標準解讀

《GB/T 15870-1995 硬面光掩模用鉻薄膜》這一標準詳細規定了硬面光掩模行業中使用的鉻薄膜的各項技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和儲存要求。然而，您提供的對比標準信息不完整，我無法直接指出與某一特定標準相比的具體變更內容。但可以說明一般情況下，當一個標準更新或與另一個標準相對比時，可能涉及的變更點通常包括：

  1. 技術指標調整：新標準可能會對鉻薄膜的厚度、純度、均勻性、附著力等關鍵性能指標提出更嚴格或不同的要求，以適應技術進步或行業需求變化。

  2. 測試方法改進：隨著檢測技術和分析手段的發展，新標準可能會引入新的測試方法，以提高測量精度或便利性，例如采用更先進的光譜分析技術來評估薄膜質量。

  3. 環保與安全要求：考慮到環境保護和生產安全的日益重視，新標準可能會增加對生產過程中污染物排放、有害物質限制等方面的規定。

  4. 包裝、運輸和儲存規范更新：為確保產品在流通環節中的品質穩定，新標準可能會對包裝材料、標識要求、運輸條件及儲存環境提出新的或更為具體的要求。

  5. 術語和定義的統一：為了與國際標準或行業共識保持一致，新標準可能會對相關術語進行修訂或新增，以提升標準的通用性和互操作性。

  6. 質量管理與認證體系：隨著質量管理理念的演進，新標準可能會融入更系統的質量控制要求，或者對接國際認可的質量管理體系標準。

由于缺乏具體的對比標準，以上僅為一般性說明，實際的變更內容需要依據完整的標準文檔進行詳細比對才能確定。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 1995-12-22 頒布
  • 1996-08-01 實施
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文檔簡介

中華人民共和國國家標準GB/T15870--1995硬面光掩模用鉻薄膜Chromethinfilmsforhardsurfacephotomasks1995-12-22發布1996-08-01實施國家技術監督局發布

GB/T15870-1995本標準非等效采用SEMI標準Semip2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》。本標準第4章“要求”中4.6按Semip2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》制定，其余均按我國國情制定。本標準對國家標準GB7237—87(鉻版》中3.2的內容進行補充。與GB7237中3.2的重要技術改變之處為：增加磁濺射方法制作的鉻膜有關技術指標。本標準由中華人民共和國電子工業部提出本標準由電子工業部標準化研究所歸口。本標準起草單位：長沙韶光微電子總公司、電子工業部標準化研究所。本標準主要起草人：吳保華、王亦林、趙雨生、談仁良

中華人民共和國國家標準GB/T15870-1995硬面光撞模用鉻薄膜1范圍本標準規定了硬面光掩模用鉻薄膜的要求、試驗方法、檢驗規則等內容本標準適用于硬面光掩模用鉻薄膜(以下簡稱鉻薄膜)2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標淮的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。GB191一90包裝儲運圖示標志GB2828—87逐批檢查計數抽樣程序及抽樣表(適用于連續批的檢查)GB2829—87周期檢查計數抽樣程序及抽樣表(適用于生產過程穩定性的檢查》GB7239—87鉻版鉻膜和膠膜厚度的測試方法GB7240—87格版鉻膜表面反射率的測試方法GB7241—87鉻版光密度的測試方法GB/T15871—1995硬面光掩模基板SJ/T10584—94微電子學光掩蔽技術術語3定義本標準采用SJ/T10584中的定義。4要求4.11鉻薄膜光密度a）鉻薄膜的光密度為2.5士0.3(白光);b）特殊要求，由供需雙方商定。4.2鉻薄膜厚度a）真空蒸發成膜的低反射率(LRC)鉻膜厚度為145nm±15nm;b）磁控灘射成膜的低反射率(SLRC)鉻膜厚度為95nm±10nm;)特殊要求，由供需雙方商定。4.3鉻薄膜反射率a）高反射：R>40%;b）中等反射：15%<R<40%；c）低反

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