ICS7712010

H12..

中華人民共和國國家標準

GB/T148495—2014

代替.

GB/T14849.5—2010

工業硅化學分析方法

第5部分雜質元素含量的測定

:

X射線熒光光譜法

Methodsforchemicalanalysisofsiliconmetal—

Part5Determinationofimuritcontents—

:py

X-rayfluorescencemethod

2014-12-05發布2015-05-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T148495—2014

.

前言

工業硅化學分析方法分為個部分

GB/T14849《》9:

第部分鐵含量的測定二氮雜菲分光光度法

———1:1,10-;

第部分鋁含量的測定鉻天青分光光度法

———2:-S;

第部分鈣含量的測定火焰原子吸收光譜法偶氮氯膦分光光度法

———3:、Ⅰ;

第部分雜質元素含量的測定電感耦合等離子體原子發射光譜

———4:;

第部分雜質元素含量的測定射線熒光光譜法

———5:X;

第部分碳含量的測定紅外吸收法

———6:;

第部分磷含量的測定鉬藍分光光度法

———7:;

第部分銅含量的測定分光光度法

———8:PADAP;

第部分鈦含量的測定二安替比林甲烷分光光度法

———9:。

本部分為的第部分

GB/T148495。

本部分按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替工業硅化學分析方法第部分元素含量的測定射線熒

GB/T14849.5—2010《5:X

光光譜法

》。

本部分與相比主要有如下變動

GB/T14849.5—2010,:

增加了規范性引用文件

———;

增加了錳鎳鈦銅磷鎂鉻釩鈷的檢測

———、、、、、、、、;

樣品應破碎通過篩改為應能通過標準篩

———0.074mm,0.149mm;

將粘結劑硼酸改為淀粉或硼酸

———;

將試料中壓片壓力保壓時間改為壓力下保壓

———20kN,20s,30t30s;

補充了重復性限及再現性限增加了試驗報告

———,。

本部分由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本部分負責起草單位昆明冶金研究院中國鋁業股份有限公司山東分公司云南永昌硅業股份有

:、、

限公司

。

本部分參加起草單位中國鋁業股份有限公司鄭州研究院通標標準技術服務有限公司包頭鋁業

:、、

有限公司藍星硅材料有限公司昆明冶研新材料股份有限公司云南出入境檢驗檢疫局

、、、。

本部分主要起草人劉英波趙德平楊海岸周杰楊毅張愛玲胡智弢張曉平劉漢士劉維理

:、、、、、、、、、、

馬啟坤唐飛白萬里王宏磊常智杰聶恒聲金波王云舟

、、、、、、、。

本部分所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T14849.5—2010。

Ⅰ

GB/T148495—2014

.

工業硅化學分析方法

第5部分雜質元素含量的測定

:

X射線熒光光譜法

1范圍

的本部分規定了工業硅中鐵鋁鈣錳鎳鈦銅磷鎂鉻釩鈷含量的測定方法

GB/T14849、、、、、、、、、、、。

本部分適用于工業硅中鐵鋁鈣錳鎳鈦銅磷鎂鉻釩鈷含量的測定測定范圍見表

、、、、、、、、、、、,1。

表1

元素質量分數元素質量分數

/%/%

鐵銅

0.020~1.5000.001~0.050

鋁磷

0.050~1.0000.001~0.050

鈣鎂

0.010~1.0000.001~0.050

錳鉻

0.0050~0.10000.001~0.050

鎳釩

0.0010~0.10000.0005~0.0500

鈦鈷

0.0050~0.10000.0005~0.0500

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

數字修約規則與極限數值的表示和判定

GB/T8170

3方法提要

射線熒光光譜法是通過化學元素二次激發所發射的射線譜線的波長和強度測量來進行定性

XX

和定量分析由光管發生的初級射線束照射在試樣上試樣內各化學元素被激發出各自的二次特征

。X,

輻射這種二次射線通過準直器到達分光晶體只有滿足衍射條件的某個特定波長的輻射在出射晶體

,。

時得到加強而其他波長的輻射被削弱

,。

該方法根據定