ICS31-030

L90

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T55948—2015

代替.

GB/T5594.8—1985

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

性能測(cè)試方法

第8部分顯微結(jié)構(gòu)測(cè)定方法

:

Testmethodsforpropertiesofstructureceramic

usedinelectroniccomponentsanddevice—

Part8Testmethodformicrostructure

:

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

性能測(cè)試方法

第8部分顯微結(jié)構(gòu)測(cè)定方法

:

GB/T5594.8—2015

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20154

*

書號(hào)

:155066·1-51261

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T55948—2015

.

前言

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法分為以下部分

GB/T5594《》:

氣密性測(cè)試方法

———(GB/T5594.1);

楊氏彈性模量泊松比測(cè)試方法

———(GB/T5594.2);

第部分平均線膨脹系數(shù)測(cè)試方法

———3:(GB/T5594.3);

第部分介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法

———4:(GB/T5594.4);

體積電阻率測(cè)試方法

———(GB/T5594.5);

第部分化學(xué)穩(wěn)定性測(cè)試方法

———6:(GB/T5594.6);

第部分透液性測(cè)定方法

———7:(GB/T5594.7);

第部分顯微結(jié)構(gòu)測(cè)定方法

———8:(GB/T5594.8);

電擊穿強(qiáng)度測(cè)試方法

———(GB/T5594.9)。

本部分為的第部分

GB/T55948。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法顯微結(jié)構(gòu)的測(cè)定

GB/T5594.8—1985《》。

本部分與相比主要有下列變化

GB/T5594.8—1985,:

標(biāo)準(zhǔn)名稱改為電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第部分顯微結(jié)構(gòu)測(cè)定方法

———:“8:;

顯微結(jié)構(gòu)定義中增加了晶界相間物質(zhì)空間上的相互排列和組合關(guān)系等

———“3.1”,、、;

樣品的制備中增加了小尺寸樣品可以直接采用單面磨制

———“4”,“,”;

測(cè)試結(jié)果的綜合表示中增加了部分顯微結(jié)構(gòu)照片將晶粒大小放在前面顯微缺陷

———“7”,,。、

氣孔數(shù)量玻璃相等部分放在后面

、;

刪除了氣孔玻璃相含量等級(jí)表示方法見中

———、(GB/T5594.8—19854.2.2、4.3)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

,。

本部分由中華人民共和國信息工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口

。

本部分起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十二研究所中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院江蘇常熟銀

:、、

洋陶瓷器件有限公司

。

本部分主要起草人江樹儒曹易高永泉翟文斌

:、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T5594.8—1985。

Ⅰ

GB/T55948—2015

.

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

性能測(cè)試方法

第8部分顯微結(jié)構(gòu)測(cè)定方法

:

1范圍

的本部分規(guī)定了氧化鋁瓷氧化鈹瓷滑石瓷和鎂橄欖石瓷等電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷顯

GB/T5594、、

微結(jié)構(gòu)的測(cè)定方法

。

本部分適用于氧化鋁瓷氧化鈹瓷滑石瓷和鎂橄欖石瓷等電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的測(cè)定

、、。

本部分只涉及光學(xué)顯微鏡的測(cè)定內(nèi)容和測(cè)定方法

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電子陶瓷名詞

GB/T9530—1988

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T9530—1988。

31

.

顯微結(jié)構(gòu)microstructure

晶相主晶相次晶相玻璃相氣相晶界等的組成形態(tài)大小數(shù)量種類分布均勻度缺陷相

(、)、、、、、、、、、、、

間物質(zhì)等的在空間上的相互排列和組合關(guān)系

。

32

.

晶相crystalphase

在多相系統(tǒng)中由晶體構(gòu)成的部分

。

33

.

氣孔pore

存在于陶瓷體中的小孔與大氣連通的稱開口氣孔封閉的稱閉口氣孔包在晶粒內(nèi)部的稱晶內(nèi)氣

。