犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１４１４４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４１４４—１９９３

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

犜犲狊狋犻狀犵犿犲狋犺狅犱犳狅狉犱犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狉犪犱犻犪犾犻狀狋犲狉狊狋犻狋犻犪犾狅狓狔犵犲狀

狏犪狉犻犪狋犻狅狀犻狀狊犻犾犻犮狅狀

２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１４１４４—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ１１８８１１０５《用紅外吸收法測量硅中間隙氧原子含量的標準方法》。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ１１８８１１０５相比，主要有如下不同：

———增加了測量點選取方案；

———標準編寫按ＧＢ／Ｔ１．１格式，部分ＳＥＭＩ標準中的章節進行了合并和整理。

本標準代替ＧＢ／Ｔ１４１４４—１９９３《硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法》。

本標準與原標準相比，主要有如下變化：

———氧含量測量范圍進行了修訂；

———增加了“測量儀器”、“術語”和“干擾因素”章節；

———增加了采用經認證的硅中氧含量標準物質對光譜儀進行校準的內容；

———將原標準中“本標準適用于室溫電阻率大于０．１Ω·ｃｍ的硅晶體”改為“本標準適用于室溫電

阻率大于０．１Ω·ｃｍ的ｎ型硅單晶和室溫電阻率大于０．５Ω·ｃｍ的ｐ型硅單晶”；

———樣品厚度范圍修改為“０．０４ｃｍ～０．４ｃｍ”。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：峨嵋半導體材料廠。

本標準主要起草人：楊旭、江莉。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４１４４—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４１４４—２００９

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

１范圍

本標準采用紅外光譜法測定硅晶體中間隙氧含量徑向的變化。本標準需要用到無氧參比樣品和一

套經過認證的用于校準設備的標準樣品。

本標準適用于室溫電阻率大于０．１Ω·ｃｍ的ｎ型硅單晶和室溫電阻率大于０．５Ω·ｃｍ的ｐ型硅

單晶中間隙氧含量的測量。

本標準測量氧含量的有效范圍從１×１０１６ａｔ·ｃｍ－３至硅晶體中間隙氧的最大固溶度。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５７硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

３術語

ＧＢ／Ｔ１４２６４規定的及以下術語和定義適用于本標準：

３．１

色散型紅外光譜儀犱犲狆狉犲狊狊犻狏犲犻狀犳狉犪狉犲犱狊狆犲犮狋狉狅狆犺狅狋狅犿犲狋犲狉

一種使用棱鏡或光柵作為色散元件的紅外光譜儀。它通過振幅波數（或波長）光譜圖獲取數據。

３．２

傅立葉變換紅外光譜儀犉狅狌狉犻犲狉狋狉犪狀狊犳狅狉犿犻狀犳狉犪狉犲犱狊狆犲犮狋狉狅狆犺狅狋狅犿犲狋犲狉

一種通過傅立葉變換將由干涉儀得到的干涉譜圖轉換為振幅波數（或波長）光譜圖來獲取數據的

紅外光譜儀。

３．３

參比光譜狉犲犳犲狉犲狀犮犲狊狆犲犮狋狉狌犿

參比樣品的光譜。當用雙光束光譜儀測量時，它可以通過直接將參比樣品放入樣品光路，讓參比光

路空著獲得；在用單光束光譜儀測量時，它可以通過由紅外光路中獲得的參比樣品的光譜計算扣除背景

光譜后獲得。

３．４

樣品光譜狊犪犿狆犾犲狊狆犲犮狋狉狌犿

測試樣品的光譜。當用雙光