ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T14844—2018

代替

GB/T14844—1993

半導體材料牌號表示方法

Designationsofsemiconductormaterials

2018-12-28發布2019-11-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T14844—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替半導體材料牌號表示方法與相比主要技術

GB/T14844—1993《》,GB/T14844—1993

變化如下

:

修改了范圍中本標準適用性的描述見第章年版的第章

———(1,19931);

將原中生產方法和用途分成兩項并對牌號表示方法排序進行調整名稱為第一項生

———3.1.1,,,

產方法為第二項見年版的

(3.1.1,19933.1);

刪除了多晶生產方法中的鑄造法增加了表示三氯氫硅法表示硅烷法流化床

———“”,“T”、“S”、“F

法和其他生產方法表示形式參照以上方法進行見年版的

”“”(3.1.3,19933.1.1);

修改了表示塊狀為表示塊狀并增加了表示顆粒狀和其他多晶形狀表示形式

———“N”“C”,“G”“

參照以上方法進行見年版的

”(3.1.4,19933.1.3);

增加了表示電子級用途和表示太陽能級用途見

———“E”“S”(3.1.6);

調整了單晶牌號表示方法排序見年版的

———(3.2.1,19933.2);

增加了示例如硅單晶砷化鎵單晶碳化硅單晶鍺單晶銻化銦單晶磷

———“Si、GaAs、SiC、Ge、InSb、

化鎵單晶和磷化銦單晶等見

GaPInP”(3.2.2);

增加了表示鑄錠法見

———“C”(3.2.3);

增加了導電類型示例例如型導電類型摻雜元素有磷銻砷型導電類型摻雜元

———“NP、Sb、As,P

素有硼區熔氣相摻雜用表示等見

B,FGD”(3.2.4);

增加了示例例如晶向和等見

———“<111>、<100><110>”(3.2.5);

增加了示例如硅片砷化鎵片碳化硅片鍺片銻化銦片磷化鎵片

———“Si、GaAs、SiC、Ge、InSb、GaP

和磷化銦片等見

InP”(3.3.2);

增加了表示太陽能切割片見

———“SCW”(3.3.4);

調整了外延片牌號表示方法排序見年版的

———(3.4.1,19933.4);

增加了示例如硅外延片砷化鎵外延片碳化硅外延片鍺外延片銻化銦外

———“Si、GaAs、SiC、Ge、

延片磷化鎵外延片和磷化銦外延片等見

InSb、GaPInP”(3.4.2);

增加了牌號中字母表示方法見附錄

———(A)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位浙江省硅材料質量檢驗中心有色金屬技術經濟研究院有研半導體材料有限公

:、、

司浙江海納半導體有限公司東莞中鎵半導體科技有限公司南京國盛電子有限公司江蘇中能硅業科

、、、、

技發展有限公司蘇州協鑫光伏科技有限公司天津市環歐半導體材料技術有限公司

、、。

本標準主要起草人樓春蘭毛衛中楊素心汪新華鄒劍秋孫燕潘金平劉曉霞馬林寶宮龍飛

:、、、、、、、、、、

張雪囡丁曉民賀東江

、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T14844—1993。

Ⅰ

GB/T14844—2018

半導體材料牌號表示方法

1范圍

本標準規定了半導體多晶單晶晶片外延片等產品的牌號表示方法

、、、。

本標準適用于半導體多晶單晶晶片外延片等產品的牌號表示其他半導體材料牌號表示可參照

、、、,

執行

。

2牌號分類

按照晶體結構和產品形狀半導體材料牌號分為多晶單晶晶片和外延片四類牌號中涉及的字母

,、、,

含義參見附錄

A。

3牌號表示方法

31多晶牌號

.

311多晶的牌號表示為

..:

P----

5

4

3

2

1

其中

:

分別代表牌號的第一項至第五項

1、2、3、4、5。

312牌號的第一項中第位表示多晶后幾位用分子式表示多晶名稱如硅鍺等

..1P,,Si、Ge。

313牌號的第二項表示多晶的生產方法用英文第一個字母的大寫形式表示其中

..,,:

表示三氯氫硅法

a)T;

表示硅烷法

b)S;

表示還原法

c)R