1、2022年斯達(dá)半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)細(xì)分及業(yè)務(wù)規(guī)劃研究1.斯達(dá)半導(dǎo)作為國(guó)產(chǎn)IGBT龍頭，業(yè)績(jī)長(zhǎng)期高增長(zhǎng)，技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先1.1. 發(fā)展歷程：深耕 IGBT 領(lǐng)域 17 年，成就國(guó)產(chǎn)龍頭斯達(dá)半導(dǎo)成立于 2005 年，主營(yíng)產(chǎn)品是 IGBT 模組，在全球市場(chǎng)占有率前十，國(guó)內(nèi)第 一，是當(dāng)之無(wú)愧的行業(yè)龍頭企業(yè)。公司的發(fā)展可分為三個(gè)階段：創(chuàng)業(yè)階段，堅(jiān)持自主研發(fā)路。起初專攻于 IGBT 模塊開發(fā)，于 2007 年便成功完 成 IGBT 模塊關(guān)鍵技術(shù)工藝開發(fā)，成功推出第一款 IGBT 模塊，并不斷攻克 IGBT 模塊核心技術(shù)難題。此后，為擺脫國(guó)外供應(yīng)商依賴，實(shí)現(xiàn)核心芯片自主供應(yīng)，公 司成功獨(dú)立研發(fā)出了平面柵 NPT 型 IGB

2、T 芯片，并于 2012 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2015 年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 2.53 億元。快速成長(zhǎng)，工控領(lǐng)域成龍頭。2015 年，公司成功獨(dú)立研發(fā)出了最新一代溝槽柵 場(chǎng)截止 FS-Trench 型 IGBT 芯片，與市場(chǎng)主流的進(jìn)口芯片性能相當(dāng)。2017 年，公 司 IGBT 模塊市場(chǎng)份額首次進(jìn)入全球前十，中國(guó)市場(chǎng)第一。2019 年，公司實(shí)現(xiàn) 營(yíng)業(yè)收入 7.79 億元。2015-2019 年，公司營(yíng)收的復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 32%。技術(shù)領(lǐng)先，新能源創(chuàng)造輝煌。2020 年，公司作為 IGBT 概念龍頭股在 A 股主板 上市。公司較早進(jìn)入新能源汽車領(lǐng)域，受益于新能源汽車滲透率提升，公司新能 源業(yè)務(wù)營(yíng)收持續(xù)增加

3、，占比由 2018 年的 18.3%上升至 2021 年的 33.5%。公司基 于第七代微溝槽技術(shù)的新一代車規(guī)級(jí) IGBT 芯片將于 2022 年批量供貨，技術(shù)水 平在國(guó)內(nèi)遙遙領(lǐng)先。同時(shí)，公司光伏 IGBT 產(chǎn)品也陸續(xù)進(jìn)入主流逆變器廠商供應(yīng) 名單。此外，公司于 2021 年定增 35 億元，自建 SiC 和高壓 IGBT 晶圓廠，為未 來(lái)持續(xù)發(fā)展打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。2019-2021 年，公司營(yíng)收的復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 48%。1.2. 高管團(tuán)隊(duì)背景突出，核心團(tuán)隊(duì)凝聚力強(qiáng)，經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)持續(xù)向好股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，實(shí)控人與公司利益深度綁定。公司實(shí)控人為沈華、胡畏夫婦，二人 通過(guò)斯達(dá)控股和香港斯達(dá)間接持有公司 41.7

4、7%股權(quán)，股權(quán)較為集中。公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng) 理沈華于 1995 年獲美國(guó)麻省理工學(xué)院材料學(xué)博士學(xué)位，曾任英飛凌高級(jí)研發(fā)工程師；副 總經(jīng)理胡畏于 1994 年獲美國(guó)斯坦福大學(xué)工程經(jīng)濟(jì)系統(tǒng)碩士學(xué)位。創(chuàng)始人具有國(guó)際化視野， 兼具技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)管理經(jīng)驗(yàn)。核心團(tuán)隊(duì)匯聚國(guó)際人才，技術(shù)背景豐富。副總經(jīng)理湯藝擁有多年的 IGBT 芯片技術(shù)研 發(fā)及管理經(jīng)驗(yàn)，負(fù)責(zé)公司 IGBT 芯片技術(shù)研發(fā)工作；副總經(jīng)理戴志展擁有多年半導(dǎo)體元器 件設(shè)計(jì)及系統(tǒng)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，負(fù)責(zé)公司產(chǎn)品測(cè)試和系統(tǒng)應(yīng)用工作；研發(fā)部總監(jiān)劉志紅擁有豐富 的模塊技術(shù)研發(fā)以及實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，負(fù)責(zé)公司模塊封裝技術(shù)研發(fā)工作；工藝部總監(jiān)胡少華一直 從事模塊制造工藝的開發(fā)工作，

