1第1章 常用半導體器件1.1半導體基礎知識1.2半導體二極管1.3晶體三極管1.4場效應管1.5單結晶體管和晶閘管……21.1半導體基礎知識1.1.1

本征半導體1.1.2

雜質半導體1.1.3

PN結3導體：電阻率小于10-4Ω.cm，很容易導電，稱為導體.如銅、鋁、銀等金屬材料；絕緣體：電阻率大于1010Ω.cm，很難導電，稱為絕緣體，如塑料、橡膠、陶瓷等材料；半導體：電阻率在10-3~109Ω.cm，導電能力介于導體和絕緣體之間，例如硅(Si)和鍺(Ge)等半導體材料；半導體材料制作電子器件的原因?不是因為它的導電能力介于導體和絕緣體之間，而是在于半導體材料具有熱敏性、光敏性和摻雜性。4半導體材料制作電子器件的原因?1、熱敏性：是半導體的導電能力隨著溫度的升高而迅速增加，例如純凈鍺從20℃升高到30℃時，電阻率下降為原來的1/2；2、光敏性：半導體的導電能力隨光照的變化有顯著改變的特性；例如硫化鎘薄膜在暗處：電阻為幾十MΩ。光照：電阻下降為幾十KΩ3、摻雜性：是半導體導能力，因摻入適量的雜質而發生很大的變化，例如在半導體硅中，只要摻入億分之一的硼雜質，電阻率下降到原來的幾萬分之一，利用這一特性，可以制造出不同性能不同用途的半導體器件。51、本征半導體的晶體結構把非常純凈的,原子結構排列非常整齊的半導體稱為本征半導體。1.1.１

本征半導體6硅原子電子數為14，最外層電子為四個。鍺原子電子數為32，最外層電子為四個。常把原子核和內層電子數看作一個整體，稱為慣性核。由于原子呈中性，慣性核帶＋4單位正電荷。這樣，慣性核和外層價電子構成一個簡化的原子結構模型。硅(鍺)的原子結構簡化模型+4+14284+3228184硅(鍺)的原子結構硅鍺SiGe1.1.１

本征半導體7+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價鍵A．硅原子電子數為14，最外層電子為四個，是四價元素B、硅原子結合方式是共價鍵結合：(i)每個價電子都要受到相鄰兩個原子核的束縛;(ii)半導體的價電子既不象導體的價電子那樣容易掙脫成為自由電子，也不象絕緣體中被束縛，所以其導電能力介于導體與絕緣體之間1、本征半導體的原子結構——共價鍵結合，以硅原子為例。1.1.１

本征半導體8+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價鍵2、本征半導體的激發與復合空穴自由電子空穴A、本征激發—

電子、空穴對的產生B、電子與空穴的復合D、最后達到動態的平衡C、空穴是可以移動的，其實是共價鍵的電子依次填補空穴，形成空穴的移動1.1.１

本征半導體9本征半導體小結：

本征半導體帶正電荷的空穴1、本征半導體中兩種載流子：①.是帶負電荷的自由電子；②.是帶正電荷的空穴。2、本征半導體中電流由兩部分組成：

①.自由電子移動產生的電流。

②.空穴移動產生的電流。帶負電荷的自由電子103、溫度越高，載流子的濃度越高，導電能力越強。溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素。這是半導體的一大特點。4、本征激發產生的載流子數量很少，本征半導體導電能力很差。只有在本征半導體中摻入適量的雜質，才能極大提高其導電性能，成為雜質半導體，用于制造各種半導體器件。本征半導體濃度為書上P11，公式（1.1.1），自己看看。本征半導體小結：11在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。其原因是摻雜半導體的某種載流子濃度大大增加了。P型半導體：在本征半導體中摻入三價元素(如硼)構成的雜質半導體。N型半導體：在本征半導體中摻入五價元素(如磷)構成的雜質半導體。1.1.2雜質半導體121、N型半導體多余電子因不受共價鍵的束縛成為自由電子，同時磷原子就成為不能移動的帶正電的離子，稱為施主原子。另外N型半導體中還有少量的空穴，其濃度遠小于自由電子的濃度，所以把自由電子稱為多數載流子，空穴稱為少數載流子，簡稱多子和少子。在本征半導體中摻入五價元素多余電子磷原子+N型硅表示1.1.2雜質半導體132、P型半導體P型半導體中空穴是多數載流子，電子是少數載流子。當附近硅原子的外層電子由于熱運動填補空穴時，硼原子成為不可移動的負離子。硼原子稱為受主原子。在本征半導體中摻入三價元素空穴硼原子P型硅表示1.1.2雜質半導體143、雜質半導體的示意表示法++++++++++++++++++++++++N型半導體雜質型半導體多子和少子的移動都能形成電流。但由于數量的關系，起導電作用的主要是多子。近似認為多子濃度與所摻雜質濃度相等。整塊的半導體仍為中性.－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導體－－1.1.2雜質半導體15小結4、P型半導體中空穴是多子，自由電子是少子。

