模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三章雙極型晶體管及其放大電路

第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其基本放大電路

第五章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用

第六章負(fù)反饋放大電路

第七章功率放大電路

第九章波形發(fā)生和變換電路

第八章有源濾波器

章電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)

第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路

第十章直流穩(wěn)壓電源

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第1頁!1-1哪些是我們?cè)谝院髮W(xué)習(xí)模擬電路中重點(diǎn)要掌握的內(nèi)容？解：重點(diǎn)要掌握的內(nèi)容有：電子器件和放大電路、運(yùn)算放大器的應(yīng)用、放大電路的性能指標(biāo)。1-2試對(duì)照?qǐng)D1-2電子信息系統(tǒng)的框圖和圖1-10自動(dòng)感應(yīng)節(jié)能燈電路圖，分別寫出信號(hào)、信號(hào)處理、信號(hào)加工、負(fù)載和電源的具體組成部分。（以元器件為核心）解：0.1～10HZ、1mV左右的微弱電壓是信號(hào)，集成運(yùn)算放大器LM324進(jìn)行信號(hào)處理，晶體管V和雙向晶閘管進(jìn)行信號(hào)控制，負(fù)載是EL燈，220V電源電壓經(jīng)過VD1、VD2、VD3組成直流電源。章思考題與習(xí)題模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第2頁!一、填空題1.半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于__導(dǎo)體__和___絕緣體___之間的物質(zhì)。2.利用半導(dǎo)體的__雜敏__特性，制成雜質(zhì)半導(dǎo)體；利用半導(dǎo)體的__光敏__特性，制成光敏電阻；利用半導(dǎo)體的_熱敏__特性，制成熱敏電阻。3.PN結(jié)加正向電壓時(shí)_導(dǎo)通__，加反向電壓時(shí)_截止_，這種特性稱為PN結(jié)_單向?qū)щ娦訽特性。4.PN結(jié)正向偏置時(shí)P區(qū)的電位_高于_N區(qū)電位。5.二極管正向?qū)ǖ淖钚‰妷悍Q為_正向電壓_電壓，使二極管反向電流急劇增大所對(duì)應(yīng)的電壓稱為__反向擊穿電壓__電壓。第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第3頁!6.二極管最主要的特點(diǎn)是__單向?qū)щ娦訽_，使用時(shí)應(yīng)考慮的兩個(gè)主要參數(shù)是___最大整流電流___和__最高反向工作電壓___。7.半導(dǎo)體二極管加反向偏置電壓時(shí)，反向峰值電流越小，說明二極管的__單向?qū)щ娦阅茉胶胈__的性能越好。8.半導(dǎo)體二極管分為點(diǎn)接觸型，面接觸型和平面型3種，通常__面接觸型___流過電流最大，___點(diǎn)接觸型___流過電流最小。對(duì)工作頻率而言，__點(diǎn)接觸型的___最高，__平面型的__最低。9.理想二極管正向電阻為__零__，反向電阻為__無窮大___，這兩種狀態(tài)相當(dāng)于一個(gè)___理想的開關(guān)___。10.穩(wěn)壓管工作在伏安特性的__反向特性區(qū)___，在該區(qū)內(nèi)的反向電流有較大變化，但它兩端的電壓__幾乎不變__。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第4頁!二、選擇題1.在半導(dǎo)體材料中，其正確的說法是（C

）。A．P型半導(dǎo)體中由于多數(shù)載流子為空穴，所以它帶正電B．N型半導(dǎo)體中由于多數(shù)載流子為電子，所以它負(fù)正電C．P型和N型半導(dǎo)體材料本身都不帶電。2.二極管的導(dǎo)通條件是（B

）。A．B．死區(qū)電壓C．擊穿電壓3.硅二極管的正向電壓在0.7V的基礎(chǔ)上增加，它的電流（C

）。A．基本不變B．增加C．增加以上4.硅二極管的正向電壓在0.3V的基礎(chǔ)上增加，它的電流（C

）。A．基本不變B．增加C．增加以上5.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將（A

）。A．增大B．不變C．減小模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第5頁!8.二極管電路如圖2-52所示，二極管均為理想元件，則輸出電壓為（A

）。A．-2VB．0VC．4VD．10V9.穩(wěn)壓管電路如圖2-53所示，穩(wěn)壓管VS1的穩(wěn)壓值為9V，VS2的穩(wěn)壓值為15V，輸出電壓等于（B

）。A．15VB．9VC．24V

圖2-52圖2-53模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第6頁!12.圖2-55所示三個(gè)整流電路(a)、(b)、(c)，變壓器二次電壓，負(fù)載電壓的波形如圖(d)所示，符合該波形的電路是（C

）。圖2-55模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第7頁!四、分析計(jì)算題解：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第8頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第9頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第10頁!10.晶體管放大電路中，三個(gè)電極的電位分別為，，，試判斷晶體管的類型是___PNP_____，材料是____鍺___。11.溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù)將___增加___，穿透電流將___增加___，發(fā)射極電壓將___減小____。12溫度升高時(shí)，晶體管的共射輸入特性曲線將____左___移，輸出特性曲線將___上____移，而且輸出特性曲線的間隔將變____大___。13.查閱電阻器件手冊(cè)，了解下列常用晶體管的極限參數(shù)，并填寫在表3-5中。型

