費米子系統的化學勢，或上述系統中處于基態的單個費米子的最高能量。費米能是凝聚態物理學的核心概念之一。金屬功函數Wm：把金屬中電子從費米能級EFm逸出到真空E0中2

本征激發：當半導體從外界獲得一定的能量，受到激發，電子從價帶頂端躍遷到導帶底端，而產生出自由電子和自由空穴的現象。

本征激發的容易程度受到禁帶寬度的影響。

表面電勢:它是指由于兩相界面區偶極層的存在或自由電荷(離子或電子)的不均勻分布而造成的兩相之間的電勢差。若規定某一相的內部的電勢為零，則此差值即為另一相的表面電勢，其數值等于把單位正電荷從表面外約10-4cm處通過界面移進相內所耗費的電勢。由于這一過程不可避免地會涉及化學作用。所以表面電勢雖有明確的物理意義，實際上卻無法測量。本征半導體是一種完全沒有雜質和缺陷的理想半導體材料。對于摻雜施主的半導體，導帶電子是多數載流子，價帶空穴是少數載流子，稱為n型半導體。對于摻雜受主的半導體，價帶空穴是多數載流子，導帶電子為少數載流子，稱為P型半導體。本征激發：當半導體從外界獲得一定的能量，受到激發，電子3透明導電玻璃透明導電玻璃4透明導電玻璃透明導電玻璃5光致界面電荷轉移的機理光致界面電荷轉移的機理6文獻Astudyoflight-inducedchargetransferatinterfaceofcoppertetrasulphonatophalocyninemolecularfilmsandp-Si(III)

ThinSolidFilms在磺化酞菁銅超分子膜和p-Si(III)的界面間光誘導電荷轉移的研究文獻Astudyoflight-inducedcha7CuTsPcsupramolecularfilmsandCuTsPcLBfilmswithspaceinthelipidchainwerepreparedonp-Si(III)usingtheLBtechnique.Thesurfacephotovoltagespectraofbothfilmsystemsweremeasuredforthefirsttime.ItwasfoundthatthesurfacephotovoltaiceffectofthefilmsystemswasatamaximumwhenonlyonemonolayerofCuTsPcmoleculeswasmodifiedonp-Si(III).OurexperimentsindicatedthatonlythefirstCuTsPcmonolayeradjacenttothesemiconductorplaysakeyroleinthelight-inducedinterfacialchargetransfer.AbstractCuTsPcsupramolecularfilmsan81.Introductionmuchresearchhasbeendevotedtothesensitizationofsemiconductormaterialsbyorganicdyefilmsandtheirapplicationinavarietyofsolidstatedevices.ItisworthnotingthatHondaandcoworkersusedLBfilmcontainingchlorophyltomodifySnO2photoanodeswhichhadexhibitedahighquantumefficiency(25%)forphotocurrentgeneration.ThisresultsuggeststhatthespecificpropertiesofLBfilmspromisesomenoveleffectsinthesensitizationofsemiconductormaterials.1.Introductionmuchresearchh9Recently,ourgroupsuccessfullypreparedanewkindofultrathinCuTsPcmolecularfilmwhichhassomecharacteristicsofaone-dimensionalconductor.thesupramolecularfilmsandCuTsPcLBfilmswithspaceinthelipidchainwerepreparedonp-Si(III),andthedependenceoftheirphotovoltaicresponseonthefilmthicknesswasstudiedbysurfacephotovoltagespectroscopy.ItwasfoundthatonlythefirstCuTsPcmonolayeradjacenttothep-Si(III)playsakeyroleinlight-inducedinterfacialchargetransfer.Recently,ourgroupsuccessful102.Experimental單層膜系統的制備:C18NH2-AME(1:4)，CuTsPc(pH4.4)，LB膜Langmuirtrough，chloroform

themonolayerwastransferredontoasiliconwafer

ThewaferwasdryandwasimmersedinasaturatedBaCI2aqueoussolutionforabout20min.

CuTsPc,methylarachidate(AME),octadecylamine(C18NH2)

After20min2.Experimental單層膜系統的制備:C18NH211Thewaferwasthenwashedwithpurewateranddried.

Finally,thewaferwaswashedinchloroformtoproducethelipid-freemonolayeronthewafer.

TheBa2+replacedNa+nearthesulphonateions，therebymakingtheCuTsPcfilmmoredenselypackedandinsolubleinaqueoussolutions.

Themultilayersupramolecularfilmswerepreparedbyrepeatingtheabovesteps.

Thewaferwasthenwashedwith12Inordertoprotectthemolecularfilms,acontactlessmeasurementmethodwasused:athinsheetofmicawithacircularhole7mmindiameterwasplacedbetweentheelectrodesandthemeasuredsample.CuTsPcInordertoprotectthemolecu133.Resultsanddiscussion3.Resultsanddiscussion14光致界面電荷轉移ppt課件15光致界面電荷轉移ppt課件16表面光電壓是固體表面的光生伏特效應

,是光致電子躍遷的結果。“光生伏特效應”（Photovoltaiceffect），簡稱“光伏效應”。光伏效應指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。半導體的表面光伏效應是指：半導體吸收光子后光生電子和空穴在自建電場的作用下分離并作反向運動，產生光生電勢的效應。它是各種半導體光電器件的基礎。能夠引起固體中光伏效應，包括體生光伏效應，表面光伏效應，耗盡層光伏效應和反常光伏效應。表面光電壓是固體表面的光生伏特效應

,是光致電子躍遷的結果。17Asacomparison,wepreparedCuTsPcLBmultilayerswithspaceinthelipidchainonp-Si(III),andmeasuredtheirsurfacephotovoltagespectra(Fig.4).作為比較，我們在p-Si上的脂質鏈的空間上制備磺化酞菁銅LB多層膜，并測量其表面光電壓譜（圖4）。Asacomparison,wepreparedC18Theresultssupporttheaforementionedconclusions.Furthermore,thesurfacephotovoltaicsignaldecreasesmorerapidlythaninthefree-lipidCuTsPcsupramolecularfilmwithincreasingnumberoflayers.ItisobviousthattheCuTsPc