ICS07030

Q65.

中華人民共和國國家標準

GB/T39123—2020

X射線和γ射線探測器用碲鋅鎘單晶

材料規范

Specificationforcadmium-zinctelluridesinglecrystalmaterialforX-rayand

γ-raydetector

2020-10-11發布2021-09-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T39123—2020

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

要求

4………………………2

測試方法

5…………………2

檢驗規則

6…………………6

包裝標識運輸和貯存

7、、…………………8

說明事項

8…………………8

Ⅰ

GB/T39123—2020

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中國建筑材料聯合會提出

。

本標準由全國人工晶體標準化技術委員會歸口

(SAC/TC461)。

本標準起草單位西北工業大學陜西迪泰克新材料有限公司上海大學

:、、。

本標準主要起草人介萬奇谷智徐亞東查鋼強王濤湯三奇魏登科閔嘉華張繼軍

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T39123—2020

X射線和γ射線探測器用碲鋅鎘單晶

材料規范

1范圍

本標準規定了射線和射線探測器用碲鋅鎘單晶材料的技術要求質量保證規定和交貨準備

Xγ、。

本標準適用于射線和射線探測器用碲鋅鎘單晶材料

Xγ。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

半導體材料術語

GB/T14264

高分辯率射線衍射測量襯底生長的中成分的試驗方法

GB/T24576XGaAsAlGaAsAl

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

氮化鎵單晶襯底片射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法

GB/T32188X

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

碲鋅鎘單晶cadmiumzinctelluridesinglecrystal

閃鋅礦結構的固溶體合金可以視為碲化鎘和碲化鋅固溶而成其分子式為

,(CdTe)(ZnTe);

xxx屬于點群空間群

Cd1-ZnTe(0<<1),43m,F43m。

注隨著組元的含量x的變化其點陣常數也隨之變化主要用于室溫射線和射線探測器以及碲鎘汞薄

:Zn,;Xγ,

膜的外延襯底

。

32

.

組分x值compositionx

碲鋅鎘單晶中組元的含量可以視為碲化鋅與碲鋅鎘的摩爾比

Zn,(ZnTe)(CdZnTe)。

33

.

微沉淀相micro-precipitates

受溫度場分布和分凝效應影響碲鋅鎘晶體生長過程中可能形成鎘和碲的顆粒狀微沉淀相其直徑

,,

不大于對晶體質量存在較大的影響

100μm,。