第2章半導體三極管2.1三極管的結構、符號及分類2.1.1

三極管的結構與符號2.1.2

三極管的分類2.1.3

三極管的外部結構2.2

三極管的電流分配與放大作用2.2.1

載流子的運動及各電極電流的形成

2.2.2

電流放大作用

2.2.3電流分配關系的測試

第2章半導體三極管2.3三極管的特性曲線2.3.1

輸入特性曲線2.3.2

輸出特性曲線2.4

三極管的主要參數及溫度的影響

2.4.1

主要參數2.4.2

溫度對三極管的特性與參數的影響2.5

特殊三極管簡介

2.5.1

光電三極管

2.5.2

光電耦合器本章重點半導體三極管的基本結構三極管的電流分配與放大作用三極管實現放大作用的內部及外部條件三極管的基本特性本章難點在放大區三極管具有基極電流控制集電極電流的特性三極管的開關特性用萬用表判斷三極管的類型、管腳及三極管質量的好壞第2章半導體三極管2.1

三極管的結構、符號及分類

2.1.1

三極管的結構與符號半導體三極管，也叫晶體三極管。由于工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，因此，還被稱為雙極型晶體管（BipolarJunctionTransistor,簡稱BJT）。

BJT是由兩個PN結組成的。NPN型PNP型符號:

三極管的結構特點:（1）發射區的摻雜濃度＞＞集電區摻雜濃度。（2）基區要制造得很薄且濃度很低。--NNP發射區集電區基區發射結集電結ecb發射極集電極基極--PPN發射區集電區基區發射結集電結ecb發射極集電極基極2.1.2

三極管的分類按結構類型分為NPN型管和PNP型管按材料分為硅管和鍺管按功率大小分為大功率管、中功率管和小功率管按工作頻率分為高頻管和低頻管按其工作狀態分為放大管和開關管2.1.3

三極管的外部結構常見三極管的外形結構圖2/6/2023

半導體三極管的型號第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、

G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關管用字母表示材料用字母表示器件的種類用數字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的不同規格三極管國家標準對半導體器件型號的命名舉例如下：3DG110B2.2

三極管的電流分配與放大作用三極管實現放大作用的內部條件，制作時：基區做得很薄，且摻雜濃度低發射區的摻雜濃度高集電結面積大于發射結面積外部條件，即發射結正向偏置，集電結反向偏置

2/6/2023若在放大工作狀態：發射結正偏：+UCE

－＋UBE－＋UCB－集電結反偏：由VBB保證由VCC、

VBB保證UCB=UCE-UBE>0共發射極接法c區b區e區

三極管在工作時要加上適當的直流偏置電壓。2.2.1載流子的運動及各電極電流的形成1．BJT內部的載流子傳輸過程（1）因為發射結正偏，所以發射區向基區注入電子，形成了擴散電流IEN

。同時從基區向發射區也有空穴的擴散運動，形成的電流為IEP。但其數量小，可忽略。所以發射極電流IE≈

IEN。（2）發射區的電子注入基區后，變成了少數載流子。少部分遇到的空穴復合掉，形成IBN。所以基極電流IB≈

IBN。大部分到達了集電區的邊緣。

另外，集電結區的少子形成漂移電流ICBO。

（3）因為集電結反偏，收集擴散到集電區邊緣的電子，形成電流ICN

。

動畫演示2/6/20232．電流分配關系IE=IC+IB定義：(1)IC與IE之間的關系:所以:其值的大小約為0.9～0.99。

三個電極上的電流關系:聯立以下兩式：得：所以：得：令：2.2.2

電流放大作用

動畫演示

在分析估算放大電路參數時取通常情況下，β=20～200。

綜上：有一小IB就可以獲得大IC，實現了小基極電流控制大集電極電流，這就是三極管的電流放大作用。也證明了三極管是電流控制器件。當輸入電壓變化時，會引起輸入電流(基極電流)的變化，在輸出回路將引起集電極電流較大變化，該變化電流在集電極負載電阻

RC

上產生較大的電壓輸出。這樣，三極管的電流放大作用就轉化為電路的電壓放大作用。2.2.3

電流分配關系的測試測試電路

三極管的三種接法：共射極、共集電極和共基極

三極管的三種電路

動畫演示共發射極三極管各電極電流分配關系的測試電路

三極管電流分配關系的測試電路調RP，可測得IB、IC、IE，數據如表測試數據

數據分析

IB/mA-0.00400.010.020.030.040.050.06IC/mA0.0040.011.091.983.074.065.056.06IE/mA00.011.102.003.104.105.106.12IB、IC、IE測試數據滿足基爾霍夫電流定律

IB、IC、IE的關系：IE=IB+ICIC、IB的關系：三極管的直流放大作用三極管的交流放大作用當IE=0時，即發射極開路，IC=-IB當IB=0時，即基極開路，IC=IE≠0

