標準解讀

《GB/T 1553-1997 硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法》這一標準相比于之前的《GB 1553-1979》與《GB 5257-1985》，主要在以下幾個方面進行了調整和完善：

  1. 標準名稱及范圍：新標準明確了其適用對象為硅和鍺材料中的少數載流子壽命測定，并指定了采用光電導衰減法進行測量，這相比舊標準可能存在的范圍描述不明確或測試方法未特別強調的情況，提供了更清晰的指導。

  2. 技術內容更新：《GB/T 1553-1997》根據科技進步和行業實踐，對測量原理、儀器設備要求、測試條件、數據處理方法等方面進行了詳細規定和優化。例如，可能引入了更精確的測量技術和計算模型，以提高測試結果的準確性和可重復性。

  3. 精度和誤差要求：新標準可能對測量精度和允許誤差范圍進行了重新定義，以反映技術進步帶來的測量能力提升，確保測試結果更加可靠，滿足更高標準的應用需求。

  4. 試驗方法標準化：詳細規范了樣品制備、測試步驟、環境控制等具體操作流程，提高了實驗方法的標準化程度，有助于減少因操作差異導致的測試結果偏差。

  5. 質量控制與校準：增加了對測試設備的校準要求和質量控制措施，確保測試系統的穩定性和可靠性，這是之前標準可能未充分覆蓋的領域。

  6. 術語和定義：根據技術發展，對相關專業術語進行了更新和明確界定，便于讀者理解和執行標準時的一致性。

  7. 參考文獻與國際接軌：新標準可能引用了更多最新的國內外研究成果和國際標準，增強了標準的科學性和國際兼容性。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 1553-2009
  • 1997-06-03 頒布
  • 1997-12-01 實施
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文檔簡介

ICS77.040.01百21中華人民共和國國家標準GB/T1553—1997硅和錯體內少數載流子壽命測定光電導衰減法Standardtestmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconductivitydecay1997-06-03發布1997-12-01實施國家技術監督局發布

GB/T1553-1997前本標準等效采用美國試驗與材料協會ASTMF28—90《光電導衰減法測量錯和硅體內少數載流子壽命的標準測試方法》,結合我國的實際情況，對GB1553—79、GB5257—85進行修訂而成的。本標準起草時,刪去了F28—90中"有害說明"及"關鍵詞"章節,刪減了“意義和用途"中的5.1～5.2條內容，合并了“方法A"和"方法B”。考虐到實際應用的需要，本標準把GB1553—79的附錄A《硅單品中少數載流子壽命測定高高頻光電導衰減法》非仲裁測量方法作為標準的附錄放在附錄八中。本標準從1997年12月1日起實施。本標準從生效之日起，同時代替GB1553—79、GB5257-85。本標準的附錄A是標準的附錄。本標準由中國有色金屬工業總公司提出本標準由中國有色金屬工業總公司標準計量研究所歸口。本標準起草單位：峨嵋半導體材料廠、中國有色金屬工業總公司標準計量研究所、本標準主要起草人：吳道榮、劉文魁、尹建華、吳福立。

中華人民共和國國家標準硅和錯體內少數載流子壽命測定CB/T1553-1997光電導衰減法-85StandardtestmethodsforminoritycarrierIifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconduetivitydecay1范圍1.1本標準規定了硅和錯單品體內少數載流子壽命的測量方法、本本標準適用于非本征硅和錯單品體內載流子復合過程中非平衡少數載流子壽命的測量。1.2本標準包括兩種測試方法、1.2.1方法A一脈沖光方法，適用于錯和硅1.2.2方法B——一折切光方法，僅適用于電阻率不小于1Q·cm的硅試樣1.3兩種方法都不破壞試樣的內在特性，試樣可以重復測試，但要求試樣具有特殊的條形尺寸（見表1)和研磨的表面，一般不宜作其他用途。1.4本標準可測的最低壽命值取決于光源的余輝，而可測的最高壽命值主要取決于試樣尺寸（見表2）表1推薦的三種試樣尺寸mm寬度美型長度厚度2.515.02.5AB25.05.0c25.010.010.0表2武樣體壽命可測的最大值re材料類型A類型B類型C12632350型硅13001000n型硅38002引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標淮的條文。本標淮出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。GB/T1550—1997非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1551—1995

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