ICS27.120.01F80中華人民共和國國家標準GB/T11685-2003代替GB/T8992--1988.GB/T11685-—1989半導體X射線探測器系統和半導體X射線能譜儀的測量方法MeasurementproceduresforsemiconductorX-raydetectorsystemandsemiconductorX-rayenergyspectrometers2003-07-07發布2004-01-01實施中華人民共和國發布國家質量監督檢驗檢疫總局

GB/T11685-2003三前言1范圍2規范性引用文件3術語和定義4符號5一般原則5.1被測對象及其性能特性5.2測量設備5.3測量系統5.4測量條件5.5測量要求6能量分辨率和能譜畸變6.1概述6.2電噪聲的測量6.3作為放大器時間常數函數的噪聲線寬6.46.5峰谷比和峰尾比……積分非線性……………·7二7.1脈沖幅度分析法7.2128計數率效應……128.2能譜畸變…………8.3譜峰位偏移·……………·…·…·8.4譜的能量分辨率和譜線形狀8.5峰計數損失…9電壓變化影響、溫度效應和長時間不穩定性9.19.2交流供電電壓變化的影響·9.3溫度效應…………16長時間不穩定性9.41010.1概述10.2利用玻璃熒光源測量窗衰減（對能量低于5keV的X射線的推薦方法）……高能區效率測量10.311過載效應11.1概述主放大器增益的恢復時間11.228

GB/T11685-2003附錄A（資料性附錄）從X能量分辨率計算電噪聲近似值的方法參考文獻2圖1被測特性的基本測量系統圖2典型的噪聲測量脈沖幅度譜圖3用用示波器和均方根電壓表測噪聲的測量系統圖4線性的測量和表示………圖5對計數率效應造成譜畸變的測量系統圖6死時間為的系統的輸出計數率！和輸入計數率的關系圖7用單道分析器測量計數率損失的測量系統·…圖8作為快速放大器計數率田數所分析的錳K，和K，峰中的計數率圖9溫度效應的測量系統(以能譜儀為例）圖10窗厚度測量裝置(部面)示意圖圖11環型*FeX射線放射源………圖12用8m鍍窗探測器測得的譜19圖13用132m皺窗探測器測得的譜圖14典型的扣除本底的譜線圖…圖15窗指標W。與窗厚關系典型特征圖…21圖16uAm放射源低能？射線和X射線能譜圖22圖17高能區的相對效率曲線…………22圖18過載脈沖后增益恢復的例子23表1參考條件和標準試驗條件表2測量常用放射源·…….表3標準玻璃的組分(質量分數)17表4“Fe放射源激發標準玻璃得到的特征X射線表524Am的衰變數據

GB/T11685-2003本標準是對GB/T8992一1988(硅(鋰)X射線探測器系統測量方法》和GB/T11685—1989《半導體X射線能譜儀的測量方法》的合并和修訂。GB/T8992-1988和GB/T11685—1989均是非等效采用IEC60759:1983（見參考文獻1)編制的。本標準代替GB/T8992-1988和GB/T11685-1989本標準包括半導體X射線探測器系統和半導體X射線能譜儀的測量方法。由于探測器系統的輔出必須通過主放大器輸人多道分析器.然后在多道分析器上獲取X射線能譜方能觀察和確定其性能特性.所以探測器系統和能譜儀基本上采用相同的測量方法。本標準既保留了GB/T11685—1989的完整性和GB/T8992—1988的可操作性.又通過有機地捏合,將兩項標準合并為統一的新版本。本標準對GB/T8992—1988和GB/T11685—1989的主要修改如下；。）對半導體X射線探測器系統的測量不限于硅(鋰)X射線探測器系統；b對半導體X射線能譜儀,測量的是多道分析器上能譜(全能峰及峰位或譜線)的性能特性：）第3章的“術語和定義"按物理意義和邏輯關系排列，增加了"半導體探測器”、"半導體X射線探測器系統”和“主放大器"等術語，修改了“窗"、"基線"、"工作距離”等術語.刪去了"門"、“模擬一數字變換器”等簡單明了的術語;參考IEC60759增加了第11章“過載效應“；修改了少量符號.例如.多道分析器的道數(道址)用m.而不用N或X：）擴展和充實了第5章"一般原則”的內容.而測量要求(原基本要求)僅是其中的一條：-規范了"被測對象"、"測量設備"和“測量系統”的概念；列出了主要被測的性能特性：規定了測量的條件(包括環境條件和放射源等)-指出了探測器系統和能譜儀采用相同的測量方法以及細節上的差異將“從X能量分瓣率計算電燥聲的近似值”的內容由正文調整為附錄A；h）規范了章條的標題和內容.例如，將第7章的標題由“脈沖幅度線性”直接改為“積分非線性”第9章的標題由“脈沖幅度穩定性”改為“電壓變化影響”、"溫度效應"和“長時間不穩定性”；內提高本標準的可操作性·適應新技術的發展·測量中一般給出通用方法·特別具體的方法則用示例的形式給出：格式按（B/T1.1—2000等標準的要求編寫,在一些條中增加了子條標題，將圖和表集中到正文的后面本標準的附錄A是資料性附錄。本標準由全國核儀器儀表標準化技術委員會提出本標準由核工業標準化研究所歸口。本標準起草單位：核工業標準化研究所。本標準主要起草人：熊正降。

GB/T11685-2003半導體X射線探測器系統和半導體X射線能譜儀的測量方法1范圍本標準規定了半導體X射線探測器系統和半導體X射線能譜儀主要特性的測量方法本標準適用于半導體X射線探測器系統和半導體入射線能譜儀主要性能的測量。2規范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內容)或修訂版均不適用于本標準，然而,鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準GB/T4079—1994用于電離輻射探測器的放大器和電荷靈敏前置放大器的測試方法(GB/T4079-1994.neqlEC61151:1992.Nuclearinstrumentation-Amplifiersandpreamplifiersusedwithdetectorofionizingradiation-Testprocedures)GB/T4960.6—1996核科學技術術語核儀器儀表（GB/T4960.6—1996.neqIEC60050(IEV50),InternationalElectrotechnicalVocabulary,Chapter391~394)術語和定義GB/T4960.6確立的以及下列術語和定義適用于本標準半導體探測器semiconductordetector通常利用核輻射在半導體中產生的過剩自由電荷載流子的運動來探測入射輻射的探測器「GB/T4960.6-1996的2.4.1住：本標準中的術語“探測器“若無特別說明均指半導體探測器3.2死層(半導體探測器的）deadlayer（ofsemiconductordetector）半導體探測器中的一個層.粒子在該層內損失的能量的大部分對形成的信號無貢獻[GB/T4960.6-1996的2.4.2673.3窗（探測器的）window(ofdetector)探測器中便于讓被測輻射穿透過去的部分LGB/T4960.6-1996的2