反向飽和電流ICBO

集電極—發射極的穿透電流ICEO

（1）uCE=0V時，相當于兩個PN結并聯。2.3BJT的特性曲線（共發射極接法）2.3.1輸入特性曲線

iB=f(uBE)

uCE=const（3）uCE≥1V再增加時，曲線右移很不明顯。

（2）當uCE=1V時，集電結已進入反偏狀態，開始收集電子，所以基區復合減少，在同一uBE

電壓下，iB

減小。特性曲線將向右稍微移動一些。死區電壓硅0.5V鍺0.1V導通壓降硅0.7V鍺0.3V

2.3.2輸出特性曲線iC=f(uCE)

iB=const

（1）當uCE=0

V時，因集電極無收集作用，iC=0。（2）uCE↑→Ic

↑

。

（3）當uCE

＞1V后，收集電子的能力足夠強。這時，發射到基區的電子都被集電極收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不變。同理，可作出iB=其他值的曲線。

現以iB=60uA一條加以說明。

動畫演示飽和區——iC受uCE顯著控制的區域，該區域內uCE＜0.7

V。此時發射結正偏，集電結也正偏。截止區——iC接近零的區域，相當iB=0的曲線的下方。此時，發射結反偏，集電結反偏。放大區——

曲線基本平行等距。此時，發射結正偏，集電結反偏。該區中有：飽和區放大區截止區輸出特性曲線可以分為三個區域:2.4三極管的主要參數及溫度的影響（2）共基極電流放大系數：

iCE△=20uA(mA)B=40uAICu=0(V)=80uAI△BBBIBiIBI=100uACBI=60uAi一般取20~200之間2.31.5（1）共發射極電流放大系數：1.電流放大系數

動畫演示

（2）集電極發射極間的穿透電流ICEO

基極開路時，集電極到發射極間的電流——穿透電流。其大小與溫度有關。

（1）集電極基極間反向飽和電流ICBO

發射極開路時，在其集電結上加反向電壓，得到反向電流。它實際上就是一個PN結的反向電流。其大小與溫度有關。鍺管：ICBO為微安數量級，硅管：ICBO為納安數量級。++ICBOecbICEO2.極間反向電流

3.極限參數（1）集電極最大允許電流ICM（2）集電極最大允許功率損耗PCM

集電極電流通過集電結時所產生的功耗，

PC=ICUCE

PCM<PCMIc增加時，要下降。當值下降到線性放大區值的70％時，所對應的集電極電流稱為集電極最大允許電流ICM。對于前面的電路（固定偏置電路）而言，靜態工作點由UBE、和ICEO決定，這三個參數隨溫度而變化。UBEICEO變T變IC變2.4.2

溫度對三極管的特性與參數的影響溫度對UBE的影響iBuBE25oC50oCTUBEIBIC溫度對值及ICEO的影響T、ICEOICiCuCE總的效果是：原因：溫度升高，本征激發產生的載流子濃度增大，少子增多，所以ICBO增加，導致ICEO增大，從而使輸出特性曲線上移放大電路的圖解分析法直流通路與交流通路靜態分析近似估算法圖解分析電路參數變化對Q點的影響動態分析截止失真飽和失真交流負載線最大不失真輸出輸出功率和功率三角形1.直流通路與交流通路靜態：只考慮直流信號，即vi=0，各點電位不變（直流工作狀態）。直流通路：電路中無變化量，電容相當于開路，電感相當于短路交流通路：電路中電容短路，電感開路，直流 電源對公共端短路

放大電路建立正確的靜態，是保證動態工作的前提。分析放大電路必須要正確地區分靜態和動態，正確地區分直流通道和交流通道。動態：只考慮交流信號，即vi不為0，各點電位變化（交流工作狀態）。直流通路TRRVb1b2bCCCCC++vovi電容Cb1和Cb2斷開TRRVbCCC直流通路

即能通過直流的通道。從C、B、E向外看，有直流負載電阻，Rc

、Rb

。交流通路TRRVvvb1b2bCCCCCio++vovi直流電源和耦合電容對交流相當于短路TRRbC+_+_vovi若直流電源內阻為零，交流電流流過直流電源時，沒有壓降。設C1、C2足夠大，對信號而言，其上的交流壓降近似為零。在交流通道中，可將直流電源和耦合電容短路。

交流通路：能通過交流的電路通道。從C、B、E向外看，有等效的交流負載電阻，Rc//RL和偏置電阻Rb

。2.靜態分析(1)靜態工作點的近似估算法已知硅管導通時VBE≈0.7V，鍺管VBE≈0.2V以及=40，根據直流通路則有：Q:（40uA，1.6mA，5.6V）RRbVCCC12V300K4K=40固定偏流電路RbRCvoviCb1Cb2VCC++Re0.5K330K4K15V=50例：電路