5、在模塊制造工藝方面有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累。核心 團(tuán)隊(duì)匯聚國(guó)際人才，濃厚的工程師文化助力公司形成領(lǐng)先的生產(chǎn)工藝及技術(shù)優(yōu)勢(shì)。股權(quán)激勵(lì)綁定核心員工，提升人才粘性。技術(shù)和人才是 IGBT 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的重要因素。 公司歷來(lái)重視優(yōu)秀人才，上市前已設(shè)立員工持股平臺(tái)富瑞德投資，用于對(duì)骨干員工進(jìn)行股 權(quán)激勵(lì)，增強(qiáng)員工對(duì)公司德歸屬感，目前員工持股平臺(tái)持有公司 5.09%股權(quán)。此外，公司 于 2021 年 4 月發(fā)布首期股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃，以 134.67 元/股向 115 名技術(shù)（業(yè)務(wù)）骨干及管 理人員授予股票期權(quán) 65.5 萬(wàn)份。股權(quán)激勵(lì)有利于公司凝聚人心，穩(wěn)定核心團(tuán)隊(duì)，激發(fā)員 工的積極性，為公司的持續(xù)發(fā)展提供強(qiáng)勁

6、動(dòng)力。公司經(jīng)營(yíng)情況持續(xù)向好，盈利能力穩(wěn)定提升。公司營(yíng)業(yè)收入自 2015 年始終保持較高 增速增長(zhǎng)。2019 年受新能源汽車補(bǔ)貼退坡，下游需求疲軟疊加產(chǎn)能瓶頸因素，公司營(yíng)收 增速略有放緩；2020-2021 年，進(jìn)口品牌受疫情影響交付周期拉長(zhǎng)，公司加快客戶導(dǎo)入節(jié) 奏，產(chǎn)能陸續(xù)釋放，公司營(yíng)收增速回升，2021 年?duì)I收更突破 17 億元。憑借過(guò)硬的產(chǎn)品實(shí) 力和品牌口碑，公司獲得較強(qiáng)的議價(jià)能力，盈利能力穩(wěn)定提升，6 年間毛利率由 28.83% 提升至 36.73%，凈利率由 4.69%提升至 23.40%。1.3. 公司重視研發(fā)，核心技術(shù)不斷突破，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先重視研發(fā)投入，保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)。IGBT 屬技術(shù)密

7、集型行業(yè)，且國(guó)內(nèi)技術(shù)起步較晚，需 要大量的研發(fā)投入。公司高度重視研發(fā)工作，持續(xù)加大研發(fā)投入，研發(fā)費(fèi)用率一直保持在 較高水平，確保公司保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。2021 年，公司研發(fā)費(fèi)用達(dá) 1.1 億元，同比增長(zhǎng) 43.0%，占營(yíng)收的比重為 6.5%。國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)第七代微溝槽技術(shù)量產(chǎn)，大幅領(lǐng)先市場(chǎng)。IGBT 的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)為“小 尺寸、高功率、低損耗”，第七代微溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)面積減小 20%、芯片厚度從 120 微米 減少到 80 微米、導(dǎo)通壓降從 1.7V 降到 1.4V，從而大幅提升 IGBT 的性價(jià)比。第七代技術(shù)對(duì)工藝要求極高，芯片的減薄和背面工藝是核心。華虹半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)唯一 擁有 IGBT 全套

