標準解讀

《GB/T 41652-2022 刻蝕機用硅電極及硅環(huán)》是一項國家標準，主要針對半導體制造過程中使用的刻蝕設備中的關鍵部件——硅電極與硅環(huán)。該標準詳細規(guī)定了這些部件的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的內(nèi)容。

技術要求部分明確了硅電極及硅環(huán)的物理性能指標，包括但不限于尺寸精度、表面粗糙度、電阻率等參數(shù)的具體數(shù)值范圍或要求；同時也涵蓋了材料純度、雜質(zhì)含量限制等內(nèi)容，以確保產(chǎn)品能夠滿足特定應用環(huán)境下的需求。此外，對于某些特殊用途的產(chǎn)品還可能有額外的要求。

在試驗方法方面，本標準提供了多種測試手段來驗證上述各項技術指標是否達標，比如通過X射線熒光光譜法測定元素組成，利用四探針法測量電阻率等。每種檢測項目都有其對應的實驗條件設定，旨在保證測試結果的一致性和準確性。

關于檢驗規(guī)則，則是指導如何對生產(chǎn)出的硅電極及硅環(huán)進行質(zhì)量控制的過程。它包括抽樣方案、合格判定原則等信息，幫助企業(yè)建立有效的質(zhì)量管理體系，確保出廠產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-07-11 頒布
  • 2023-02-01 實施
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GB/T 41652-2022刻蝕機用硅電極及硅環(huán)_第1頁
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文檔簡介

ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標準

GB/T41652—2022

刻蝕機用硅電極及硅環(huán)

Siliconelectrodeandsiliconringforplasmaetchingmachine

2022-07-11發(fā)布2023-02-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T41652—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導體硅材料股份公司山東有研半導體材料有限公司新美光蘇州半導

:、、()

體科技有限公司浙江海納半導體有限公司

、。

本文件主要起草人庫黎明孫燕閆志瑞張果虎夏秋良潘金平

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T41652—2022

刻蝕機用硅電極及硅環(huán)

1范圍

本文件規(guī)定了刻蝕機用硅電極及硅環(huán)的技術要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存和隨

、、、、、、

行文件以及訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于直拉硅單晶加工成的刻蝕機用直徑的硅電極及硅環(huán)

p<100>200mm~450mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法

GB/T1551

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

半導體材料術語

GB/T14264

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

平面度flatness

硅電極或硅環(huán)厚度的最大值與最小值之間的差值

。

4技術要求

41電學參數(shù)

.

硅電

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