標準解讀

《GB/T 11072-1989 銻化銦多晶、單晶及切割片》是中國的一項國家標準，發布于1989年，主要規定了銻化銦（InSb）多晶材料、單晶材料及其切割片的質量要求、測試方法和檢驗規則。以下是該標準的主要內容概述：

  1. 范圍：本標準適用于半導體器件制造中使用的銻化銦多晶、單晶材料及其切割片的質量控制。它覆蓋了材料的化學成分、物理性能、幾何尺寸及表面質量等方面的規范。

  2. 規范性引用文件：列出了實施本標準時所直接引用或參考的其他標準文檔，這些文檔對于完全理解并執行標準中的各項要求是必要的。

  3. 術語和定義：對銻化銦多晶、單晶以及切割片的基本概念進行了界定，確保使用者對標準中涉及的專業術語有統一的理解。

  4. 要求：

    • 化學成分：規定了銻化銦材料中主元素In和Sb的含量范圍及其雜質元素的最大允許含量，以保證材料的電學性能。
    • 晶體結構和性質：描述了材料應具備的晶體結構類型及相關的物理特性，如電導率、霍爾系數等。
    • 尺寸和形狀：對單晶及切割片的尺寸公差、平面度、厚度均勻性等幾何參數提出了具體要求。
    • 表面質量：規定了材料表面應無明顯缺陷，如裂紋、夾雜、沾污等，并對表面粗糙度設定了標準。
    • 微觀結構：涉及晶體的完整性、位錯密度等內部結構要求，以確保材料的高質量和性能穩定性。

  5. 試驗方法：詳細說明了如何進行化學成分分析、物理性能測試（如電學性能測試）、尺寸測量、表面檢查及微觀結構分析等，確保測試結果的準確性和可重復性。

  6. 檢驗規則：明確了產品檢驗的程序、抽樣方法、合格判定準則及不合格品的處理方式，確保出廠產品質量符合標準要求。

  7. 標志、包裝、運輸和儲存：規定了產品在標識、包裝材料、防護措施、運輸條件及儲存環境等方面的具體要求，以防止產品在流轉過程中受損。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。

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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 11072-2009
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-02-01 實施
?正版授權
GB/T 11072-1989銻化銦多晶、單晶及切割片_第1頁
GB/T 11072-1989銻化銦多晶、單晶及切割片_第2頁
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文檔簡介

UDC661.864.147H81中華人民共和國國家標準GB11072-89錦化銦多晶、單晶及切割片TndiumantimonideDolycrystal，singlecrystalsandas-cutslices1989-03-31發布1990-02-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準銷化銦多晶、單晶及切割片GB11072-89Indiumantimonidepolycrystal，singleCrystalsandas-cutsliccs主題內客與適用范圍本標準規定了佛化鋼多品、單品及單晶切割片的產品分類、技術要求和試驗方法等本標準適用于區熔法制備的梯化鋼多品及直拉法制備的供制作紅外探測器和磁敏元件等用的梯化煙單品及其切割片。2引用標準GB4326非本征半導體單品霍爾遷移率和霍爾系數測量方法GB8759化合物半導體單晶品向X射線衍射測量方法產品分類3.1導電類型、規格3.1.1多晶老晶的導電類型為N型，按載流子遷移率分為三級。百.1.2單品梯化鋼單晶按導電類型分為N型和P型，以摻雜劑、載流子濃度和遷移率分類，按直徑與位錯密度分為三級。3.1.3切割片按3.1.2分類與分級，其厚度不小于500um.3.2牌號3.2.1佛化鋼多品與單品的牌號表示為：口Insb-口-口-用PInSb表示梯化鋼多晶，MInSb表示梯化鋼單晶：中國有色金

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