8、背面加工工藝的晶圓代工企業(yè)，包括背面薄片、背面離子注入、背面激光 退火、背面金屬等。IGBT 領(lǐng)域設(shè)計(jì)與制造強(qiáng)耦合，通過(guò)與華虹的合作，公司于 2021 年 成功研發(fā)出基于第七代微溝槽 Trench Field Stop 技術(shù)的新一代車規(guī)級(jí) 650V/750V/1200V IGBT 芯片，并于 2022 年開始批量出貨。在國(guó)內(nèi)廠商仍以六代或以下技術(shù)為主的現(xiàn)狀下， 第七代微溝槽 Trench Field Stop 技術(shù)將成為推動(dòng)公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的殺手锏。2.斯達(dá)半導(dǎo)新能源業(yè)務(wù)發(fā)展勢(shì)不可擋，助力公司業(yè)績(jī)騰飛2.1. 汽車電動(dòng)化進(jìn)程加速進(jìn)行，車規(guī) IGBT 迎來(lái)持續(xù)高增長(zhǎng)根據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，2021 年我國(guó)新

9、能源汽車銷量大增達(dá) 352 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 158%；新 能源汽車發(fā)展迎來(lái)拐點(diǎn)，滲透率超過(guò) 13.4%。同期，全球新能源汽車銷量超 650 萬(wàn)輛。技術(shù)突破驅(qū)動(dòng)新能源汽車滲透率未來(lái)加速提升我們認(rèn)為，當(dāng)前新能源汽車的發(fā)展已由政策驅(qū)動(dòng)為主，轉(zhuǎn)向由技術(shù)突破帶來(lái)的市場(chǎng)驅(qū) 動(dòng)為主。新能源汽車在綜合經(jīng)濟(jì)性、外觀造型、智能交互、駕乘體驗(yàn)等方面已經(jīng)全面超越 燃油車。同時(shí)，針對(duì)新能源汽車存在的主要痛點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈上下游積極探索和嘗試，高密度 電池、高壓技術(shù)、超級(jí)混動(dòng)等技術(shù)已逐漸成熟并取得應(yīng)用。2021 年，特斯拉發(fā)布 4680 電池，電池能量密度提高 5 倍，整體續(xù)航表現(xiàn)提升 16%， 每 kWh 價(jià)格降低 14%；

10、比亞迪于 2021 年初推出混動(dòng) DM-i，可油可電續(xù)航最高可達(dá) 1200 公里，而虧電下油耗最低僅 3.8L/百公里，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)燃油車油耗。2022 年 4 月，廣汽埃 安發(fā)布首個(gè)超級(jí)充換電中心，充電站內(nèi)配備 480kW 功率超充樁，匹配高壓快充車型，充電 5 分鐘即可獲 200km 續(xù)航。隨著產(chǎn)業(yè)鏈其他企業(yè)的加速跟進(jìn)，短期內(nèi)阻礙用戶選擇新 能源汽車的問(wèn)題有望將逐步解決。因此我們預(yù)計(jì)新能源汽車銷量會(huì)持續(xù)高增長(zhǎng)，到2025 年中國(guó)新能源汽車出貨量實(shí)現(xiàn) 1160.4 萬(wàn)輛。新能源汽車滲透率提升+產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)促進(jìn)車規(guī) IGBT 量?jī)r(jià)齊升電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是新能源汽車的心臟，而 IGBT 作為其核心器件，可

11、將直流電轉(zhuǎn)為交流電 后驅(qū)動(dòng)汽車電機(jī)，其成本占電機(jī)控制器約 40%。根據(jù)車型不同，單車 IGBT 價(jià)值在 800- 4000 元左右，當(dāng)前平均價(jià)值預(yù)計(jì) 1800 元左右。車規(guī)級(jí) IGBT 未來(lái)五年 CAGR 有望達(dá) 40%+。當(dāng)前電動(dòng)車市場(chǎng) A00 級(jí)車型占比約 27%，而乘用車整體市場(chǎng) A00 級(jí)僅占 4%。隨著新能源汽車技術(shù)日漸完善，A00 級(jí)“試水” 車型占比將逐漸下降，電動(dòng)車銷售結(jié)構(gòu)未來(lái)必然向成熟市場(chǎng)演進(jìn)，從而提高單車 IGBT 價(jià) 值。長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，SiC 模塊有望在高端車型得到大規(guī)模應(yīng)用，考慮到 SiC 模塊價(jià)格是硅基IGBT 的 2 倍以上，未來(lái)車規(guī)級(jí) IGBT 有望實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。因此