N型半導體中自由電子是多子，空穴是少子。5、半導體的導電能力與溫度、光強、雜質濃度和材料性質有關。1、半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間。2、在一定溫度下，本征半導體因本征激發而產生自由電子和空穴對，故其有一定的導電能力。3、本征半導體的導電能力主要由溫度決定；雜質半導體的導電能力主要由所摻雜質的濃度決定。16P型區N型區內建電場

PN結(1)多子的擴散運動產生空間電荷區建立內電場(2)隨著內電場由弱到強得建立,少子漂移從無到有,逐漸加強,而擴散運動逐漸減弱,

形成平衡的PN結。1、PN結(PNJunction)的形成多子的擴散多子的擴散1.1.3

PN結耗盡層問題：PN結是帶正電，還是負電？172、PN結的單向導電性(1)正向偏置(forwardbias外加正向電壓)(2)反向偏置(reversebias外加反向電壓)1.1.3

PN結18(1)、外加正向電壓(正向偏置forwardbias)

P

N內電場外電場正向電流IFIF=I多子

I少子

I多子A、正向偏壓的接法：P區接高電位，N區接低電位B、正向偏壓削弱內電場，有利多子的擴散運動，使PN結空間電荷區變窄；C、正向偏壓時，PN結為導通狀態，外電路電流IF很大，PN結呈現的正向電阻很小RUI多子PN結為導通狀態1.1.3

PN結限流電阻19

P

N內電場IR=I少子

0反向電流IRA、反向偏壓的接法：P區接低電位，N區接高電位B、反向偏壓內電場增強，不利多子擴散運動，有利于少子的漂移運動，形反向電流IR，IR很小，硅管為納安數量級，鍺管為微安數量級。C、反向偏壓，使PN結空間電荷區變寬。D、反向偏壓PN結為截止狀態，外電路電流接近為O，PN結呈現的反向電阻很大(2)外加反向電壓(反向偏置reversebias）限流電阻R外電場UI少子PN結為截止狀態1.1.3

PN結20PN結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流；由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。PN結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流，PN結截止。總結211.2半導體二極管(SemiconductorDiode)1.2.1半導體二極管的幾種常見結構1.2.2二極管的伏安特性1.2.3二極管主要參數1.2.4二極管的等效電路1.2.5穩壓二極管1.2.6其它類型二極管22構成：

PN結+引線+管殼=二極管(Diode)符號：分類：按材料分硅二極管鍺二極管按結構分點接觸型面接觸型平面型1、結構與類型陽極

陰極1.2.1半導體二極管的幾種常見結構23負極引線點接觸型正極引線金屬觸絲N型鍺片外殼負極引線

面接觸型N型鍺PN結

正極引線鋁合金小球底座金銻合金正極

引線負極

引線

平面型NP型支持襯底PPN結（常見二極管的結構和外型）2、特點與用途1.2.1半導體二極管的幾種常見結構PN結面積小結電容小適用于高頻電路和小功率整流工作頻率高。不能通過較大的電流PN結面積大能通過較大的電流結電容大能在低頻下工作一般僅作為整流管使用PN結面積可大可小視結面積的大小用于大功率整流和開關電路中半導體二極管圖片2526伏安特性曲線

通過二極管的電流隨外加偏壓的變化規律，稱為二極管的伏安特性。以曲線的形式描繪出來，就是伏安特性曲線。正向偏壓反向偏壓IFUFVmAIRURVμA1.2.2二極管的伏安特性27IS擊穿電壓UBR圖1.2.3二極管的伏安特性鍺管硅管硅管鍺管死區電壓Uoni

