標準解讀

《GB/T 29508-2013 300 mm硅單晶切割片和磨削片》是中國國家標準之一，該標準規定了直徑為300毫米（約12英寸）的硅單晶切割片與磨削片的技術要求、試驗方法、檢驗規則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的內容。適用于半導體器件制造用的大尺寸硅片生產。

根據此標準，硅片需要滿足特定的幾何尺寸公差，包括但不限于厚度、總厚度變化量(TTV)、彎曲度、翹曲度等指標。此外，對于表面質量也有明確要求，比如表面粗糙度、微缺陷密度等，這些參數直接影響到后續加工工藝及最終產品的性能表現。

在電氣性能方面，《GB/T 29508-2013》還對電阻率范圍進行了規定，并且針對不同應用場景給出了推薦值；同時，也涵蓋了少數載流子壽命等相關電學特性測試項目及其合格標準。

對于材料純度而言，該文件詳細列出了允許存在的雜質元素種類及其最大濃度限制，以確保硅片具備良好的化學穩定性和物理一致性。

最后，在成品出廠前需經過嚴格的抽樣檢測流程，只有當所有抽檢樣品均符合上述各項技術規范時，方可進行批量生產和銷售。同時，產品還需附帶清晰的產品標識信息，包括制造商名稱、地址、規格型號、生產日期或批號等內容，并采取適當措施防止運輸過程中發生損壞。


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  • 現行
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  • 2013-05-09 頒布
  • 2014-02-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T29508—2013

300mm硅單晶切割片和磨削片

300mmmonocrystallinesiliconascutslicesandgrindedslices

2013-05-09發布2014-02-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T29508—2013

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司中國有色金屬工業標準計量質量研究所

:、。

本標準主要起草人閆志瑞孫燕盛方毓盧立延張果虎向磊

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T29508—2013

300mm硅單晶切割片和磨削片

1范圍

本標準規定了直徑型晶向電阻率的硅單晶切割片和

300mm、p、<100>、0.5Ω·cm~20Ω·cm

磨削片簡稱硅片產品的術語和定義技術要求試驗方法檢驗規則以及標志包裝運輸貯存等

()、、、、、、。

本標準適用于直徑直拉單晶經切割磨削制備的圓形硅片產品將進一步加工成拋光片

300mm、,,

用于制作集成電路用線寬技術需求的襯底片

IC90nm。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測試方法

GB/T11073

硅片參考面結晶學取向射線測量方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術語

GB/T14264

硅片切口尺寸測試方法

GB/T26067

硅單晶

GB/T29504300mm

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

硅片邊緣輪廓檢驗方法

YS/T26

硅片翹曲度的無接觸自動掃描測試方法

SEMIMF1390

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4技術要求

41物理性能參數

.

硅片的導電類型電阻率及徑向電阻率變化間隙氧含量代位碳含量應符合的規定

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