報告人：劉暢組員：王云蘭、朱莉瓊、潘鑫乙酸鍶還原法制備Sr2Si5N8:Eu2+熒光粉Sr2Si5N8:Eu2+熒光粉紅色熒光粉用于光轉換白光LED常用合成方法合成方法優點缺點固相反應法反應物比例可以精確控制需制備前驅體反應溫度較高碳熱還原法反應原料便宜條件簡單碳污染較嚴重自蔓延高溫法產物純度高含氧量小氮化完全

前驅體的制備過程復雜

工業化大規模生產要求：產物純度高原料容易獲得、便宜反應過程簡單條件要求低乙酸鍶還原法反應流程圖結果反應過程原料SrCO3Sr(CH3COO)2Si3N4Eu2O3混合均勻，放入Mo舟中通入氮氣

300℃/min速度升溫到1500-1600℃保溫6小時產物

產物的SEM照片生成長度為5um的棒狀晶體，粒徑分布均勻Sr2Si5N8:Eu2+Sr(CH3COO)2CH4&COSrO&Eu2O3N2單質Si3N4SrNx&EuNx混合生成通入生成分解還原生成反應機理紅外光譜顯示升溫速率為300℃/min時生成了還原性氣體CO和CH4與其他方法比較與碳熱還原法相比，由于反應物主要生成還原氣氛，生成物中碳污染較少合成方法原料溫度特殊要求固相反應法Si(NH)2/Sr,Eu金屬+N2/超臨界1650℃/1300-1400℃燒兩次1400℃保溫24h手套箱，全密閉環境，需制備前驅體碳熱還原法Si3N4Eu2O3C、SrCO3

1200℃保溫再升溫至1500-1550℃兩步升溫自蔓延高溫法Si,Ba,Eu

金屬球經多次融化形成合金錠，再制成合金粉末，N21350-1450℃保溫8h手套箱，全密閉環境，需制備前驅體乙酸鍶還原法SrCO3Sr(CH3COO)2Si3N4Eu2O31500-1600℃保溫6h射頻爐產物的激發譜、發射譜及漫散射光譜激發譜兩個帶（320、460nm）對應Sr的兩個位置在460nm下的發射譜峰值為619nm強度為同等激發波長下YAG的155%外在量子效率61%，相對與YAG的58%和SSR的51%略有提高。制成LED的光譜CIE色譜圖上Sr2Si5N8:Eu2+(2at%)的坐標為(0.638,0.359)用Sr2Si5N8:Eu2+與InGaN芯片和Sr2Si5N8:Eu2+綠粉制成的LED的CRI值為89，CIE坐標為(0.377,0.391)

總結用乙酸鍶還原法得到了Sr2Si5N8:Eu2的純相與其他方法相比產物發射光強度大、量子效率高生成產物粒徑分布均勻原料的價格便宜不需要制備前驅體反應一步完成參考文獻1.X.Q.Piao,K.Machida,T.Horikawa,B.YunJ.Lumin.8(2010)1302.MartinZeuner,PeterJ.Schmidt,andWolfgangSchnick.Chem.Mater.21(2009)

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