12、，考慮 A 級(jí)以上車型占比 提升和 SiC 模塊滲透率提升帶來(lái)的價(jià)格上漲，單車 IGBT 價(jià)值預(yù)估年均增加 5%，我們預(yù) 計(jì)到 2025 年國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)約 250 億元，CAGR 超過(guò) 40%。2.2. 車規(guī) IGBT 產(chǎn)品實(shí)力構(gòu)筑護(hù)城河，斯達(dá)演繹強(qiáng)者恒強(qiáng)客戶認(rèn)證構(gòu)筑護(hù)城河，強(qiáng)者恒強(qiáng)持續(xù)做大國(guó)產(chǎn)車規(guī) IGBT 龍頭，行業(yè)領(lǐng)先。2021 年，公司在新能源汽車業(yè)務(wù)營(yíng)收約 5 億元，2022 年 Q1 車規(guī)級(jí) IGBT 市場(chǎng)占有率為 16.4%，僅次于英飛凌的 22.9%，是國(guó)內(nèi)當(dāng)之無(wú) 愧的龍頭，領(lǐng)先其他國(guó)產(chǎn)品牌。車規(guī)級(jí) IGBT 壁壘極高，除了對(duì)產(chǎn)品的可靠性、安全性、穩(wěn)定性等

13、方面有嚴(yán)苛的要求， 下游企業(yè)的測(cè)試認(rèn)證周期較長(zhǎng)，導(dǎo)入時(shí)間通常需 1-2 年以上。公司率先在新能源汽車領(lǐng)域 積累了大量?jī)?yōu)質(zhì)客戶資源，產(chǎn)品性能得到終端用戶的充分驗(yàn)證，使客戶驗(yàn)證壁壘反而成為 公司的護(hù)城河。品牌和口碑的背書有利于公司持續(xù)開拓導(dǎo)入更多客戶，鞏固其龍頭地位并 占據(jù)更多市場(chǎng)份額，提高潛在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)入該行業(yè)的壁壘，從而形成正向循環(huán)。國(guó)產(chǎn)替代已成趨勢(shì)，龍頭充分受益。車規(guī)級(jí) IGBT 門檻較高，當(dāng)前進(jìn)口廠商依然占據(jù) 國(guó)內(nèi)近 4 成市場(chǎng)份額，且?guī)缀鯄艛喔叨水a(chǎn)品領(lǐng)域。區(qū)別于邏輯芯片，功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)替 代機(jī)會(huì)大：新能源行業(yè)最大的市場(chǎng)和下游客戶都在中國(guó)，國(guó)產(chǎn)替代具備天時(shí)地利人和的優(yōu) 勢(shì)；中美摩擦導(dǎo)致半

14、導(dǎo)體人才回流，同時(shí)國(guó)家政策更加重視半導(dǎo)體人才培養(yǎng)；功率半導(dǎo)體 不參與先進(jìn)制程競(jìng)技，投資門檻略低于邏輯芯片；功率半導(dǎo)體的材料和設(shè)備國(guó)產(chǎn)化難度相 對(duì)較低；新材料剛剛開始大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，國(guó)內(nèi)追趕相對(duì)容易。公司作為國(guó)產(chǎn) IGBT 龍頭， 有望充分受益于國(guó)產(chǎn)替代紅利。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，客戶地位領(lǐng)先，未來(lái)增長(zhǎng)可期配套車型逐步升級(jí)，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。公司車規(guī)級(jí) IGBT 模塊持續(xù)放量，配套車型 覆蓋 A00 級(jí)到 B+級(jí)。就單車 IGBT 價(jià)值而言，A 級(jí)以下車型在 800 元左右，而 B+級(jí)車 型超過(guò) 3500 元。公司有望憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，有望逐步提高 A+級(jí)車型配套占比，預(yù)計(jì) 2022 年將上升到 4

15、5%。2021 年，公司新增多個(gè)使用全 SiC MOSFET 模塊的 800V 系 統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，而 SiC 模組的價(jià)格是同等硅基 IGBT 的 3-5 倍，SiC 模塊布 局將對(duì)公司 2023-2029 年 SiC 模塊銷售增長(zhǎng)提供持續(xù)推動(dòng)力。公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不斷豐富升 級(jí)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品單價(jià)提升。客戶質(zhì)量?jī)?yōu)異，未來(lái)增長(zhǎng)可期。公司的核心客戶包括匯川技術(shù)、上海電驅(qū)動(dòng)、巨一動(dòng) 力等電控領(lǐng)域 Top 10 主要玩家。匯川是國(guó)內(nèi)電控 Tier1 龍頭，市場(chǎng)占有率接近 10%；上 海電驅(qū)動(dòng)和巨一動(dòng)力則為新能源車電驅(qū)廠商。這幾家電控廠商服務(wù)的客戶包括宇通客車、 小鵬、理想、奇瑞、長(zhǎng)城、廣汽等，都是商用

