ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T12964—2018

代替

GB/T12964—2003

硅單晶拋光片

Monocrystallinesiliconpolishedwafers

2018-09-17發布2019-06-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T12964—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅單晶拋光片與相比除編輯性修改外主

GB/T12964—2003《》,GB/T12964—2003,

要技術變化如下

:

修訂了適用范圍將本標準適用于直拉硅單晶研磨片經腐蝕減薄進行單面拋光制備的硅拋光

———,“

片改為本標準適用于直拉法懸浮區熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大

”“、()

于的硅單晶拋光片產品主要用于制作集成電路分立元件功率器件等或作為硅

200mm。、、,

外延片的襯底見第章年版的第章

”(1,20031)。

修訂了規范性引用文件刪除了

———,GB/T1552、GB/T1554、GB/T1555、GB/T1558、

增加了

GB/T13387、GB/T13388、GB/T14140、GB/T14143,GB/T12965、GB/T19921、

見第章

GB/T24578、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28、YS/T679(2,2003

年版的第章

2)。

刪除了原標準中的具體術語內容改為界定的術語及定義適用于本文件見

———,“GB/T14264”(

第章年版的第章

3,20033)。

修訂了硅拋光片的分類刪除了按硅單晶生長方法分為直拉和懸浮區熔增加了

———。“(CZ)(FZ)”,

按表面取向分為常用的三種見年版的

“{100}、{110}、{111}”(4.2.2,20034.1)。

增加了硅拋光片的直徑表面取向及其偏離度參考面長度主參考面直徑切口尺寸參考

———“、、()、、

面位置和切口位置應符合的規定如有需要由供方提供各項檢驗結果

GB/T12965。,”

見

(5.1)。

刪除了表中主副參考面長度切口主參考面直徑的要求修訂了直徑允許偏差厚度總厚

———1、、、,、、

度變化翹曲度總平整度的要求增加了彎曲度的要求增加了直徑不小于硅拋光片

、、,,125mm

的局部平整度的要求見表年版的表

(1,20031)。

將晶體完整性的要求列在由供方提供檢驗結果見年版的

———5.1,(5.1,20035.3)。

修訂了氧化誘生缺陷的要求改為硅拋光片的氧化誘生缺陷應不大于個2或由供需

———,“100/cm,

雙方協商確定見年版的

”(5.4,20035.3.2)。

刪除了原標準的表面取向基準標記的內容見年版的

———、(20035.4、5.5)。

增加了直徑硅拋光片的表面金屬和體金屬鐵含量的要求見

———150mm、200mm()(5.5、5.6)。

修訂了邊緣輪廓的要求由硅拋光片須經邊緣倒角倒角后的邊緣輪廓應符合的規

———,“,YS/T26

定特殊要求可由供需雙方協商確定改為硅拋光片的邊緣輪廓形狀尺寸應符合

,”“、

的規定且硅拋光片邊緣輪廓的任何部位不允許有銳利點或凸起物特殊要求可

GB/T12965,,

由供需雙方協商確定見年版的

”(5.7,20035.7)。

將表面質量要求中的亮點改為局部光散射體顆粒并修訂了局部光散射體顆粒的要

———“”“()”,()

求見表年版的表

(2,20034)。

修訂了檢驗項目改為每批產品應對電阻率厚度總厚度變化彎曲度翹曲度總平整度表

———,“、、、、、、

面質量除局部光散射體外進行檢驗導電類型徑向電阻率變化局部平整度氧化誘生缺

()。、、、

陷表面金屬體金屬鐵邊緣輪廓局部光散射體顆粒是否檢驗由供需雙方協商確定見

、、()、、()”(

7.3.1、7.3.2)。

增加了氧化誘生缺陷表面金屬體金屬鐵邊緣輪廓局部光散射體顆粒霧背表面處

———“、、()、、()、、

理的檢驗結果判定由供需雙方協商確定見

”(7.5.2)。

Ⅰ

GB/T12964—2018

增加了訂貨單或合同內容見第章

———()(9)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導體材料有限公司上海合晶硅材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限

:、、

公司浙江海納半導體有限公司浙江省硅材料質量檢驗中心有色金屬技術經濟研究院天津市環歐半

、、、、

導體材料技術有限公司

。

本標準主要起草人孫燕盧立延徐新華張海英樓春蘭楊素心潘金平張雪囡

:、、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T12964—1996、GB/T12964—2003。

Ⅱ

GB/T12964—2018

硅單晶拋光片

1范圍

本標準規定了硅單晶拋光片簡稱硅拋光片的牌號及分類要求試驗方法檢驗規則標志包裝

()、、、、、、

運輸貯存質量證明書和訂貨單或合同內容

、、()。

本標準適用于直拉法懸浮區熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大于的

、()200mm

硅單晶拋光片產品主要用于制作集成電路分立元件功率器件等或作為硅外延片的襯底

。、、,。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

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GB/T6621