11，旋轉磁場的產生：三相定子繞組在空間相差1200，通以三相電流時間上差1200電角度。三相電流合成磁場隨時間變化，在空間形成旋轉磁場。12，旋轉磁場的旋轉方向取決于三相電流的相序，任意調換兩根電源進線，則旋轉磁場反轉。旋轉磁場轉速n0與頻率f1和極對數p有關。13，一臺三相異步電動機，其額定轉速

n=735r/min，電源頻率f1=50Hz。試求電動機的極對數和額定負載下的轉差率。

14，在N型半導體中多數載流子是（

），少數載流子是（

）。在P型半導體中多數載流子是（

），少數載流子是（

）。15，PN結加正向電壓時，PN結（

），正向電流較大，正向電阻較小，PN結處于（

）狀態(tài)；PN結加反向電壓時，PN結（

），反向電流較小，反向電阻較大，PN結處于（

）狀態(tài)。（A）不變（B）導通（C）變寬（D）截止（E）變窄

16，有兩個晶體管分別接在電路中，它們管腳的電位(對“地”)分別見下表：晶體管I晶體管Ⅱ試判別管子的三個管腳，并說明是硅管還是鍺管?是NPN型還是PNP型?管腳123電位/V43.49管腳123電位/V-6-2.3-2

19，請簡述親身經歷的或通過傳媒知道的觸電事故，說明產生觸電事故的原因。請簡述用電安全，事故防范的措施。18，回答：中性點接地系統中

(1)不允許采用保護接地，只能采用保護接零；

(2)不準保護接地和保護接零同時使用。17，我國常用36V、24V為安全供電電壓，這樣流過人體的電流小于50mA。over儀表及自動化

Thankyou!

4.4晶閘管（Silicon

ControlledRectifier）

晶閘管是在晶體管基礎上發(fā)展起來的一種大功率半導體器件。它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。

晶閘管也像半導體二極管那樣具有單向導電性，但它的導通時間是可控的，主要用于整流、逆變、調壓及開關等方面。優(yōu)點：

體積小、重量輕、效率高、動作迅速、維修簡單、操作方便、壽命長、容量大（正向平均電流達千安、正向耐壓達數千伏）。G控制極4.4.1基本結構K陰極G陽極

AP1P2N1N2四層半導體

晶閘管是具有三個PN結的四層結構,其外形、結構及符號如圖。(c)結構KGA(b)符號(a)外形晶閘管的外形、結構及符號三個

PN

結P1P2N1N2K

GA晶閘管相當于PNP和NPN型兩個晶體管的組合+KA

T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGKT1T24.4.2工作原理A

在極短時間內使兩個三極管均飽和導通，此過程稱觸發(fā)導通。形成正反饋過程KGEA>0、EG>0EGEA+_R

晶閘管導通后，去掉EG

，依靠正反饋，仍可維持導通狀態(tài)。4.4.2

工作原理GEA>0、EG>0KEA+_RT1T2EGA形成正反饋過程晶閘管導通的條件：1.晶閘管陽極電路(陽極與陰極之間)施加正向電壓。

2.晶閘管控制電路(控制極與陰極之間)加正向電壓或正向脈沖(正向觸發(fā)電壓)。

晶閘管導通后，控制極便失去作用。

依靠正反饋，晶閘管仍可維持導通狀態(tài)。晶閘管關斷的條件：

1.必須使可控硅陽極電流減小,直到正反饋效應不能維持。

2.將陽極電源斷開或者在晶閘管的陽極和陰極間加反相電壓。正向特性反向特性URRMUFRMIG2>IG1>IG0UBRIFUBO正向轉折電壓IHoUIIG0IG1IG2+_+_反向轉折電壓正向平均電流維持電流U4.4.3伏安特性4.4.4主要參數UFRM:正向重復峰值電壓（晶閘管耐壓值）晶閘管控制極開路且正向阻斷情況下,允許重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。一般取UFRM