16、車/乘用車銷量龍頭，銷量增長(zhǎng)迅速。公司 手握優(yōu)質(zhì)下游客戶資源，未來(lái)增長(zhǎng)空間巨大。2.3. 光伏發(fā)電快速發(fā)展，新項(xiàng)目導(dǎo)入助力公司業(yè)績(jī)錦上添花光伏行業(yè)未來(lái)高速發(fā)展，IGBT 復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)期達(dá) 17.6%IGBT 在光伏行業(yè)主要應(yīng)用于光伏逆變器，占其價(jià)值量的 15%-20%。由于光伏發(fā)電 輸出的電能不符合電網(wǎng)要求，需通過(guò)光伏逆變器將其整流成直流電，再逆變成符合電網(wǎng)要 求交流電后輸入并網(wǎng)。IGBT 模塊是光伏逆變器的核心器件，占逆變器價(jià)值量的 15%-20%。光伏逆變器根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，主要分為組串式、集中式和集散式逆變器。其中，組串式 逆變器是將光伏組件的直流電通過(guò)多個(gè)逆變器進(jìn)行交流轉(zhuǎn)換后進(jìn)行匯流，其模

17、塊化設(shè)計(jì) 體積小、重量輕，便于搬運(yùn)安裝，適用于中小型光伏發(fā)電站，根據(jù)中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)， 占據(jù)了 66.5%的市場(chǎng)份額；集中式逆變器采用大型逆變器將多個(gè)光伏直流電匯流后轉(zhuǎn)化為 交流電，其逆變器數(shù)量少便于管理，功率密度大，常用于大型光伏發(fā)電站，占據(jù) 28.5%的 市場(chǎng)份額。各國(guó)政策強(qiáng)推新能源，光伏行業(yè)前景光明。2021 年 10 月，國(guó)務(wù)院印發(fā)2030 年前 碳達(dá)峰行動(dòng)方案，強(qiáng)調(diào)大力發(fā)展新能源。全面推進(jìn)風(fēng)電、太陽(yáng)能發(fā)電大規(guī)模開發(fā)和高質(zhì) 量發(fā)展，堅(jiān)持集中式與分布式并舉，加快建設(shè)風(fēng)電和光伏發(fā)電基地。到 2030 年，風(fēng)電、 太陽(yáng)能發(fā)電總裝機(jī)容量達(dá)到 12 億千瓦以上。因此，光伏發(fā)電行業(yè)的迅速發(fā)展將

18、成為 IGBT 模塊行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的又一動(dòng)力。2022 年 5 月歐盟委員會(huì)宣布 Repowereu 的能源計(jì)劃，將 歐盟“減碳 55%”政策組合中 2030 年可再生能源總體目標(biāo)從 40%提高到 45%，并建立專 門的歐盟太陽(yáng)能戰(zhàn)略，到 2030 年安裝 600GW。2025 年全球光伏逆變器用 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模有望突破百億元。根據(jù)中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì) 預(yù)測(cè)，2025 年全球光伏逆變器新增裝機(jī)量有望達(dá)到 330GW，假設(shè)替換裝機(jī)量為十年前的 新增裝機(jī)量。根據(jù)中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì) 2020 年統(tǒng)計(jì)，組串式和集中式逆變器占比分別為 66.5%、28.5%（集散式占比小，暫不考慮進(jìn)計(jì)算中），按照 IGBT

19、 占組串式和集中式逆變器 BOM 成本的 18%和 15%計(jì)算，預(yù)計(jì)全球光伏逆變器用 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將以 17.6%的增 速擴(kuò)大，2025 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 102.7 億元。布局早能力強(qiáng)，公司光伏業(yè)務(wù)增長(zhǎng)可期較早布局光伏賽道，產(chǎn)品快速放量。2015 年以來(lái)，隨著新能源行業(yè)的大力發(fā)展，公 司產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入了光伏發(fā)電行業(yè)。經(jīng)過(guò)前期數(shù)年研發(fā)積累，公司產(chǎn)品得到市場(chǎng)認(rèn)可，市場(chǎng) 需求增長(zhǎng)較快。2020 年，公司自主 IGBT 芯片開發(fā)的適用于集中式光伏逆變器的大功率 模塊系列和組串式逆變器的 Boost 及三電平模塊系列市場(chǎng)份額進(jìn)一步提高，自主 IGBT 芯 片開發(fā)的分立器件獲行業(yè)內(nèi)重點(diǎn)組串式光伏逆變器

