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功率放大器（PA）行業技術路線格局及國內廠商匯總分析

3/4G時期以橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）工藝為主，LDMOS有局限性，氮化鎵（GaN）成為中高頻段主要技術方向。LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，5G基站AAU功率大幅提升，單扇區功率從4G時期的50W左右提升到5G時期的200W左右，傳統的LDMOS制程將很難滿足性能要求。隨著半導體材料工藝的進步，氮化鎵（GaN）正成為中高頻頻段PA主要技術路線，GaN技術優勢包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小，使之成為LDMOS的天然繼承者。GaN技術雖然性能出眾，但考慮到GaN昂貴的成本，預計初期5G功率放大器可能會以LDMOS與GaN混合為主，隨著成本的不斷下降，后續逐漸被GaN完全取代。基站射頻PA技術路線比較資料來源：公開資料整理，立鼎產業研究中心傳統基站功率放大器領域，主要由恩智浦（NXP）、飛思卡爾（Freescale）和英飛凌（Infineon）三家公司壟斷，2015年NXP完成收購Freescale，為了規避反壟斷調查，NXP便將自己的RFPower部門以18億美元的價格出售給國內的北京建廣資本，改組為Ampleon公司。2018年6月，國內A股上市公司旋極信息發布公告，與合肥瑞成股東之一北京嘉廣資產管理中心簽訂《合作意向書》，擬購買其持有的合肥瑞成股權，從而間接收購Ampleon股權。此外，A股上市公司中，提供化合物半導體制造服務的--三安光電，作為國家大基金重點扶持的化合物半導體制造企業，是國家在半導體制造領域取得戰略突破的重要布局

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