號(hào)類

型材

料低頻大功率管3AD50CPNPGe100003000303CD030EPNPSi300001500120高頻小功率管3DG100ANPNSi10020203DG130ANPNSi70030030模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第11頁!20.三種基本組態(tài)的放大電路中，有電壓放大無電流放大的是___共基____電路，有電流放大無電壓放大的是____共集_____電路，既有電壓放大又有電流放大的是_____共射____電路。21.分壓式偏置的共射極放大電路圖3-19中的作用是____穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)____。22.多級(jí)放大電路常見的耦合方式有____阻容耦合____、____直接耦合____、____變壓器耦合____。23.直接耦合放大電路既能放大____直流____信號(hào)，又能放大____交流____信號(hào)，但它存在零漂的問題需要考慮解決。24.多級(jí)放大電路與單級(jí)放大電路相比，電壓增益變___大___，通頻帶變___窄___。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第12頁!6.測(cè)得放大電路中某晶體管的三個(gè)電極對(duì)地電位分別為6V、5.7V和-6V，則該晶體管的類型為（C

）。A．硅PNP型B．硅NPN型C．鍺PNP型D．鍺NPN型7.檢查放大器中晶體管在靜態(tài)時(shí)是否進(jìn)入截止區(qū)，最簡(jiǎn)單的方法是測(cè)量（B

）。A．B．C．D．8.放大器中晶體管在靜態(tài)時(shí)進(jìn)入飽和區(qū)的條件是（

A

）。A．B．C．死區(qū)電壓D．導(dǎo)通電壓9.工作在放大狀態(tài)的雙極型晶體管是（A

）。A．電流控制型B．電壓控制型C．不可控元件10.用直流電壓表測(cè)得晶體管電極1、2、3的電壓分別為，，，則三個(gè)電極為（C

）。A．1為e；2為b；3為cB．1為e；2為c；3為bC．1為b；2為e；3為cD．1為b；2為c；3為e模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第13頁!16.某晶體管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電流等于20μA，正常工作時(shí)，它的集電極電流等于（A

）。A．0.98mAB．1.02mAC．0.8mAD．1.2mA17.固定偏置放大電路中，晶體管的，若將該管調(diào)換為的另一個(gè)晶體管，則該電路中晶體管集電極電流將（A

）。

A．增加B．減少C．基本不變18.測(cè)得某放大電路負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V，接入2kΩ的負(fù)載后，測(cè)得輸出電壓降為2.5V，則該放大電路的輸出電阻為（C

）。A．1.2kΩB．1.6kΩC．3.2kΩD．10kΩ19.固定偏置共射極放大電路，已知，，，忽略，若要使靜態(tài)時(shí)，則應(yīng)?。–

）。A．600kΩB．240kΩC．480kΩD．360kΩ20.固定偏置共射極放大電路，，，，則該電路中晶體管工作在（B

）。A．放大區(qū)B．飽和區(qū)C．截止區(qū)D．無法確定模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第14頁!24.圖3-63所示共射放大電路中，晶體管，。問：當(dāng)開關(guān)與A處相接時(shí)，晶體管處于（A

）狀態(tài)；開關(guān)與B相接時(shí)，晶體管處于（

B

）狀態(tài)；開關(guān)與C相接時(shí)，晶體管處于（C

）狀態(tài)。A．放大B．飽和C．截止圖3-63模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第15頁!31.已知兩級(jí)放大電路，，則電路總的電壓放大倍數(shù)為（B

）。A．100B．1000C．110D．110032.已知三級(jí)放大電路，，，則電路總的電壓放大倍數(shù)為（A

）dB。A．80B．10C．50D．1800模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第16頁!7.放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。（√）8.由于放大的對(duì)象是變化量，所以當(dāng)輸入信號(hào)為直流信號(hào)時(shí)，任何放大電路的輸出都毫無變化。（×

）9.只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。（×

）

10.用微變等效電路可以分析放入器的輸入電阻和輸出電阻，因此也可以用來計(jì)算放大器的放大倍數(shù)。（√）

11.利用微變放大電路，可以很方便地分析計(jì)算小信號(hào)輸入時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)。（×

）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第17頁!

四、分析計(jì)算題

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第18頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第19頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第20頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第21頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第22頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第23頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第24頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第25頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第26頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第27頁!第五章思考題與習(xí)題解答模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第28頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第29頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第30頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第31頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第32頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第33頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第34頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第35頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第36頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第37頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第38頁!d)負(fù)反饋交流

e)負(fù)反饋交直流模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第39頁!6-6判斷圖6-30所示各電路的反饋組態(tài)。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第40頁!電流串聯(lián)交流正反饋電壓并聯(lián)交流負(fù)反饋模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第41頁!6-7如圖6-31所示的兩個(gè)電路中集成運(yùn)放的最大輸出電壓為±12V。試分別說明，在下列三種情況下，是否存在反饋？若有是何反饋類型？輸出電壓是多少？(1)當(dāng)m點(diǎn)接a點(diǎn)時(shí)；(2)當(dāng)m點(diǎn)接b點(diǎn)時(shí)；(3)當(dāng)m點(diǎn)接地時(shí)。

