標準解讀
《GB/T 7576-1998 半導體器件 分立器件 第7部分:雙極型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細規范》與《GB 7576-1987》相比,在內容上進行了更新和調整,以適應技術進步和國際標準的發展。主要變化包括但不限于以下幾點:
首先,《GB/T 7576-1998》作為一項推薦性國家標準發布,而《GB 7576-1987》則是一項強制性國家標準。這種轉變反映了國家對于該領域標準應用態度的變化,即從必須遵守轉變為鼓勵采用。
其次,新版標準對術語定義、符號表示等方面做了更為準確的修訂和完善,使得文檔更加清晰易懂,同時也確保了與其他相關標準之間的一致性和兼容性。
再者,《GB/T 7576-1998》增加了對環境條件的要求描述,明確了不同類型工作環境下產品應滿足的具體性能指標,這有助于提高產品的適用范圍及其可靠性。
此外,針對測試方法,《GB/T 7576-1998》引入了更先進的測量技術和手段,并細化了實驗步驟及數據處理方式,提高了檢測結果的準確性與可重復性。
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- 現行
- 正在執行有效
- 1998-11-17 頒布
- 1999-06-01 實施




文檔簡介
TcS.31.080.30L42中華人民共和國國家標準GB/T7576—1998idtIEC747-7-4:1991QC750107半導體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細規范Semiconductordevices-DiscretedevicesPart7:BipolartransistorsSectionFourBlankdetailspecificationforcase-ratedbipolartransistorsforhigh-frequeneyamplification1998-11-17發布1999-06-01實施國家質量技術監督局發布
GB/T7576一1998前吉本空白規范等同采用1991年發布的IEC747-7-4《高頻放大管殼額定的雙極型品體管空白詳細規范》第一版。由于該規范較原國家標準更能表征該種器件的特性,因此,對原國家標準GB/T7576-1987做了修訂,使之與國際標準一致。本規范與前版的主要差別是增加了含有害物質的說明及發射極-基極反向截止電流;調整了引用總規范及分規范的標準號;刪去B9分組高溫見存。除除非另有規定,本標準第8章中引用的條號對應于GB/T4589.1一1989《半導體器件中分立器件和集成電路總規范》IEC747-10:1991)的條號,測試方法引自GB/T4587—1994《半導體分立器件和集成電路第7部分:雙極型品體管》(IEC747-7:1988),試驗方法引自GB/T4937一1995《半導體器件機械和氣候試驗方法》(IEC749:1984).本規范由中華人民共和國電子工業部提出。本規范由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本規范起草單位:電子工業部標準化研究所。本規范主要起草人:蔡仁明。
GB/T7576—1998IEC前言1)IEC(國際電工委員會)在技術問題上的正式決議或協議,是由對這些問題特別關切的國家委員會參加的技術委員會制定的,對所涉及的間題盡可能地代表了國際上的一致意見。2)這些決議或協議,以推薦標準的形式供國際上使用,并在此意義上為各國家委員會所認可。3)為了促進國際間的統一,IEC希望各國家委員會在本國條件許可的情況下,采用IEC標準的文本作為其國家標準,IEC標準與相應國家標準之間的差異,應盡可能在國家標準中指明。本標準由IEC第47技術委員會(半導體器件)制定。本標準是高頻放大管殼額定雙極型品體管空白詳細規范、本標準文本以下列文本為依據:6個月法表決報告47(C098447(C0)1078表決批準本標準的詳細資料可在上表所列的表決報告中查閱。本標準封面上的QC號為國際電工委員會電子元器件質量評定體系(IECQ)的規范號。本標準引用的其他IEC標準:IEC68-2-17:1978基本環境試驗程序,第2部分:試驗:試驗Q:密封IEC191-2:1966半導體器件的機械標準化第2部分:尺寸(在修訂中)IEC747-1:1983半導體器件分立器件和集成電路第1部分:總則:半導體器件分立器件和集成電路IEC747-7:1988第7部分:雙極型品體管IEC747-10:1991半導體器件第10部分:分立器件和集成電路總規范IEC747-11:1985半導體器件第11部分:分立器件分規范IEC749:1984半導體器件機械和氣候試驗方法
中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型-1998晶體管空白詳細規范QC750107花替C87576-1987Semiconductordevices-DiscretedevicesPart7:BipolartransistorsSectionFour-Blankdetailspecificationforcase-ratedbipolartransistorsforhigh-frequencyamplifieation引本空白詳細規范規定了制定高頻放大管殼額定雙極型品體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。本空白詳細規范是與GB/T4589.1—1989《半導體器件分立器件和集成電路總規范》和GB/T12560一1990《半導體器件分立器件分規范》IEC747-11:1985)有關的一系列空白詳細規范中的一個。要求資料下列所要求的各項內容,應列入規定的相應空欄中。詳細規范的識別:(1)授權發布詳細規范的國家標準機構名稱。(2)IECQ詳細規范號。(3)總規范號和分規范號以及年代號(4)詳細規范號、發布日期和國家體系要求的任何更多的資料器件的識別:(5)器件型號(6)典型結構和應用資料。如果設計一種器件滿足若干應用,則應在詳細規范中指出。這些應用的特性、極限值和檢驗要求均應子以滿足。如果器件對靜電敏感或含有害物質,例如氧化鍍,則應在詳細規范中附加注意事項。(7)外形圖和(或)引用有關的外形標準。(8)質量評定類別。(9)能在各器件型號之間比較的最重要特性的
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