標準解讀

《GB/T 6616-1995 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定 非接觸渦流法》相對于《GB 6616-1986》在幾個方面進行了更新和改進。首先，在標準名稱上，新版本增加了“T”，表明其為推薦性國家標準而非強制性標準。這反映了國家對于標準化管理理念的變化，即更多地鼓勵行業采用而非強制執行。

內容層面，《GB/T 6616-1995》對測量方法、適用范圍以及技術要求等方面做了更為詳細的規定。比如，它明確了非接觸渦流法適用于半導體單晶硅圓片電阻率的無損檢測，并且可以用于評估硅薄膜材料的薄層電阻特性。此外，還具體規定了測試設備的要求、樣品準備步驟、環境條件控制等細節，使得整個測試過程更加規范統一。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 6616-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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GB/T 6616-1995半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法_第1頁
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文檔簡介

UDC669.782-415621.317.33H21中華人民共和國國家標準GB/r6616-1995半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductorsiliconorsheetresistanceofsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgage1995-04-18發布1995-12-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層GB/T6616-1995電阻測定非接觸渦流法Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductor代替6616-86siliconorsheetresistanceorsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgage主題內客與適用范圍本標準規定了硅片體電阻率和硅薄膜薄層電阻的非接觸渦流測量方法。本標準適用于測量直徑或邊長大于30mm.厚度為0.1～1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡稱硅片)的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時,襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。桂片體電阻率和硅薄膜薄層電阻測最范圍分別為1.0×10-～2×10°·cm和2～3×10°0/。2方法提要將硅片試樣平插人一對共軸渦流探頭(傳感器)之間的固定間隙內，與振蕩回路相連接的兩個渦流深頭之間的交變磁場在硅片上感應產生渦流。為使高頻振蕩器的電壓保持不變，需要增加激勵電流，而增加的激勵電流值是硅片電導的函數。通過測量澈勵電流的變化即可測得試樣的電導。當試樣厚度已知時，便可計算出試樣的電阻率。式中：0-試樣的電阻率,0·cmniG-試樣的薄層電導，S；2試樣的薄層電阻,0；試樣中心的厚度(測薄膜時厚度取0.0508cm),cm。3測量裝置3.11電學測量裝置3.1.1渦流傳感器組件。由可供硅片插入的具有固定間隙的一對共軸線探頭，放置硅片的支架(需保證硅片與探頭軸線垂直）硅片對中裝置及激勵探頭的高頻振蕩器等組成。傳感器可提供與硅片電導成正比的輸

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