20、客戶的批量裝機(jī)應(yīng)用；2021 年，公司 使用自主 650V/1200V IGBT 芯片以及配套快恢復(fù)二極管芯片的模塊和分立器件在國(guó)內(nèi)主 流光伏逆變器客戶大批量裝機(jī)應(yīng)用；同時(shí)，公司繼續(xù)布局寬禁帶功率半導(dǎo)體器件，在光伏 等行業(yè)推出的各類 SiC 模塊得到進(jìn)一步的推廣應(yīng)用。主要客戶均為我國(guó)光伏龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。光伏逆變器是一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)激烈 的市場(chǎng)，我國(guó)光伏企業(yè)依靠成本及全產(chǎn)業(yè)鏈制造優(yōu)勢(shì)，在全球市場(chǎng)中占據(jù)統(tǒng)治地位。據(jù) Wood Mackenzie 統(tǒng)計(jì)，2020 年全球光伏逆變器銷量排名前十的公司，其中 6 家來(lái)自中國(guó)， 包括華為、陽(yáng)光電源等企業(yè)。公司已是國(guó)內(nèi)多家頭主流光伏逆變器客戶的主要供應(yīng)商

21、，如與陽(yáng)光電源已合作超過(guò) 10 年。下游客戶受制于成本及供應(yīng)鏈壓力，進(jìn)口替代需求迫切， 隨著國(guó)產(chǎn) IGBT 性能的不斷提升，為公司帶來(lái)巨大的國(guó)產(chǎn)替代空間。公司在光伏逆變器市場(chǎng)已有成熟的解決方案。根據(jù)公司官網(wǎng)的光伏應(yīng)用方案介紹， 針對(duì)集中式光伏逆變器，公司采用 P2 和 C6.1 系列產(chǎn)品，提供基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高可 靠性方案和靈活的并聯(lián)方案；針對(duì)組串式光伏逆變器，公司提供基于 T 字形三電平和一 字型三電平的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的兩種解決方案。對(duì)于客戶的個(gè)性化需求，公司還提供了基于 T 字 形三電平的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的其他形式解決方案，可滿足光伏行業(yè)的各類應(yīng)用需求。3.斯達(dá)半導(dǎo)布局 SiC 和高壓 IGBT，延續(xù)

22、業(yè)績(jī)長(zhǎng)期高增長(zhǎng)3.1. 第三代半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛，帶動(dòng) SiC 芯片市場(chǎng)崛起SiC 是第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料之一。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材 料為代表的化合物半導(dǎo)體，因其具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的電子飽和速度等優(yōu)異性能，能夠承受更高的電壓、更高的熱導(dǎo)率、更強(qiáng)的輻射。SiC 功率器件具有 高壓、高頻、耐高溫、開關(guān)損耗小、導(dǎo)通電阻低等顯著優(yōu)勢(shì)，可提高功率密度和效率，同 時(shí)有效降低能耗，減小體積，可廣泛應(yīng)用于高壓高頻高溫及高可靠性等領(lǐng)域。以汽車領(lǐng)域?yàn)槔琒iC 功率模組在耐高壓、低損耗、低綜合成本三方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。Sic 芯片作為目前主流的第三代半導(dǎo)體芯片，被廣泛應(yīng)

23、用于新能源汽車等新興高端行業(yè)市 場(chǎng)。SiC MOSFET 與 IGBT 方案相比，可以有效的提升新能源汽車持續(xù)續(xù)航能力、空間利 用等關(guān)鍵指標(biāo)，同時(shí)還可以減小電機(jī)控制器的體積，以特斯拉為代表的部分中高端車型已 經(jīng)開始使用 SiC MOSFET 方案。1） 耐高壓：800V 以上電壓平臺(tái)為了提高充電速率，主流電動(dòng)車電壓平臺(tái)在從 400V 向 800V 以上演進(jìn)，但當(dāng)前車規(guī) 級(jí) IGBT 難以承受 800V 以上電壓。受益于 SiC 材料寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異性能， SiC MOSFET 能滿足 800V 以上電壓平臺(tái)的要求，將成為未來(lái) 800V 高壓平臺(tái)的標(biāo)配。2） 低損耗：低開關(guān)及導(dǎo)通損耗