/mA正向電流104030200.20.60.41.00.8u/VUR/VIR/A反向電流反向電壓正向電壓1.2.2二極管的伏安特性伏安特性曲線導通電壓:硅管0.6~0.8V,鍺管0.1~0.3V死區（開啟）電壓Uon:硅管0.5V，鍺管0.1V28IS擊穿電壓UBR圖

二極管的伏安特性鍺管硅管硅管鍺管死區電壓Uoni

/mA正向電流104030200.20.60.41.00.8u/VUR/VIR/A反向電流反向電壓正向電壓1、正向特性—加正向偏壓uA、

u

較小時，i較小

B、

u大于死區電壓時，

i迅速增加，并按指數規律上升。

C、當二極管電流變化很大時，二極管兩端電壓幾乎不變，硅管約0.6~0.8V，鍺管約0.1~0.3V，分別作為正向工作時兩端直流壓降得估算值。2、反向特性——加反向偏壓URA、反向電流IR是少子漂移運動引起，所以數量小，幾乎不變，又稱為反向飽和電流IS。

B、當溫度升高，IS增加

C、硅管IS小于1uA，鍺管為幾十到幾百uA。3、擊穿特性——

當UR繼續增大，并超過某一個特定電壓值時，IR將急劇增大，這種現象稱為擊穿，這時對應的電壓叫擊穿電壓UBR。1.2.2二極管的伏安特性伏安特性曲線291、最大整流電流IF

指二極管在一定溫度下，長期允許通過的最大正向平均電流2、最高反向工作電壓UR指二極管工作時允許外加的最大反向電壓。通常為擊穿電壓U(BR)的一半。1.2.3二極管的主要參數303、反向電流IR（反向飽和電流IS)

這個值越小，則管子的單向導電性就越好。1.2.3二極管的主要參數314、結電容與最高工作頻率fM

PN結的電容效應

(1)PN結加電壓后，其空間電荷區會發生變化，這種變化造成的電容效應稱為結電容。

(2)結電容越大。二極管的高頻單向導電性越差。

(3)fM就是二極管仍然保持單向導電性的外加電壓最高頻率。PN1.2.3二極管的主要參數32IF/mA0.20.60.40.8UF/V5、二極管的溫度特性T

升高時，UD(on)以(22.5)mV/C

下降,輸入曲線左移當溫度升高10C時，IR增加一倍IR/AUD(on)半導體具有熱敏性，溫度變化,使二極管參數發生變化，使二極管工作不穩定。IF/A1.2.3二極管的主要參數二極管是非線性器件，由二極管構成電路是非線性電路。分析困難用線性元件構成的電路來近似模擬二極管的特性二極管的等效電路多種等效電路，根據應用要求進行選擇1.2.4二極管的等效電路34

圖1.2.4二極管的近似模型(1)理想模型A、正向導通，管壓降為0，即UF=0，視二極管為短路；B、反向截止，電流為0，即IF=0，視二極管為開路陽極

陰極陽極

陰極ui陽極

陰極理想二極管1.2.4二極管的等效電路35

圖1.2.4二極管的近似模型A、正向導通時二極管管壓降為恒定值Uon：

硅管0.7V

鍺管0.2V

uiUon1.2.4二極管的等效電路B、反向截止，i=0(2)恒壓降模型

理想二極管361.1半導體基礎知識1.1.1

本征半導體1.1.2

雜質半導體1.1.3

PN結半導體材料制作電子器件的原因?是在于半導體材料具有熱敏性、光敏性和摻雜性。復習頁37本征半導體小結：1、本征半導體中兩種載流子：①.帶負電荷的自由電子；②.帶正電荷的空穴。2、本征半導體中電流由兩部分組成：

①.自由電子移動產生的電流。

②.空穴移動產生的電流。3、溫度越高，載流子的濃度越高，導電能力越強。溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素。4、本征激發產生的載流子數量很少，本征半導體導電能力很差。只有在本征半導體中摻入適量的雜質，才能極大提高其導電性能，成為雜質半導體，用于制造各種半導體器件。復習頁38P型半導體：在本征半導體中摻入三價元素(如硼)構成的雜質半導體。N型半導體：在本征半導體中摻入五價元素(如磷)構成的雜質半導體。1.1.2雜質半導體雜質型半導體多子和少子的移動都能形成電流。但由于數量的關系，起導電作用的主要是多子。近似認為多子濃度與所摻雜質濃度相等。整塊的半導體仍為中性.復習頁39小結4、P型半導體中空穴是多子，自由電子是少子。

