標準解讀

《GB/T 5252-1985 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法》是一項國家標準，主要規定了鍺單晶材料中位錯腐蝕坑密度的測定方法。該標準適用于通過化學腐蝕手段，在特定條件下于鍺單晶表面形成與位錯相關的蝕刻坑，并據此來計算單位面積上位錯的數量。

根據標準內容，首先需要準備一定尺寸和形狀的鍺單晶樣品，然后采用適當的清洗劑去除表面污染物。接下來，將處理好的樣品放入預先配制好的腐蝕液中進行腐蝕處理。腐蝕液的選擇及其濃度、溫度等條件對于正確顯示位錯至關重要。完成腐蝕后，需使用顯微鏡觀察樣品表面形成的蝕刻坑形態特征，并統計單位面積內的蝕刻坑數量。最后，基于所獲得的數據，可以計算出鍺單晶中的位錯密度。

此過程中需要注意的是，實驗操作時應嚴格控制各種參數如時間、溫度以及溶液成分等，以確保結果準確可靠。此外，還應對儀器設備定期校準維護，保證測量精度。通過遵循本標準規定的步驟執行測試，能夠有效評估鍺單晶材料內部缺陷情況，為后續應用提供重要參考依據。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 5252-2006
  • 1985-07-22 頒布
  • 1986-07-01 實施
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文檔簡介

UDC669.783621.315.592620.193中華人民共和國國家標準GB5252—85錯單晶位錯腐蝕坑密度測量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity1985-07-22發布1986-07-01實施：標國家批準

中華人民共和國國家標準UDC669.783：621.315.592錯單晶位錯腐蝕坑密度：620.193GB5252-85測量方法Germaniummonocrystal-nspectlonordislocationetchpitdenslty本標準適用于位錯密度0～100.000cm～的N型和P型鉻單晶棒或片的位錯密度或其他缺陷的測量。觀察面為（111）、（100）和（113）面。1定義1.1位錯單晶中,部分原子受應力的作用產生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線為位錯線，簡稱位錯。1.2位錯密度單單位體積內位錯線的總長度稱為位錯密度（cm/cm'）。本標準指單位表面上位錯腹蝕坑的數目（個/cm）。1.3位錯堆某區域的位錯密度高于該斷面其他區域的平均位錯密度五倍以上，且其面積大于視場面積五倍以上，則稱此區域為位錯堆（圖1）。1.4平底坑，這里稱平底坑。單晶經化學腐蝕后，除位錯腐蝕坑外，還有一些淺坑，它可能是由于空位或晶體的夾雜（如SiO.）等因素所致（圖2)。1.5小角度晶界單晶中取向差很小的小晶粒的交界面稱為小角度晶界。要求1mm長度內位錯腐蝕坑在15個以上，且長度在1.5mm以上。（1I1）面上的位錯腐蝕坑呈現一系列以角頂著底邊的排列形式（圖3）。1.6滑移線（位錯排）由于沿著滑移面滑移，在晶體表面形成的線稱滑移線或位錯排。要求1mm長度內位錯腐蝕坑在15個以上，且長度在1.5mm以上。（111）面的滑移線，位錯腐蝕坑按（110〉方向排列成行，每一腐蝕坑的底邊都在同一條直線上（圖4）。1.7星形結構由許多位錯腐蝕坑在宏觀上排列成三角形或六角形的星形結構（圖5）。1.8夾雜晶體中存在異質顆粒。2原理采用擇優化學腐蝕法顯示位錯腐蝕坑，其原理是基于位錯周圍的晶格發生畸變，在晶體表面的露頭處，對某些化學腐蝕劑反應速度較快，結果形成具有某種特定形狀的腐蝕坑。于是用單位面積上

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