24、，電驅(qū)系統(tǒng)效率提升SiC MOSFET 擁有更高的開關(guān)頻率和下降的通態(tài)電阻，開關(guān)速度比硅基 IGBT 快，損 耗比硅基 IGBT 少。相同的行駛條件及行駛里程下，在配備 1200V SIC MOSFET 的 800 V 系統(tǒng)中，逆變器能耗降低了 69%，整車能耗降低了 7.6%。3）低綜合成本：提升車輛系統(tǒng)效率單個(gè) SiC 功率器件雖比硅等效器件成本更高，但使用 SiC 器件實(shí)則能節(jié)省系統(tǒng)成本。 需要更少的組件、更小的無(wú)源組件尺寸、更小的冷卻系統(tǒng)、相同里程范圍內(nèi)更小的電池容 量以及更少的設(shè)計(jì)開發(fā)工作量，能耗的降低使得車輛系統(tǒng)效率提高，電池容量需求下降， 節(jié)約的電池成本超過(guò)了 SiC 器件增加的

25、成本，從而使總系統(tǒng)成本降低 6%。SiC 市場(chǎng)快速崛起，市場(chǎng)規(guī)模將迅速成長(zhǎng)。得益于 SiC 材料的性能優(yōu)勢(shì)，下游應(yīng)用場(chǎng) 景豐富，主要包含 EV、快充樁、UPS 電源（通信）、光伏、軌道交通以及航天軍工等領(lǐng) 域，其中新能源汽車行業(yè)有望迎來(lái)快速爆發(fā)，通信、光伏等市場(chǎng)空間較大。目前 SiC 功率 器件主要定位于功率在 1kW-500kW 間、工作頻率在 10KHz100MHz 間的場(chǎng)景，特別是 一些對(duì)能量效率和空間尺寸要求較高的應(yīng)用，如新能源汽車、光伏微型逆變器、電力牽引、 智能電網(wǎng)、電源等領(lǐng)域，可取代部分硅基 MOSFET 與 IGBT。據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì)，2021 年 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模

26、達(dá) 10.90 億美元，預(yù)計(jì)到 2027 年將增長(zhǎng)至 62.97 億美元，2021-2027 年復(fù)合增速高達(dá) 34%。3.2. 智能電網(wǎng)、軌交、風(fēng)電行業(yè)快速發(fā)展，高壓 IGBT 需求持續(xù)上升高壓 IGBT（1700V）廣泛用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端。在 發(fā)電端，風(fēng)整流器和逆變器都需要使用 IGBT 模塊；在輸電端，特高壓直流輸電中 FACTS 柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件；在變電端，IGBT 是電力電子變壓器（PET） 的關(guān)鍵器件。目前國(guó)內(nèi)柔性直流輸電用 3300V 和 4500V 高壓 IGBT 基本依賴進(jìn)口，亟需 發(fā)展國(guó)產(chǎn)高壓 IGBT 器件，支撐國(guó)家重大裝

27、備和重點(diǎn)工程的發(fā)展。高壓 IGBT 有望受益于我國(guó)軌道交通持續(xù)快速發(fā)展。軌道交通用 IGBT 的電壓等級(jí) 一般為 12006500V，其中干線鐵路主型器件一般采用 3300V、4500V 及 6500V 電壓等級(jí)的 IGBT 模塊。高壓 IGBT 是軌交列車“牽引變流器”的核心功率器件，主變流器特殊的 負(fù)載特性和復(fù)雜的運(yùn)行環(huán)境，所使用的 IGBT 需承受極端的溫度和劇烈的機(jī)械沖擊，且 動(dòng)、靜態(tài)特性與可靠性要求更高，其溫度循環(huán)壽命和功率循環(huán)壽命一般是普通工業(yè)級(jí) IGBT 的 10 倍。綠色交通大背景下，我國(guó)城市軌道交通正步入穩(wěn)定發(fā)展階段，據(jù)交通運(yùn) 輸部數(shù)據(jù)，2021 年我國(guó)新增城市軌道交通線路