N型半導體中自由電子是多子，空穴是少子。5、半導體的導電能力與溫度、光強、雜質濃度和材料性質有關。1、半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間。2、在一定溫度下，本征半導體因本征激發而產生自由電子和空穴對，故其有一定的導電能力。3、本征半導體的導電能力主要由溫度決定；雜質半導體的導電能力主要由所摻雜質的濃度決定。復習頁401.1.3

PN結PN結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流，PN結導通。擴散運動是因濃度差引起的；由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。PN結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流，硅管為納安數量級，鍺管為微安數量級，PN結截止。漂移運動是因電位差而產生的。。復習頁411.2半導體二極管構成：

PN結+引線+管殼=二極管(Diode)符號：陽極

陰極正向偏壓IFUF反向偏壓IRUR復習頁42IS擊穿電壓UBR圖1.2.3二極管的伏安特性鍺管硅管硅管鍺管死區電壓Uoni

/mA正向電流104030200.20.60.41.00.8u/VUR/VIR/A反向電流反向電壓正向電壓二極管伏安特性曲線導通電壓:硅管0.6~0.8V,鍺管0.1~0.3V死區（開啟）電壓Uon:硅管0.5V，鍺管0.1V復習頁431、最大整流電流IF2、最高反向工作電壓UR

1.2.3二極管的主要參數3、反向電流IR（反向飽和電流IS)

這個值越小，則管子的單向導電性就越好。4、結電容與最高工作頻率fM

PN結的電容效應(1)結電容越大。二極管的高頻單向導電性越差。(2)fM就是二極管仍然保持單向導電性的外加電壓最高頻率。5、二極管的溫度特性半導體具有熱敏性，溫度變化,使二極管參數發生變化，使二極管工作不穩定。復習頁441.2.4二極管的等效電路

圖1.2.4二極管的近似模型(1)理想模型A、正向導通，管壓降為0，即UF=0，視二極管為短路；B、反向截止，電流為0，即IF=0，視二極管為開路陽極

陰極陽極

陰極ui陽極

陰極理想二極管復習頁45

圖1.2.4二極管的近似模型(2)恒壓降模型uiUon1.2.4二極管的等效電路

理想二極管B、反向截止，i=0A、正向導通時二極管管壓降為恒定值Uon：

硅管0.7V

鍺管0.2V

復習頁46

圖1.2.4（ｃ）二極管的折線模型(3)折線模型uiUonA、二極管正向電壓U>Uon后，其電流I和U成線性關系，直線斜率為1/rD。B、反向截止，i=0因此，等效電路是理想二極管串聯電壓源和電阻rD。

理想二極管1.2.4二極管的等效電路47若則若則精確計算例：P21

UD=0.7VS斷開時：D導通S閉合時：D截止48[例1]電路如圖所示，試判斷二極管是導通還是截止，并求出AO兩端電壓UAO,設二極管是理想的。D6VAO解：假設不成立，所以D導通，相當于導線，UAO=-6V。

BCVB=-6VVC=-12V假設二極管不導通49二極管在電子技術中的應用簡介1、整流應用利用二極管單向導電性把大小和方向都變化的正弦交流電變為單向脈動的直流電50UiUott截止導通UiUoUDRL(a)二極管整流電路;(b)輸入與輸出波形1、整流應用(假設二極管是理想二極管)512、限幅的應用利用二極管單向導性，將輸出電壓限定在要求的范圍之內，稱為限幅。52導通截止導通截止2、限幅的應用uoUit-3t+3-5uo/vui/v+5E1

3v3v

E2（a）雙向限幅電路;（b）輸入與輸出波形Ui≥3V:

VD1導通,VD2截止U0=3VUi≤-3V:

