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文檔簡介

1、認識晶體管認識晶體管 晶體管(晶體管(transistor)是最常用的固體半導)是最常用的固體半導體器件之一。具有檢波、整流、放大、開關、體器件之一。具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能,通常在開關、穩壓、信號調制等多種功能,通常在開關、放大、混頻電路中被使用。放大、混頻電路中被使用。 晶體管有三個極:雙極性晶體管的三個晶體管有三個極:雙極性晶體管的三個 極,分別由極,分別由N型跟型跟P型組成發射極型組成發射極(Emitter)、基極)、基極(Base) 和集電極和集電極(Collector)三極管結構三極管結構三極管主要參數三極管主要參數 三極管直流參數三極管直流參數 三極管

2、交流參數三極管交流參數 三極管極限參數三極管極限參數 三極管輸入特性曲線三極管輸入特性曲線 三極管輸出特性曲線三極管輸出特性曲線三極管直流參數三極管直流參數 (1)集電極一基極反向飽和電流集電極一基極反向飽和電流Icbo,發射極開路(Ie=0)時,基極和集電極之間加上規定的反向電壓Vcb時的集電極反向電流,它只與溫度有關,在一定溫度下是個常數,所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管,Icbo很小,小功率鍺管的Icbo約為110微安,大功率鍺管的Icbo可達數毫安,而硅管的Icbo則非常小,是毫微安級。 (2)集電極一發射極反向電流集電極一發射極反向電流Iceo(穿透電流)穿透電流)基

3、極開路(Ib=0)時,集電極和發射極之間加上規定反向電壓Vce時的集電極電流。Iceo大約是Icbo的倍即Iceo=(1+)IcbooIcbo和Iceo受溫度影響極大,它們是衡量管子熱穩定性的重要參數,其值越小,性能越穩定,小功率鍺管的Iceo比硅管大。 (3)發射極發射極-基極反向電流基極反向電流Iebo集電極開路時,在發射極與基極之間加上規定的反向電壓時發射極的電流,它實際上是發射結的反向飽和電流。 (4)直流電流放大系數直流電流放大系數1(或(或hEF)這是指共發射接法,沒有交流信號輸入時,集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值,即:1=Ic/Ib三極管交流參數三極管交流參數 (

4、1)交流電流放大系數交流電流放大系數(或(或hfe)這是指共發射極接法,集電極輸出電流的變化量Ic與基極輸入電流的變化量Ib之比,即:=Ic/Ib一般晶體管的大約在10-200之間,如果太小,電流放大作用差,如果太大,電流放大作用雖然大,但性能往往不穩定。 (2)共基極交流放大系數共基極交流放大系數(或(或hfb)這是指共基接法時,集電極輸出電流的變化是Ic與發射極電流的變化量Ie之比,即:=Ic/Ie因為IcIe,故1。高頻三極管的0.90就可以使用與之間的關系:=/(1+)=/(1-)1/(1-) (3)截止頻率截止頻率f、f當下降到低頻時0.707倍的頻率,就是共發射極的截止頻率f;當下

5、降到低頻時的0.707倍的頻率,就是共基極的截止頻率fof、f是表明管子頻率特性的重要參數,它們之間的關系為:f(1-)f (4)特征頻率特征頻率fT因為頻率f上升時,就下降,當下降到1時,對應的fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數。三極管極限參數三極管極限參數 (1)集電極最大允許電流ICM當集電極電流Ic增加到某一數值,引起值下降到額定值的2/3或1/2,這時的Ic值稱為ICM。所以當Ic超過ICM時,雖然不致使管子損壞,但值顯著下降,影響放大質量。 (2)集電極-基極擊穿電壓。當發射極開路時,集電結的反向擊穿電壓稱為基極擊穿電壓。 (3)發射極-基極反向擊穿電壓。當集電極開路時

6、,發射結的反向擊穿電壓稱為基極反向擊穿電壓。 (4)集電極-發射極擊穿電壓BVCEO。當基極開路時,加在集電極和發射極之間的最大允許電壓,使用時如果VceBVceo,管子就會被擊穿。 (5)集電極最大允許耗散功率PCM集電流過Ic,溫度要升高,管子因受熱而引起參數的變化不超過允許值時的最大集電極耗散功率稱為PCM。管子實際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc=UceIc.使用時慶使PcPCM。PCM與散熱條件有關,增加散熱片可提高PCM。三極管輸入特性曲線三極管輸入特性曲線 三極管輸出特性曲線三極管輸出特性曲線 晶體管分類晶體管分類 晶體管可以按照其材料、工藝、電流容量、工作頻率、封

7、裝結構、功能和用途進行分類。 常見的晶體管種類有:半導體晶體管、電力晶體管、光晶體管、雙極晶體管、雙極結型晶體管 、場效應晶體管、靜電感應晶體管、單電子晶體管、絕緣柵雙極晶體管等。晶體管主要參數(同三極管幾乎一晶體管主要參數(同三極管幾乎一樣)樣)晶體管的主要參數有: 電流放大系數電流放大系數 耗散功率耗散功率 頻率特性頻率特性 集電極最大電流集電極最大電流 最大反向電壓最大反向電壓 反向電流等反向電流等 用萬用表測晶體管的基極和型號用萬用表測晶體管的基極和型號 選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,先用紅表筆接一個管腳,黑表筆接另一個管腳,可測出兩個電阻值,然后再用紅表筆接另一個管腳,重復上述步驟,又測得一組電阻值,這樣測3次,其中有一組兩個阻值都很小的,對應測得這組值的紅表筆接的為基極,且管子是PNP型的; 反之,若用黑表筆接一個管腳,重復上述做法,若測得兩個阻值都小,對應黑表筆為基極,且管子是NPN型的。晶體管優越性晶體管優越性 同電子管相比,晶體管具有諸多優越性:同電子管相比,晶體管具有諸多優越性: 構件沒有消耗構件沒有消耗 消耗電能極少消耗電能極少 不需預熱不需預熱 結實可靠結實可靠用萬用表測集電極和發射極用萬用表測集電極和發射極 因為三極管發射極和集電極正確連接時大(表針擺動幅度大),反接時就小得

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