ICS31.200295中華人民共和國國家標準GB/T16524--1996光掩模對準標記規范Specificationforregistrationmarksforphotomasks1996-09-09發布1997-05-01實施國家技術監督局發布

GB/T16524-1996本標準等效采用SEMI標準《微型構圖》部分中的SEMIP6-88《光掩模對準標記規范》Specifica-tionforregistrationmarksforphotomasks）。本標準與已經轉化為我國標準的SEMIP1一92《硬面光掩模基板》(GB/T15871一1995)、SEMIP2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》(GB/T15870—1995)、SEMIP4-92《圓形石英玻璃光掩模基板規范》(GB/T16523-1996)、SEMIP3-90《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子抗蝕劑規范》GB/T16527-1996),以及將要轉化為我國標準的SEMIP21-92《掩模曦光系統精確度表示準則》、SEMIP22—93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的指南》、SEMIP19-92《用于集成電路制造技術的檢測圖形單元規范》等項標準形成一個微型構圖標準系列制定本標準將使我國半導體集成電路光掩模對準標記的設計和制造規范化，有利于我國半導體工業生產和科研，便于與國際半導體集成電路制造業接軌，亦有利于國際間工業技術交流、本標準的格式和結構按國標GB/T1.1一1993的規定編制。本標準由中華人民共和國電子工業部提出。本標準由電子工業部標準化研究所歸口。本標準起草單位：中國科學院微電子中心，本標準主要起草人：陳寶欽、陳森錦、陳福山、馮朝斌

中華人民共和國國家標準cB/T16524-1996光掩模對準標記規范Specificationforregistrationmarksforphotomasks范臣本規范規定了所有光掩模上使用的對準標記的形狀、尺寸范圍和一般位置本規范適用于光掩模。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時,所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。SJ/T10152—91集成電路主要工藝設備術語SJ/T10584-94微電子學光掩蔽技術術語3定義規范中所用術語的定義按SJ/T10152、SJ/T10584的規定。要求4.1一般要求4.1.1對準標記的完整規范應由電路設計者、掩模制造者和掩模使用者協商確定。4.1.2規范規定制作在光掩模上的一種特定標記，用以確定同-一套光掩模內，一塊光掩模對另一塊光掩模的相對位置精度。4.1.3對準標記不是預定用于確定光刻機上光掩模在同一品片上的圖像層對任何后續圖像層的套準精度。4.2對準標記的形狀及尺寸4.2.1標記形狀應呈十字形，見圖1。4.2.2標記中水平線和垂直線交疊處所構成的區域應定為“利用區”。在該區域內，設計者、拖模制造者和掩模使用者可以設置任何幾何圖形。但"利用區"內所設定的幾何圖形不得超過交疊區界線，見圖2。4.2.3標記水平線和垂直線的寬度(W)應相等，4.2.4標記水平線和垂直線的長度(L)應相等。4.2.5標記水平線、垂直線的寬度和長度可以因設計規則、倍率、工藝要求而