當(dāng)m點(diǎn)接a點(diǎn)時(shí)：有反饋，電壓串聯(lián)正反饋，輸出電壓不是12V就是-12V當(dāng)m點(diǎn)接b點(diǎn)時(shí):

有反饋，電壓并聯(lián)負(fù)反饋，輸出電壓為4.5V當(dāng)m點(diǎn)接地時(shí)：無反饋模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第42頁!6-9有一反饋電路開環(huán)放大倍數(shù)A=105，反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)為F=0.1，反饋組態(tài)為電壓并聯(lián)負(fù)反饋，試計(jì)算：（1）引入反饋后，輸入電阻和輸出電阻如何變化？變化了多少？（2）閉環(huán)放大倍數(shù)穩(wěn)定性提高了多少倍？若為25%，問為多少？解：（1）由于并聯(lián)負(fù)反饋會(huì)使輸入電阻減小，其反饋后的電阻值與無反饋時(shí)的電阻關(guān)系是：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第43頁!6-10假設(shè)在深度負(fù)反饋條件下，估算圖6-32的閉環(huán)電壓放大倍數(shù)。解：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第44頁!（5）設(shè)計(jì)一個(gè)輸出功率為20W的擴(kuò)音機(jī)電路，若用B類OCL（即雙電源)互補(bǔ)對(duì)稱功放電路，則應(yīng)選至少為

4W

的功率管兩個(gè)。（6）功率放大電路主要研究的指標(biāo)是___效率___、___輸出功率__、_失真度

_。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第45頁!（5）電路最大不失真輸出功率是指輸入信號(hào)幅值足夠大，而輸出信號(hào)基本不失真且幅值最大時(shí)

D

。A．晶體管得到的最大功率B．電源提供的最大功率C．負(fù)載上獲得的最大直流功率D．負(fù)載上獲得的最大交流功率（6）功率放大電路與電壓放大電路的共同點(diǎn)是

C

A．都使輸出電壓輸入電壓；B．都使輸出電流大于輸入電流；

C．都使輸出功率大于信號(hào)源提供的輸入功率。（7）功率放大電路與電壓放大電路的區(qū)別是

D

。

A．前者比后者電源電壓高；B．前者比后者電壓放大倍數(shù)數(shù)值大；C．前者比后者效率高；D．在電源電壓相同的情況下，前者比后者的最大不失真輸出功率大。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第46頁!7-3判斷題(正確的在括號(hào)內(nèi)畫√，錯(cuò)誤的畫×)（1）當(dāng)A類功放電路的輸出功率為零時(shí)，管子消耗的功率最大。(√)（2）在功率放大電路中，輸出功率最大時(shí)，功放管的功率損耗也是最大。（×

）（3）在輸入電壓為零時(shí)，AB類互補(bǔ)推挽功放電路中的電源所消耗的功率是兩個(gè)管子的靜態(tài)電流與電源電壓的乘積。(√)（4）在管子的極限參數(shù)中，集電極最大允許耗散功率，是集電極最大電流與基極開路時(shí)集電極一發(fā)射極問反向擊穿電壓的乘積。(×)（5）只有當(dāng)兩個(gè)三極管的類型相同時(shí)才能組成復(fù)合管。(×)（6）復(fù)合管的類型(NPN或PNP)與組成它的最前面的管子類型相同(√)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第47頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第48頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第49頁!7-8OTL互補(bǔ)對(duì)稱功放如圖7-31（a）所示，試問：（1）三極管V1、V2

、V3、V4為哪那種工作方式?（2）靜態(tài)時(shí)，電容C兩端電壓應(yīng)是多少？調(diào)整哪個(gè)電阻能滿足這一要求？（3）動(dòng)態(tài)時(shí)，如輸出電壓出現(xiàn)圖7-31（b）示的波形，則為何種失真？應(yīng)調(diào)整哪個(gè)電阻？如何調(diào)整？

（a）電路（b）輸出波形模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第50頁!（5）___低通___濾波器的直流電壓放大倍數(shù)就是它的通帶電壓放大倍數(shù)。（6）在理想情況下，__高通

__濾波器在的電壓放大倍數(shù)就是它的通帶電壓放大倍數(shù)。（7）根據(jù)工作信號(hào)頻率范圍濾波器可以分為：低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器

及

帶阻濾波器。（8）設(shè)某一階有源濾波電路的電壓放大倍數(shù)為，則此濾波器為

低通

濾波器，其通帶放大倍數(shù)為

200

，截止頻率為

200

。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第51頁!8-3是非題（1）高通濾波器的通頻帶是指電壓的放大倍數(shù)不變的頻率范圍。（×

）（2）在帶阻濾波器的阻帶內(nèi)，所有頻率信號(hào)的電壓放大倍數(shù)一定低于通帶的放大倍數(shù)。（×

）（3）全通濾波器也是直流放大器。（√）（4）濾波器中的運(yùn)算放大電路工作在線性狀態(tài)，所以濾波電路中只引入了負(fù)反饋。（×

）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第52頁!8-7圖8-21所示電路為一個(gè)一階低通濾波電路。試推導(dǎo)電路的電壓放大倍數(shù)，并求出-3dB截止頻率。解：這是一階有源低通濾波器，截止頻率即-3dB頻率模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第53頁!（5）根據(jù)___C___的元件類型不同，將正弦波振蕩電路分為RC、LC和石英晶體振蕩器。A.放大電路B.反饋網(wǎng)絡(luò)C.選頻網(wǎng)絡(luò)D.穩(wěn)幅環(huán)節(jié)（6）產(chǎn)生低頻正弦波一般可用__A______振蕩器；產(chǎn)生高頻正弦波可選用__B____振蕩器；產(chǎn)生頻率穩(wěn)定度很高的正弦波可選用__C__振蕩器。A.