VD2導通,VD1截止U0=-3V`-3V＜Ui＜3V:VD1、VD2都截止U0=Ui531.3特殊二極管1.3.1穩壓二極管1.3.2發光二極管與光敏二極管1.3.3變容二極管1.2.3二極管的主要參數541、穩壓二極管伏安特性曲線及其工作原理穩壓管的穩壓作用在于：在反向擊穿區內，反向電流i有很大變化，而穩壓管兩端電壓u幾乎保持不變。只要Izmin<IZ<IZmAX，穩壓管既不損壞，又可使穩壓管兩端電壓幾乎保持不變。符號UZ就是穩壓二極管的反向擊穿電壓i

/mAu/VOUZIZIZMui陽極陰極1.2.5穩壓二極管55iZ/mAuZ/VOUZ

IZmin

IZMUZIZ

IZ2、穩壓管的主要參數

(1)穩定電壓UZUZ就是穩壓管的反向擊穿電壓,

如2DW7，UZ（6.1~6.5V之間）

(2)穩定電流IZ

穩壓二極管正常工作時的參考電流，經常將IZ記作IZmin。

IZ>

IZmin..IZmin約為幾mA以上

(3)額定功耗PZM：PZM等于UZ與最大穩定電流IZM的乘積。

IZ<

IZM,PZM=UZIZM1.2.5穩壓二極管56iZ/mAuZ/VOUZ

IZmin

IZmaxUZIZ

IZ2、穩壓管的主要參數

(4)動態電阻rZ

動態電阻是反映穩壓二極管穩壓性能好壞的重要參數，

rZ越小，反向擊穿區曲線越陡，穩壓效果就越好。1.2.5穩壓二極管57

1、發光二極管簡稱“LED”是英文

LightEmittingDiode的縮寫。其電路及符號，如圖。

(1)、工作原理：發光二極管也具有單向導電性。當外加反向偏壓，二極管截止不發光,當外加正向偏壓，二極管導通，因流過正向電流而發光

(2)、發光機理：是由于正偏時，電子空穴復合釋放出能量所致，發光顏色與材料及摻雜元素有關。

(3)、發光二極管工作電流一般約為幾至幾十mA，正向電壓降約為1.5~3V。1.2.6其他類型二極管582、光電二極管

(1)、光電二極管也叫光敏二極管，也具有單向導電性

(2)、光電二極管的PN結被封裝在透明玻璃外殼中，其PN結裝在管子頂部，可以直接受到光的照射。

(3)、正偏時光電二極管的光敏特性不明顯，反偏時，光電二極管處于截止狀態：①沒有光照時，PN結反向電阻大，反向電流小；②有光照射時，PN結附近產生光生電子空穴對，它們在偏壓作用下,作定向運動,宏觀上形成了光電流。1.2.6其他類型二極管59發光二極管60光敏二極管61發光二極管與光電二極管3、應用于遠距離光電傳輸圖1-21遠距離光電傳輸的原理

621.3晶體三極管1.3.1晶體管的結構及類型1.3.2晶體管的電流放大作用1.3.3晶體管的共射特性曲線1.3.4晶體管的主要參數1.3.5溫度對晶體管三極管參數的影響1.3.6光電三極管631.3.1晶體管的結構及類型

半導體三極管是電子電路重要器件,它通過一定的工藝,將兩個PN結結合在一起,由于兩個PN結的相互影響,使三極管具有電流放大作用.從二極管發展到三極管,這是一個質得飛躍.

1、分類按材料分：①硅管；②鍺管按功率分：①小功率管；②中功率管；③大功率管按結構分：①NPN；②PNP

642、NPN和PNP管的結構示意及符號PN結PN結發射區發射極emitter基區基極base集電區集電極collector集電結發射結ECBNPN型(1)符號中的箭頭方向是三極管的實際電流方向符號(2)三極管有三個區：發射區—發射極e；基區——基極b；集電區——集電極c。(3)發射區摻雜濃度遠高于基區摻雜濃度，基區很薄且摻雜的濃度低；而集電結面積比發射結面積大得多，所三極管的發射極與集電極不能對調使用。652、NPN和PNP管的結構示意及符號PN結PN結發射區發射極emitter基區基極base集電區集電極collector集電結發射結ECBPNP型(1)符號中的箭頭方向是三極管的實際電流方向符號(2)三極管有三個區：發射區—發射極e；基區——基極b；集電區——集電極c。(3)發射區摻雜濃度遠高于基區摻雜濃度，基區很薄且摻雜的濃度低；而集電結面積比發射結面積大得多，所三極管的發射極與集電極不能對調使用。66

