ICS17180

G10.

中華人民共和國國家標準

GB/T37131—2018

納米技術半導體納米粉體材料

紫外-可見漫反射光譜的測試方法

Nanotechnologies—Testmethodofsemiconductornanopowderusing

UV-Visdiffusereflectancespectroscopy

2018-12-28發布2018-12-28實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T37131—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

方法原理

4…………………2

儀器

5………………………3

紫外可見分光光度計

5.1-………………3

積分球

5.2………………3

樣品池

5.3………………4

參比白板

5.4……………4

儀器校準

5.5……………4

樣品制備

6…………………4

測試方法

7…………………4

測試條件

7.1……………4

測試步驟

7.2……………4

主要影響因素

7.3………………………5

數據處理與結果分析

8……………………5

測試報告

9…………………5

附錄資料性附錄金紅石型納米氧化鈦帶隙寬度值的計算

A()………6

附錄資料性附錄操作參數對納米氧化鋅紫外可見漫反射光譜的影響

B()-…………8

附錄資料性附錄測試報告

C()…………11

參考文獻

……………………12

Ⅰ

GB/T37131—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由中國科學院提出

。

本標準由全國納米技術標準化技術委員會歸口

(SAC/TC279)。

本標準起草單位國家納米科學中心北京為康環保科技有限公司廣州特種承壓設備檢測研究院

:、、、

北京市理化分析測試中心北京科技大學北京粉體技術協會

、、。

本標準主要起草人樸玲鈺吳志嬌曹文斌楊麟高峽常懷秋劉文秀尹宗杰高原

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T37131—2018

引言

與傳統的半導體材料相比半導體納米粉體材料呈現出特殊的光學和電學性質具有優異的光電轉

,,

化特性在新能源制備環境保護化工醫藥航空和軍事等領域均得到廣泛應用

,、、、、。

紫外可見漫反射光譜是研究半導體納米粉體材料光學性質的重要表征手段可用于帶隙色差分

-,、

析表面吸附粉體之間的反應以及其他一些重要性質的研究在半導體納米粉體材料的紫外可見漫

,、,。-

反射光譜中特征漫反射峰位置與其帶隙直接相關帶隙是半導體納米粉體材料非常重要的物理特性

,。,

直接影響材料的光學性質與應用領域及范圍結合紫外可見漫反射光譜與庫貝爾卡蒙克

。--(Kubelka~

方程可計算半導體納米粉體材料的帶隙為滿足我國科研與生產部門的需求需要對該測試方

Munk)。,

法進行規范與標準化

。

Ⅳ

GB/T37131—2018

納米技術半導體納米粉體材料

紫外-可見漫反射光譜的測試方法

1范圍

本標準規定了半導體納米粉體材料的紫外可見漫反射光譜測試方法

-。

本標準適用于不透光半導體納米粉體材料漫反射光譜的測試

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

反射率測定儀校準規范

JJF1232

紫外可見近紅外分光光度計檢定規程

JJG178、、

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

半導體semiconductor

電阻率介于導體與絕緣體之間其范圍為-310的一種固體物質電流是由帶

,10Ω·cm~10Ω·cm。

正電的空穴和帶負電的電子的定向傳輸實現的

。

定義

[GB/T14264—2009,3.218]

32

.

納米粉體nanopowder

離散納米顆粒的集合體

。

注改寫自定義

:GB/T19619—2004,3.2.1.1。

33

.

漫反射diffuseref