RCB.LCC.石英晶體（7）LC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)在諧振時(shí)呈__B__，在信號(hào)頻率大于諧振頻率時(shí)__A___，在信號(hào)頻率小于諧振頻率時(shí)呈_C____。A.容性B.阻性C.感性（8）石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度很高是因?yàn)開_B__。A．低的Q值B．高的Q值C．小的接入系數(shù)D.大的電阻模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第54頁!9-3判斷圖9-25所示各電路是否可能產(chǎn)生正弦波振蕩？說明不能產(chǎn)生振蕩的理由。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第55頁!9-6正弦波振蕩電路如圖圖9-28所示，已知R1=2kΩ，R2=4.5kΩ，Rw在0～5kΩ范圍內(nèi)可調(diào)，設(shè)運(yùn)放A是理想的，振幅穩(wěn)定后二極管的動(dòng)態(tài)電阻近似為=500Ω。（1）求Rw的阻值；（2）計(jì)算電路的振蕩頻率fo。解：(1)振蕩，AF=1，則

(2)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第56頁!（e）（f）（g）解：(e)不能（f）不能（g）能模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第57頁!9-9試用相位平衡條件判斷圖9-27所示的各個(gè)電路是否可能產(chǎn)生自激振蕩。對(duì)不能產(chǎn)生自激振蕩的電路進(jìn)行改接，使之滿足相位平衡條件，請(qǐng)畫出改進(jìn)后的電路。（a）（b）解：應(yīng)在（a）所示電路電感反饋回路中加耦合電容。應(yīng)在（b）所示電路電感反饋回路中加耦合電容。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第58頁!9-12電路如圖9-34所示。（1）分別說明A1和A2各構(gòu)成哪種基本電路；（2）求出uO1與uO的關(guān)系曲線uO1＝f（uO）；（3）求出uO與uO1的運(yùn)算關(guān)系式uO＝f（uO1）；（4）定性畫出uO1與uO的波形；（5）說明若要提高振蕩頻率，則可以改變哪些電路參數(shù)，如何改變。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第59頁!（2）（3）調(diào)整R1、R2的阻值可以改變uO的幅值，調(diào)整R1、R2、R5、R6的阻值和C的容量可以改變uO的頻率，調(diào)整R5、R6的阻值可以改變uO的上升和下降的斜率。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第60頁!（4）現(xiàn)有4個(gè)穩(wěn)壓電源，請(qǐng)根據(jù)以下要求，選取合適的穩(wěn)壓電源。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第61頁!10-1填空題（1）小功率直流穩(wěn)壓電路一般由

調(diào)整管

、

比較放大

、

基準(zhǔn)電壓

和

取樣電路

等四部分組成。（2）當(dāng)電網(wǎng)電壓上升10%，穩(wěn)壓電路的輸出電壓由10V上升10.02V，則電路的穩(wěn)壓系數(shù)為0.02

。（3）線性直流電源中的調(diào)整管工作在

放大狀態(tài)

，開關(guān)型直流電源中的調(diào)整管工作在

開關(guān)狀態(tài)。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第62頁!10-3電路如圖10-33所示，已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為6V，最小穩(wěn)定電流為5mA，允許耗散功率為240mw，動(dòng)態(tài)電阻小于15Ω。試問：(1)當(dāng)輸入電壓為20～24v、RL為200～600Ω時(shí)，限流電阻R的選取范圍是多少?(2)若R＝390Ω，則電路的穩(wěn)壓系數(shù)Sr為多少？模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第63頁!10-8某儀器需要一組直流輸出電壓，請(qǐng)根據(jù)學(xué)過的知識(shí)畫出合適電路。具體要求是：輸入電壓220V、50HZ、輸出電壓和電流分別是+12V/400mA、–5V/10mA。解：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第64頁!解：（1）V2和R3電路組成限流型過流保護(hù)電路（2）（3）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第65頁!5）在D/A轉(zhuǎn)換電路中，當(dāng)輸入全部為“0”時(shí)，輸出電壓等于

。A.電源電壓B.0C.基準(zhǔn)電壓6）在D/A轉(zhuǎn)換電路中，數(shù)字量的位數(shù)越多，分辨輸出最小電壓的能力

。A.越穩(wěn)定B.越弱C.越強(qiáng)7）在A/D轉(zhuǎn)換電路中，輸出數(shù)字量與輸入的模擬電壓之間

關(guān)系。A.成正比B.成反比C.無8）集成ADC0809可以鎖存

模擬信號(hào)。A.4路B.8路C.10路D.16路9）雙積分型ADC的缺點(diǎn)是

。A.轉(zhuǎn)換速度較慢B.轉(zhuǎn)換時(shí)間不固定C.對(duì)元件穩(wěn)定性要求較高D.電路較復(fù)雜BCCBA模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第66頁!4）A/D轉(zhuǎn)換電路的量化單位位S，用四舍五入法對(duì)采樣值量化，則其=

