1、1Wien2kVASP贗勢的代表, wien2k全勢的代表.VASP是基于贗勢的方法,即用一個平緩的勢代替內(nèi)部電子和原子的核的勢.Wien2k是全電子勢的方法,劃分電子勢的方法,即采用MT球的方法,球內(nèi)采用球斜函數(shù)展開,間隙用平面波.Wien2k耗時,但是更精確更精確,因此預(yù)測電子結(jié)構(gòu),化學(xué)鍵比較準確，當然做其他性質(zhì)的計算也是很精確的. VASP,適合適合大體系的計算大體系的計算.在有足夠的資源支持下,而且體系不大,選Wien2k,反之,選Vasp.2大體系也可采用Siesta, Atomistix ToolKit(ATK)，Pwscf等可在小木蟲獲得相關(guān)的資料和幫助。球內(nèi)部：原子間：3Wie

2、n2k的安裝：Wien2k只有Linux版本，安裝比Material Studio要復(fù)雜。4需要安裝的數(shù)學(xué)工具：因為wien2k_08是用fortran 90編寫的，所以需要安裝相應(yīng)的編譯器如intel fortran以及數(shù)學(xué)庫intel mkl，配置好編譯器和庫的路徑。/etc/ld.so.conf中添加(還需要看具體路徑)/opt/intel/fce/10.1.018/lib/opt/intel/cmkl/9.1/lib/em64t在/etc/profile中添加：PATH=/opt/intel/ fce/10.1.018/bin:$PATHPATH=/opt/intel/idbe/10.

3、1.018/bin:$PATHexport PATHMANPATH=/opt/intel/idbe/10.1.018/man:$MANPATHMANPATH=/opt/intel/fce/10.1.018/man:$MANPATHexport MANPATHLD_LIBRARY_PATH=/opt/intel/cmkl/9.1 /lib/em64t:$LD_LIBRARY_PATHLD_LIBRARY_PATH=/opt/intel/fce/10.1.018/lib:$LD_LIBRARY_PATHexport LD_LIBRARY_PATHINCLUDE=/opt/intel/cmkl/9.

4、1 /include:$INCLUDEexport INCLUDEIFLPATH=/opt/intel/fce/10.1.018/libexport IFPATHMKLPATH=/opt/intel/cmkl/9.1 /lib/em64texport MKLPATHINTEL_LICENSE_FILE=/opt/intel/licensesexport INTEL_LICENSE_FILE5編譯過程：gunzip *.gz 解壓縮所有的文檔chmod +X ./expand_lapw #改變屬性使expand_lapw 成為可運行文檔。./expand_lapw 解壓縮所有的lapw文檔./s

5、iteconfig_lapw #根據(jù)自己的系統(tǒng)進行編譯配置678Compiler options: -FR -w -mp1 -prec_div -pad -ip -O3 -xPLDFLAGS設(shè)置：-L/opt/intel/cmkl/9.1/lib/em64t -Bstatic -lguide -Bdynamic -lpthread 并行過程的設(shè)置：shared memory一項選擇y，接下來選擇y和mpif90。如果為集群，可以選擇n，rsh，y和mpif90。RP_LIBS的設(shè)置：L/opt/intel/cmkl/9.1/lib/em64t/libmkl_scalapack.a L/opt/

6、intel/cmkl/9.1/lib/em64t/libmkl_lapack.a L/opt/intel/cmkl/9.1/lib/em64t/libmkl_em64t.a L/opt/intel/cmkl/9.1/lib/em64t/libguide.a L/opt/intel/fce/10.1.018/lib/libsvml.a L/opt/intel/cmkl/9.1/lib/em64t/libmkl_blacs.aL/opt/intel/cmkl/9.1/lib/em64t/libmkl_gfortran.a 9編譯運行接口界面 ./w2web，帳號密碼10使用：11請大家把工作目錄設(shè)

7、在請大家把工作目錄設(shè)在/home/msemsi/wien2k/work/121314“Save Structure” “set automatically RMT and continueediting ”:Reduce RMTs by 3% 15save clean up16nn-bondlength factor: 217Number of k-points: 1000文件管理：18計算過程可查看TiC.dayfile19性能分析（類似于性能分析（類似于material studio 中的中的analysis）：）：20電子密度圖：電子密度圖：如果有如果有XCRYSDEN（需要另外安裝）

8、: 選擇2D-plot設(shè)定分辨率為設(shè)定分辨率為100 點點(first line)選擇選擇3個原子定義一個面?zhèn)€原子定義一個面選擇矩形區(qū)域，并放大選擇矩形區(qū)域，并放大計算電子密度，產(chǎn)生輪廓計算電子密度，產(chǎn)生輪廓選擇顏色選擇顏色晶體結(jié)構(gòu)用球棒模型表示晶體結(jié)構(gòu)用球棒模型表示21沒有 XCRYSDEN, 則需要編輯 TiC.in5-1 -1 0 4 # origin of plot (x,y,z,denominator)-1 3 0 4 # x-end of plot3 -1 0 4 # y-end of plot3 2 3 # x,y,z number of shells100 100 # x, y

9、 plotting mesh, choose ratio similar to x,y lengthRHOANG VAL NODEBUGORTHOCalculate electron density (x lapw5)Plot output (using rhoplot), after the first preview select a range zmin=-0.5 to zmax=22223分析態(tài)密度譜：Calculate partial charges (x lapw2 -qtl).242526分析能帶結(jié)構(gòu)：各軌道的共享27課后練習(xí)（輸入結(jié)構(gòu)并計算物性）：NiAl3N4 215_P-43m, a=0.4436nm Ni (0, 0, 0); Al (0.5, 0