=80%UB0

。普通晶閘管UFRM

為100V—3000V反向重復峰值電壓控制極開路時,允許重復作用在晶閘管元件上的反向峰值電壓。一般取URRM

=80%UBR

普通晶閘管URRM為100V—3000VURRM：正向平均電流環(huán)境溫度為40C及標準散熱條件下，晶閘管處于全導通時可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。

IF：IFt2如果正弦半波電流的最大值為Im,則普通晶閘管IF為1A—1000A。UF:

通態(tài)平均電壓（管壓降）在規(guī)定的條件下，通過正弦半波平均電流時，晶閘管陽、陰極間的電壓平均值。一般為1V左右。IH:

維持電流在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時，晶閘管維持導通狀態(tài)所必須的最小電流。一般IH為幾十~一百多毫安。UG、IG：控制極觸發(fā)電壓和電流室溫下，陽極電壓為直流6V時，使晶閘管完全導通所必須的最小控制極直流電壓、電流。一般UG為1到5V，IG為幾十到幾百毫安。晶閘管型號及其含義導通時平均電壓組別共九級,用字母A~I表示0.4~1.2V額定電壓,用百位或千位數表示取UFRM或URRM較小者額定正向平均電流(IF)（晶閘管類型）P--普通晶閘管K--快速晶閘管S--雙向晶閘管

晶閘管KP普通型如KP5-7表示額定正向平均電流為5A,額定電壓為700V。4.4.2

可控整流電路4.2.2.1單相半波可控整流

1.電阻性負載(1)

電路

u

>0時：若ug=0，晶閘管不導通，u

<0時:

晶閘管承受反向電壓不導通,

uo=0,uT=u，故稱可控整流。控制極加觸發(fā)信號，晶閘管承受正向電壓導通，uuoRL+–+uT+––Tio(2)工作原理t12u

<

0時:

可控硅承受反向電壓不導通即：晶閘管反向阻斷

加觸發(fā)信號，晶閘管承受正向電壓導通tOu

>0時:tOtO

接電阻負載時單相半波可控整流電路電壓、電流波形控制角t1tOtOt22tO導通角(3)工作波形(4)整流輸出電壓及電流的平均值由公式可知：改變控制角，可改變輸出電壓Uo。2.電感性負載與續(xù)流二極管(1)電路

當電壓u過零后，由于電感反電動勢的存在，晶閘管在一段時間內仍維持導通，失去單向導電作用。uuoR+–+uT+––T?LeL?

在電感性負載中,當晶閘管剛觸發(fā)導通時，電感元件上產生阻礙電流變化的感應電勢(極性如圖)，電流不能躍變，將由零逐漸上升(見波形)。tOtOtOt1tOt22

2)工作波形(未加續(xù)流二極管)uuoR+–+uT+––LTioDiou>0時：

D反向截止，不影響整流電路工作。u

<0時：

D正向導通,晶閘管承受反向電壓關斷,電感元件L釋放能量形成的電流經D構成回路(續(xù)流),負載電壓uo波形與電阻性負載相同(見波形圖)。3.電感性負載(加續(xù)流二極管)+–(1)電路(3)工作波形(加續(xù)流二極管)iLttOtO2tO4.4.2.2單相半控橋式整流電路1.

電路2.

工作原理T1和D2承受正向電壓。T1控制極加觸發(fā)電壓,則T1和D2導通，電流的通路為T1、T2晶閘管D1、D2晶體管aRLD2T1b(1)電壓u

為正半周時io+–+–T1T2RLuoD1D2au+–b此時，T2和D1均承受反向電壓而截止。io+–+–T1T2RLuoD1D2au+–b

T2和D1承受正向電壓。T2控制極加觸發(fā)電壓,則T2和D1導通，電流的通路為(2)電壓u

為負半周時bRLD1T2a此時，T1和D2均承受反向電壓而截止。ttOtO3.工作波形2tO4.輸出電壓及電