28、35 條，新增運(yùn)營(yíng)里程 1168 公里，同比增 長(zhǎng) 15%。風(fēng)電在電力生產(chǎn)結(jié)構(gòu)中的占比逐年上升，為高壓 IGBT 帶來(lái)增量需求。“十三五” 以來(lái)，我國(guó)海上風(fēng)電快速發(fā)展，已成為僅次于英國(guó)和德國(guó)的世界第三大海上風(fēng)電國(guó)家，未 來(lái)仍將繼續(xù)保持快速發(fā)展。目前風(fēng)電的風(fēng)機(jī)功率等級(jí)主要以 2-7MW 為主，未來(lái)將達(dá)到 10- 20MW，風(fēng)機(jī)向著更高功率等級(jí)的發(fā)展勢(shì)必會(huì)帶來(lái) 3300V 和 4500V 等高壓 IGBT 器件的 需求。同時(shí)，大陸風(fēng)電增速受 IGBT 器件進(jìn)口受限影響，高壓 IGBT 作為風(fēng)電變流器的核 心功率器件，亟需完成國(guó)產(chǎn)替代。3.3. 前瞻布局 SiC 和高壓 IGBT，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代步伐募

29、資 35 億元加碼 SiC 和高壓 IGBT。2021 年 9 月，公司宣布定增申請(qǐng)獲證監(jiān)會(huì) 審核通過(guò)，將募資 35 億元用于 SiC 芯片、高壓 IGBT 的研發(fā)及生產(chǎn)。募投項(xiàng)目達(dá)產(chǎn) 后預(yù)計(jì)將新增年產(chǎn) 6 萬(wàn)片 6 英寸 SiC 芯片、年產(chǎn) 30 萬(wàn)片 6 英寸高壓 IGBT 芯片、年 產(chǎn) 400 萬(wàn)片 IGBT 模塊的產(chǎn)能，持續(xù)擴(kuò)大以 IGBT 模塊、SiC 模塊為代表的功率半導(dǎo) 體模塊產(chǎn)能，穩(wěn)固公司龍頭地位。加快技術(shù)突破，打破國(guó)外壟斷格局。公司本次募資布局 SiC，有助于加快我國(guó)第三代 半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)突破，抓住行業(yè)新材料升級(jí)機(jī)遇，打破國(guó)外龍頭企業(yè)壟斷格局，改 變當(dāng)前關(guān)鍵元器件嚴(yán)重進(jìn)

30、口依賴的局面，推動(dòng) SiC 芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。公司積極布局寬禁 帶功率半導(dǎo)體器件，對(duì)機(jī)車牽引輔助供電系統(tǒng)推出了低電感 SiC 模塊；在新能源汽車領(lǐng) 域推出了低損耗車用 SiC 模塊；在光伏領(lǐng)域推出了混合 SiC 模塊。把握新能源汽車市場(chǎng)機(jī)遇，打開未來(lái)增長(zhǎng)空間。2021 年，公司車規(guī)級(jí) SiC 模塊已獲 國(guó)內(nèi)外多家著名車企和 Tier1 客戶的項(xiàng)目定點(diǎn)，本次募投項(xiàng)目量產(chǎn)后，公司將擁有自研車 規(guī)級(jí) SiC MOSFET 模塊，迅速拓展新能源汽車市場(chǎng)份額，為公司業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)打下扎實(shí) 基礎(chǔ)。豐富公司產(chǎn)品矩陣，全面提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司本次募資布局高壓 IGBT，可滿足智 能電網(wǎng)、軌道交通、風(fēng)力發(fā)電行業(yè)高壓功率芯片的需求，豐富公司產(chǎn)品線。同時(shí)，加快我 國(guó)高壓 IGBT 芯片的技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)高壓功率器件的國(guó)產(chǎn)化替代，為后續(xù)發(fā)展儲(chǔ)備堅(jiān)實(shí)動(dòng) 能。4.傳統(tǒng)工控需求穩(wěn)定，支撐IGBT穩(wěn)定增長(zhǎng)4.1. 工控領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，IGBT 需求穩(wěn)中有進(jìn)IGBT 在工控領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，是變頻器、逆變焊機(jī)等傳統(tǒng)工控及電源行業(yè)的核心器件。作為電力電子行業(yè)的“CPU”，IGBT 能夠