0.5s

。5）在D/A轉(zhuǎn)換器的分辨率越高，分辨

最小輸出模擬量

的能力越強(qiáng)；A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率越高，分辨

最小輸

入模擬量

的能力越強(qiáng)。6）A/D轉(zhuǎn)換過程中，量化誤差是指

1個(gè)LSB的輸出變所對(duì)應(yīng)的模擬量的范圍

，量化誤差是

不可

消除的。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第67頁!8-4已知某DAC電路輸入10位二進(jìn)制數(shù)，最大滿度輸出電壓=5Ｖ，試求分辨率和最小分辨電壓。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第68頁!8-6在AD7520電路中，若VREF=10Ｖ，輸入十位二進(jìn)制數(shù)為，試求：1）其輸出模擬電流iO為何值（已知）？

2）當(dāng)時(shí)，外接運(yùn)放Ａ后，輸出電壓應(yīng)為何值？模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第69頁!2）求完成此次轉(zhuǎn)換所需的時(shí)間t由逐次漸近型A/D的過程可知，無論輸入信號(hào)的大小，其最后的數(shù)字輸出狀態(tài)都必須在第n+2個(gè)時(shí)鐘脈沖到后才能輸出，所以轉(zhuǎn)換時(shí)間與輸入信號(hào)的大小無關(guān)，只與轉(zhuǎn)換的位數(shù)有關(guān)，故模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第70頁!11.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的正向特性曲線將__左移___，反向特性曲線將__下移__。12.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的正向電壓將__減小___，反向擊穿電壓___減小___，反向電流___增加___。13.整流電路的作用是___將交流電壓轉(zhuǎn)變成直流電壓__，核心元器件是__二極管___。14.濾波電路的作用是__脈動(dòng)的直流電壓變成平滑的直流電壓___，濾波電路包含有__儲(chǔ)能__元件。15.單相半波整流和單相橋式整流相比，脈動(dòng)比較大的是___單相半波整流__，整流效果好的是__單相橋式整流__。16.在單相橋式整流電路中，如果任意一個(gè)二極管反接，則__電路燒毀__，如果任意一個(gè)二極管虛焊，則__變成單相半波整流___。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第71頁!6.當(dāng)溫度為時(shí)，二極管的導(dǎo)通電壓為0.7V，若其他參數(shù)不變，當(dāng)溫度升高到時(shí)時(shí)，二極管的導(dǎo)通電壓將（B

）。A．等于0.7VB．小于0.7VC．大于0.7V7.二極管電路如圖2-51所示，V，二極管均為理想元件，則輸出電壓為（A

）。A．0VB．3VC．6VD．9V圖2-51

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第72頁!10.電路如圖2-54所示，VD1～VD3為理想二極管，HA、HB、HC是三只相同的白熾燈，其中最亮的燈是（A

）。A．HBB．HCC．HA

圖2-5411.理想二極管橋式整流和電阻性負(fù)載電路中，二極管承受的最大反向電壓為（B

）。A．小于B．等于C．大于模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第73頁!三、判斷題1.在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（√）PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（×

）3.在二極管的反向截止區(qū)，反向電流隨反向電壓增大而增大。（×

）4.如果穩(wěn)壓管工作電流，則管子可能被損壞。（×

）5.橋式整流電路中，流過每個(gè)二極管的平均電流相同，都只有負(fù)載電流一半。（√）6.當(dāng)變壓器中心抽頭式全波整流電路和橋式整流電路的輸入電壓相同時(shí)，它們的輸出電壓波形相同，每個(gè)二極管承受的反向電壓相同。（×

）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第74頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第75頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第76頁!第三章

思考題與習(xí)題一、填空1.晶體管從結(jié)構(gòu)上看可以分成___PNP____和___NPN___兩種類型。2.晶體管工作時(shí)有___兩種___載流子參與導(dǎo)電，因此晶體管又稱為___雙極型___晶體管。3.晶體管具有放大作用的外部條件是____發(fā)射____結(jié)正向偏置，____集電____結(jié)反向偏置。4.設(shè)晶體管的壓降不變，基極電流為20μA時(shí)，集電極電流等于2mA，則__100___。若基極電流增大至25μA，集電極電流相應(yīng)地增大至2.6mA，則___120___。5.某三極管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電流等于20μA，穿透電流則其集電極電流___0.98mA____，電流放大系數(shù)___49____。6.當(dāng)晶體管工作在___放大__區(qū)時(shí)，才成立，此時(shí)，發(fā)射結(jié)__正向__偏置，集電結(jié)__反向__偏置。7.當(dāng)晶體管工作在___飽和___區(qū)時(shí)，。此時(shí)，發(fā)射結(jié)___正向__偏置，集電結(jié)___正向___偏置。8.當(dāng)NPN硅管處在放大狀態(tài)時(shí)，在三個(gè)電極電位中，以____集電___極的電位最高，___發(fā)射___極的電位最低，___基極___極和___發(fā)射___極電位差等于___0.7V___。9.當(dāng)PNP硅管處在放大狀態(tài)時(shí)，在三個(gè)電極電位中，以___發(fā)射____極的電位最高，___集電___極的電位最低，等于___0.7V___。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第77頁!14.某放大電路，當(dāng)輸入電壓為10mV時(shí)，輸出電壓為6.5V；當(dāng)輸入電壓為15mV時(shí)，輸出電壓為7V。則該電路的電壓增益為___100____。15.直流放大器能放大___交、直流信號(hào)___，交流放大器能放大___交流信號(hào)____。16.當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置偏低時(shí)，會(huì)引起___截止____失真，單級(jí)共射放大電路輸出電流波形的___底部___半周產(chǎn)生削波，需將基極上偏置電阻的值調(diào)___小____。17.當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置偏高時(shí)，會(huì)引起___飽和___失真，單級(jí)共射放大電路輸出電壓波形的____底部__半周產(chǎn)生削波，需將基極上偏置電阻的值調(diào)____大____。18.造成放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定的因素很多，其中影響最大的是____溫度升高_(dá)___。19.三種基本組態(tài)的放大電路中，與相位相反的是___共射___電路，與相位相同的是____共集和共基_____電路。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第78頁!二、選擇題1.當(dāng)晶體管的兩個(gè)PN結(jié)都反偏時(shí)，則晶體管處于（A