常見晶體管的外形67

常見晶體管的外形681.3.1晶體管的結構及類型復習頁NPN結構示意及符號

集電結

發射結發射極基極集電極集電區基區發射區c

b

eECB電路符號691.3.1晶體管的結構及類型復習頁PNP結構示意及符號

集電結

發射結發射極基極集電極集電區基區發射區c

b

eECB電路符號70發射結正偏集電結反偏UBBRbUCCRC1.3.2晶體管的電流放大作用

NPNICIB1、三極管內的載流子的傳輸過程（以NPN為例）電源接法:

UBB

使發射結正偏

UBE=0.7V＞0

UCC

使集電結反偏

UBC＜0

為了達到這個目的,要保證UCC＞UBB

（2）電子在基區的擴散與復合，形成基極電流IB。因為基區很薄，且摻雜濃度低，電子只有一小部份被基區的空穴復合，大部份電子很快到達集電結邊緣。(1)由于發射結正偏，因此高摻雜濃度的發射區中的多子（自由電子）越過發射結，向基區擴散，形成發射極電流IE。IE（3）由于集電結反偏，擴散到集電結邊緣的電子，很快被吸引越過集電結，形成集電極電流IC。712、電流分配關系

NPNRbUBBICIEIB（以NPN為例）三極管內的載流子運動規律

_發射極電流IE集電極電流I

C基極電流IB三極管的直流電流放大系數722、電流分配關系（以NPN為例）發射極電流IE集電極電流I

C基極電流IB三極管的直流電流放大系數ICEO叫做穿透電流,當ICBO較小時,可以忽略不計,此時，73輸入回路輸出回路(1)無交流信號

UBB接輸入回路,使發射結正偏

UCC接輸出回路,使集電結反偏在這種偏置下產生

IE、IC、IB、

IC=βIB,這是對直流電流的放大作用.3、三極管的電流放大作用UBBUCCRCRBIC=βIBIE=IC+IBIB

如圖所示稱為三極管的共發射極放大電路。因為這個電路中包含由三極管的基極b與發射極e構成的輸入回路和由集電極c與發射極e構成的輸出回路，三極管的發射極作為輸入和輸出回路的公共端，所以稱為共發射極放大電路。三極管的共發射極放大電路74(2)加入交流信號后A.ΔIc是ΔIB的β倍,三極管對ΔIB有放大作用,β越大,控制能力越強,所以三極管是一個有電流放大的電流控制元件.B.ΔIc在RC上產生的輸出電壓ΔUo,而ΔUo比ΔUi大約大幾十倍,可以得到電壓放大。3、三極管的電流放大作用UBBUCCRCRB751.3.3晶體管的共射特性曲線什么叫晶體管的共射特性曲線？晶體管的共射特性曲線是指三極管各電極電壓與各電極電流之間關系的曲線，它是管子內部載流子運動規律的外部體現。76輸入回路輸出回路1、輸入特性曲線:

(1)是研究當UCE=常數

時，UBE和iB之間的關系曲線，用函數關系式表示為:77(1)UBE

和iB之間的關系曲線(2)用UCE=1V的輸入特性曲線來代表UCE＞1V所有輸入特性曲線(3)輸入特性的死區電壓：硅管約為0.5V；鍺管約為0.1V。發射結正偏導通后：硅管UBE=0.7V；鍺管UBE=0.2V1、輸入特性曲線200.40.60.81006080400.2782、輸出特性曲線:

(1)是研究當iB=常數

時，UCE和iC之間的關系曲線，用函數表示為:輸入回路輸出回路792、輸出特性曲線(2)輸出特性曲線,當UCE較小時起始部份很陡，當UCE略有增加，iC增加很快，當UCE＞1V

以后，再增加UCE、iC增加不明顯。(3)如改變IB則得到另一條輸出特性曲線。80（a）輸入特性曲線;（b）輸出特性曲線

三極管的輸入、輸出特性曲線813、把輸出特性曲線劃分成三個區510152012340飽和區截止區放大區擊穿區(3)飽和區