光電綜合設計任課教師：黃衍堂1034963930@選題1、光纖傳感技術：半導體吸收型光纖溫度傳感器2、光電法外形尺寸檢測：光電掃描檢測法，CCD自掃描檢測法。3、位移量檢測：激光干涉位移檢測，光柵線位移檢測、光柵角位移檢測、激光測距4、外觀檢測：基于面陣CCD成像的表面粗糙度檢測、內表面疵病檢測，形狀檢測。5、光電溫度檢測技術，6、光電圖像檢測、紅外診斷與紅外熱成像技術，紅外檢測網絡與物聯網技術7、紅外傳感與檢測技術8、通過雙光柵激光衍射，實現微振動位移、頻率的測量9、激光位頻實驗10、M-Z光纖干涉儀及光纖傳感實驗11、采用光纖測溫技術，實現聚光太陽能技術中GaAs芯片溫度分布的實時測量及芯片的保護裝置設計；12、采用熒光壽命光纖測溫技術實現軌道變壓器繞組溫度的測量；13、電力開關柜的無線測溫方案；14、采用熒光壽命的光纖測溫技術，實現油浸變壓器繞組溫度的實時測量；15、長距激光測距儀。16、光學電流互感器技術17、光學電壓互感器技術8、光電傳感技術在石油與化工行業的應用：分布式光纖溫度和壓傳感器，井下油氣水光譜分析儀。9、光電傳感技術在生物、醫院、生化領域的應用：光纖體壓計、光纖血流計，液芯光纖溫度傳感器10、光電傳感器在環境保護與監測中的應用：氣體傳感技術及其應用，光纖熒光氣體傳感

2.半導體激光發散角的測定側橫場發散角例如,不同激勵電流下正橫場發散角的變化3.半導體激光器偏振度的測量偏振片I∥=60uW例如,由P=（I∥-I⊥）/（I∥+I⊥）計算可得偏振度為94.5%I⊥=1.7uW4.半導體激光器的光譜特性測試（1）調節激光器前面的準直透鏡，使激光束在光學多道分析儀的入射狹縫附近會聚，然后調節激光器的水平方位、高低和仰俯，使激光束平行于光學平臺的臺面，且使激光束從入射狹縫的中心位置附近射入光譜儀。（2）觀察電流較小時半導體激光器的自發輻射光譜。（3）觀察電流較大時半導體激光器的激光光譜，并測量線寬。He-Ne激光器模式分析實驗共焦球面掃描干涉儀的基本工作原理

當L改變λ/4，則干涉儀改變一個干涉級，我們定義相鄰兩個干涉級之間所允許透射光的頻差為干涉儀的自由光譜范圍：由于反射鏡的反射率相當高，注入腔內的光束將在腔內多次反射形成多光束，從多光束干涉的角度來看，入射光束中那些滿足干涉相長條件的光譜成分才能透過干涉儀。當光束正入射時，干涉相長的條件為：不同橫模間的頻率差

相鄰兩個縱模的頻率間隔由光學諧振腔理論可知，穩定腔的輸出頻率為：

縱模、橫模的分布

K序K+1序常見的橫模光斑圖

半導體泵浦激光原理實驗半導體泵浦固體激光器結構圖

808nmLD:輸出波長808nmNd:YVO4晶體:尺寸3*3*1mm

輸出波長1064nmKTP倍頻晶體:尺寸2*2*5mm

輸出波長5324nm輸出鏡:R=50mm

對808nm,1064nm高反對532nm增透儀器參數半導體激光泵浦固體激光器原理圖(端泵浦方式)光路調節過程1．將808nmLD固定在二維調節架上，將He-Ne632.8nm紅光通過白屏小孔聚到折射率梯度透鏡上。讓He-Ne632.8nm光和小孔及808nmLD在同一軸線上。2．將安裝了Nd:YVO4晶體的二維調節架放上，將He-Ne光通過晶體并將返回的光點通過小孔。3．在Nd:YVO4晶體和輸出鏡之間插入KTP倍頻晶體，將He-Ne

光通過晶體并將返回的光點通過小孔。調節固定在四維調節架上的輸出鏡使返回的光點通過小孔。對于有一定曲率的輸出鏡，會有幾個光斑，應區分出從球心返回的光斑。5．接通電源，調節多圈電位器(200-400mA),調節輸出鏡，LD

調節架。優化光路,獲得532nm倍頻綠激光。注意事項1．實驗中激光器輸出的光能量高、功率密度大，應避免直射到眼睛。特別是532nm綠光，切勿用眼睛直視激光器的軸向輸出光束，以免視網膜受到永久性的傷害。2．避免用手接觸激光器的輸出鏡，晶體的鍍膜面。激光器應注意開關步驟，先檢查多圈電位器是否處于最小處，再打開電源開關，逐步調整電位器，使電流逐漸增大，激光器出光。實驗完成后，調整電位器，直到電流為零，再關閉電源。4.功率計量程設置在200mW檔。實驗項目

調節光路，獲得532nm倍頻激光。