）。A．截止?fàn)顟B(tài)B．飽和狀態(tài)C．放大狀態(tài)D．擊穿2.當(dāng)晶體管的兩個(gè)PN結(jié)都正偏時(shí)，則晶體管處于（

B

）。A．截止?fàn)顟B(tài)B．飽和狀態(tài)C．放大狀態(tài)D．擊穿3.測(cè)得放大電路中某晶體管的三個(gè)電極對(duì)地電位分別為6V、5.3V和-6V，則該晶體管的類型為（A

）。A．硅PNP型B．硅NPN型C．鍺PNP型D．鍺NPN型4.測(cè)得放大電路中某晶體管的三個(gè)電極對(duì)地電位分別為8V、2.3V和2V，則該晶體管的類型為（D

）。A．硅PNP型B．硅NPN型C．鍺PNP型D．鍺NPN型5.測(cè)得放大電路中某晶體管的三個(gè)電極對(duì)地電位分別為6V、5.3V和12V，則該晶體管的類型為（B

）。A．硅PNP型B．硅NPN型C．鍺PNP型D．鍺NPN型模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第79頁!11.用直流電壓表測(cè)得晶體管電極1、2、3的電壓分別為，，，則三個(gè)電極為（B

）。A．1為e；2為b；3為cB．1為e；2為c；3為bC．1為b；2為e；3為cD．1為b；2為c；3為e12.處于放大狀態(tài)的NPN型晶體管，各電極的電位關(guān)系是（C

）。A．B．C．D．13.處于放大狀態(tài)的PNP型晶體管，各電極的電位關(guān)系是（B

）。A．B．C．D．14.晶體管共發(fā)射極輸出特性常用一組曲線來表示，其中每一條曲線對(duì)應(yīng)一個(gè)特定的（D

）。A．B．C．D．15.放大電路的三種組態(tài)，都有（C

）放大作用。A．電壓B．電流C．功率D．都沒有模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第80頁!21.固定偏置共射極放大電路，，，，則該電路中晶體管工作在（A

）。A．放大區(qū)B．飽和區(qū)C．截止區(qū)D．無法確定22.單級(jí)共射極放大電路，輸入正弦信號(hào)，現(xiàn)用示波器觀察輸入電壓和晶體管集電極電壓的波形，二者相位（B

）。A．相差B．相差C．相差D．相差23.單級(jí)共基極放大電路，輸入正弦信號(hào)，現(xiàn)用示波器觀察輸入電壓和晶體管集電極電壓的波形，二者相位（A

）。A．相差B．相差C．相差D．相差模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第81頁!25.有兩個(gè)電壓放大倍數(shù)的放大電路A和B，分別對(duì)同一具有內(nèi)阻的信號(hào)源電壓進(jìn)行放大，在相同的負(fù)載電阻的情況下，測(cè)得，，則知B放大電路的（C

）。A．輸入電阻小B．輸入電阻大C．輸出電阻小D．輸出電阻大26.直接耦合放大電路能放大（C

）。A．直流信號(hào)B．交流信號(hào)C．交直流信號(hào)27.阻容耦合放大電路能放大（B

）。A．直流信號(hào)B．交流信號(hào)C．交直流信號(hào)28.阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號(hào)，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于（A）的存在。A．耦合電容與旁路電容B．極間電容和分布電容C．晶體管的非線性29.阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號(hào)，高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于（B）的存在。A．耦合電容與旁路電容B．極間電容和分布電容C．晶體管的非線性30.兩個(gè)相同的單級(jí)共射放大電路空載時(shí)的電壓放大倍數(shù)均為30，現(xiàn)將它們級(jí)連后組成一個(gè)兩級(jí)放大電路，則總的電壓放大倍數(shù)（C

）。A．等于60B．等于900C．小于900D．大于900模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第82頁!三、判斷題

1.既然晶體管是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，而二極管內(nèi)部就包含一個(gè)PN結(jié)，因此可以用兩個(gè)二極管反向串接來構(gòu)成晶體管。（×

）

2.晶體管只有測(cè)得才工作在放大區(qū)。（×

）

3.晶體管集電極和基極上的電流總能滿足的關(guān)系。（×

）

4.只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用。（×

）5.可以說任何放大電路都有功率放大作用。（√）6.電路中各電量的交流成份是交流信號(hào)源提供的。（√）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第83頁!12.放大器的電壓放大倍數(shù)隨負(fù)載而變化，負(fù)載愈高，電壓放大倍數(shù)愈大。（×

）13.射極輸出器即共集電極放大器，其電壓放大倍數(shù)小于１，輸入電阻小，輸出電阻大。（√）14.射極輸出器因其電壓放大倍數(shù)小于１，不能起緩沖、隔離作用，實(shí)際工作中很少使用。（×

）15.阻容耦合多級(jí)放大電路各級(jí)的靜態(tài)工作點(diǎn)相互獨(dú)立，它只能放大交流信號(hào)。（√）16.直接耦合多級(jí)放大電路各級(jí)的靜態(tài)工作點(diǎn)相互影響，它只能放大直流信號(hào)。（×

）只有直接耦合放大電路中晶體管的參數(shù)才隨溫度而變化，（×

）18.多級(jí)放大器的通頻帶比組成它的各級(jí)放大器的通頻帶窄，級(jí)數(shù)愈少，通頻帶愈窄。（×

）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第84頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第85頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第86頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第87頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第88頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第89頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第90頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第91頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第92頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第93頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第94頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第95頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第96頁!解：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第97頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第98頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第99頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第100頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第101頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第102頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第103頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第104頁!6-4判斷圖6-28所示電路的反饋極性及反饋量（交、直流）。a)負(fù)反饋交流b)負(fù)反饋交流c)正反饋交流

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第105頁!6-5判斷圖6-29所示電路的級(jí)間反饋極性。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第106頁!電流并聯(lián)交直流負(fù)反饋

R6：電流并聯(lián)直流負(fù)反饋

R7：電流并聯(lián)交直流負(fù)反饋

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第107頁!電壓串聯(lián)交流正反饋電壓串聯(lián)交直流負(fù)反饋模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第108頁!6-7如圖6-31所示的兩個(gè)電路中集成運(yùn)放的最大輸出電壓為±12V。試分別說明，在下列三種情況下，是否存在反饋？若有是何反饋類型？輸出電壓是多少？(1)當(dāng)m點(diǎn)接a點(diǎn)時(shí)；(2)當(dāng)m點(diǎn)接b點(diǎn)時(shí)；(3)當(dāng)m點(diǎn)接地時(shí)。

當(dāng)m點(diǎn)接a點(diǎn)時(shí)：有反饋，電壓并聯(lián)正反饋，輸出電壓不是12V就是-12V當(dāng)m點(diǎn)接b點(diǎn)時(shí):

有反饋，電壓串聯(lián)負(fù)反饋，輸出電壓為5V當(dāng)m點(diǎn)接地時(shí)：無反饋模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第109頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第110頁!第七章功率放大電路思考題與習(xí)題7-1填空題（1）功率放大電路按三極管靜態(tài)工作點(diǎn)的位置不同可分為__A（甲）__類、__B（乙）_類、__AB（甲乙）_類。（2）A類放大電路是指放大管的導(dǎo)通角等于

360°，乙類放大電路的導(dǎo)通角等于

180°，在甲乙類放大電路中，放大管導(dǎo)通角為

180-360°

。

(3）B類互補(bǔ)推挽功率放大電路的

效率

較高，在理想情況下其值可達(dá)

78.5%

。但這種電路會(huì)產(chǎn)生一種被稱為

交越

失真的非線性失真現(xiàn)象。為了消除這種失真，應(yīng)當(dāng)使推挽功率放大電路工作在

AB

類狀態(tài)。（4）由于在功放電路中功放管經(jīng)常處于極限工作狀態(tài)，因此，在選擇功放管時(shí)要特別注意

ICM

、U（BR）CEO

和

PCM

三個(gè)參數(shù)。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第111頁!7-2選擇填空題（1）甲類單管功率放大電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但最大缺點(diǎn)是

D

。A．有交越失真B．易產(chǎn)生自激C．效率低D．效率低，耗電量大（2）互補(bǔ)對(duì)稱功放電路的放大作用是

C

。A．只對(duì)電壓有放大作用B．對(duì)電壓和電流均有放大作用C．只對(duì)電流有放大作用D．對(duì)電壓和電流均無放大作用（3）在互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路中。引起交越失真的原因是

D

。A．輸入信號(hào)過大B．晶體管值太大C．電源電壓太高D．晶體管輸入特性曲線的非線性（4）作為輸出級(jí)的互補(bǔ)對(duì)稱電路常采用的接法是

C

。A．共射B．共基C．共集D．無所謂模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第112頁!（8）OTL電路輸出耦合電容的作用是

C

。A．隔直耦合B．對(duì)地旁路C．相當(dāng)于提供負(fù)電源（9）由于功放電路的輸入和輸出信號(hào)幅度都較大，所以常用

B

法進(jìn)行分析計(jì)算。A．微變等效電路B．圖解分析

C．最大值估算D．交流通道模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第113頁!7-4在如圖7-27所示電路中，已知，，V1管和V2管的飽和管壓降，輸入電壓足夠大。試問：（1）最大輸出功率和效率各為多少?（2）晶體管的最大功耗為多少?（3）為了使輸出功率達(dá)到，輸入電壓的有效值約為多少?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第114頁!7-7如圖7-30所示為一未畫全的功率放大電路。要求：（1）畫上三極管V1～V2管的發(fā)射極箭頭，使之構(gòu)成一個(gè)完整的準(zhǔn)互補(bǔ)OTL功率放大電路；（2）說明VD1、VD2、和的作用；（3）已知電路的最大輸出功率，估算V3、V4管集電極一發(fā)射極的最小電壓降。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第115頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第116頁!第8章思考題與習(xí)題8-1填空題（1）在f=0或f→∞時(shí)的電壓放大倍數(shù)均等于零的電路是___帶通__濾波器。（2）一階RC高通電路截止頻率決定于

時(shí)間常數(shù)

的倒數(shù)，在截止頻率處輸出信號(hào)比通帶內(nèi)輸出信號(hào)小

-3

dB。（3）一階濾波電路阻帶幅頻特性以

-20dB

/十倍頻斜率衰減，二階濾波電路則以

-40dB

/十倍頻斜率衰減。階數(shù)越

高

，阻帶幅頻特性衰減的速度就越快，濾波電路的濾波性能就越好。（4）在理想情況下，__帶阻__濾波器在和的電壓放大倍數(shù)相等，且不為零。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第117頁!8-2選擇填空題（1）帶阻濾波器可以由

A

組成。A．低通濾波電路和高通濾波電路并聯(lián)B．低通濾波電路和高通濾波電路串聯(lián)C．帶通濾波電路和反相器串聯(lián)D．帶通濾波電路和減法電路串聯(lián)效率低，耗電量大（2）某電路有用信號(hào)頻率為2kHz，可選用

C

。A．低通濾波器B．高通濾波器C．帶通濾波器D．帶阻濾波器（3）在有源濾波器中運(yùn)算放大器和在滯回比較器中，運(yùn)算放大器分別工作在

B

。A．截止區(qū)，非線性區(qū)B．線性區(qū)，非線性區(qū)C．飽和區(qū)，線性區(qū)D．線性區(qū)，線性區(qū)（4）抑制50Hz交流電源的干擾和從輸入信號(hào)取出頻率低于2kHz的信號(hào)，分別應(yīng)采用

C

。A．低通濾波器，低通濾波器B．高通濾波器，低通濾波器C．帶通濾波器，低通濾波器D．帶阻濾波器，高通濾波器模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第118頁!8-6試判斷圖8-21中各電路是什么類型的濾波器（是低通、高通、帶通、還是帶阻濾波器，是有源還是無源濾波，幾階濾波？）。解：（a）是二階低通濾波器，（b）是雙T帶阻濾波器，（c）是一階高通濾波器，（d）是二階帶通濾波器。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第119頁!

第9章思考題與習(xí)題9-1選擇填空（1）自激振蕩是電路在__B__的情況下，產(chǎn)生了有規(guī)律的、持續(xù)存在的輸出波形的現(xiàn)象。A.外加輸入激勵(lì)信號(hào)B.無輸入信號(hào)C.無反饋信號(hào)（2）根據(jù)輸出波形的特點(diǎn)，振蕩電路分為__D___兩種類型。A.方波和矩形波B.鋸齒波和三角波C.矩形波和正弦波D.正弦波和非正弦波（3）正弦波振蕩電路產(chǎn)生振蕩的條件是__B___，為使電路起振應(yīng)滿足_D____。A.B.C.D.（4）在弦波振蕩電路中，能產(chǎn)生振蕩的想為平衡條件是__C___。A.B.C.D.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第120頁!9-2填空題（1）根據(jù)石英晶體的頻率特性，當(dāng)=S時(shí)，石英晶體呈_電阻___性，在S<<P很窄頻率范圍內(nèi)石英晶體呈_電感__性；當(dāng)<S或<P時(shí)，石英晶體呈__電容__性。（2）正弦波振蕩電路主要有___放大電路___、___反饋網(wǎng)絡(luò)___、_選頻網(wǎng)絡(luò)___、___穩(wěn)幅環(huán)節(jié)__組成。（3）LC三點(diǎn)式振蕩器電路組成的相位平衡判別是與發(fā)射極相連接的兩個(gè)電抗元件必須

同性質(zhì)符號(hào)

，而與基極相連接的兩個(gè)電抗元件必須為

相反的

。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第121頁!模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第122頁!9-7根據(jù)相位條件分別判斷圖9-29電路能否振蕩。（a）（b）（c）解：（a）不能（b）能（c）能模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第123頁!（g）（h）解：（g）能（h）不能模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第124頁!

（c）（d）解：應(yīng)在（c）所示電路放大電路的輸入端（基極）加耦合電容，且將變壓器的同銘端改為原邊的上端和副邊的上端為同銘端，或它們的下端為同銘端。應(yīng)在（d）去掉CE模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題共137頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第125頁!9-14電路如圖9-36所示。（1）試說明A1、A2分別構(gòu)成什么電路；（2）定性畫出uO1、uO的波形；（3）若要調(diào)整輸出波形，則可以改變哪些電路參數(shù)？如何改變？解：（1）A1構(gòu)成同相輸入的滯回電壓比較器，A2構(gòu)成充放電回路不同的積