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文檔簡介

1、2009-10-24 PWB工藝流程1PWB工藝流程介紹工藝流程介紹2009-10-24 PWB工藝流程22009-10-24 PWB工藝流程3基板寫真基板寫真2009-10-24 PWB工藝流程4基板名稱基板名稱 Frame Piece3連接2009-10-24 PWB工藝流程5生產單位生產單位 Sheet (枚枚) 基板在實際生產過程中實際是按照基板在實際生產過程中實際是按照“sheet” 為基本單位,一般量產情況下為基本單位,一般量產情況下32Sheets為為1lot(試驗品存在試驗品存在16s/lot的情況的情況),產品的管理和流動是以,產品的管理和流動是以lot為單位。為單位。Lot

2、Worksize (mm):一廠一廠: 415*510、515*510;二廠二廠: 410*614、424*614、510*614;2009-10-24 PWB工藝流程6基板的層構成基板的層構成PWB板實際上就是一個電路,一個復雜的立體電路: 1,有多層線路圖形;每層線路圖形都很復雜;線路圖的厚度有要求; 2,各層間線路間需要有介電材料 (絕緣材料)隔開;介電層也有厚度要求; 3,層與層間的線路設計需要連通,連通是通過鍍銅的孔來實現的;孔有機械加工的孔,也有激光脈沖加工的孔;鍍銅孔有填滿的鍍銅孔,也有只在孔壁上鍍一層的孔,鍍銅條件是不同的。 4,結構對稱:基板上下層的構成是對稱的,基板生產時由

3、內向外; 5,對位:孔與相關層連接要求孔與相應圖形要對應,即對位要好。否則錯位會導致斷路(開路)。 6,收縮率:由于基板介電材料是高分子材料,基板存在一定的收縮率,且各層收縮率不同;盡管收縮率不大,但對產品對位影響非常大。理論各層尺寸設計的比例為1,而實際上各層尺寸(Scale)不為1。另外,設備精度線體的波動等也會對Scale產生影響。某產品基板的截面示意圖:2009-10-24 PWB工藝流程77,基板外表面需要做表面處理: 鍍Ni/Au(印刷碳油墨) :降低接觸電阻,抗腐蝕性,耐磨性,焊接輔助; 抗氧化處理:封裝元器件的位置,為銅表面,高溫下可以封裝; 阻焊劑:不需要封裝的位置,保護基板

4、(A. 防焊:留出板上待焊的通孔及其pad,將所有線路及銅面都覆蓋住,防止波焊時造成的短路,并節省焊錫之用量。B. 護板:防止濕氣及各種電解質的侵害使線路氧化而危害電氣性質,并防 止外來的機械傷害以維持板面良好的絕緣。C. 絕緣:由于板子愈來愈薄,線寬距愈來愈細,故導體間的絕緣問題日形突 顯,也增加防焊漆絕緣性質的重要性。)。2009-10-24 PWB工藝流程8相關概念相關概念Laser Via Hole (unfilled)Laser Via Hole (filled)Inner Via HoleNon Plated Though Hole導體層導體層介電層介電層(絕緣層絕緣層)碳層碳層O

5、SP層層SR層層 線路板實際是多層線路圖形通過導通孔形成的網絡立體電路。導體層:即銅形成的線幅圖形,其厚度稱為導體厚,圖中產品為8層板;介電層(絕緣層):導體層間部分,起到絕緣作用,其厚度成為層間厚;一般由環氧樹脂構成。Inner via hole: 簡稱IVH孔,使用機械設備加工(機械鉆孔),在孔壁上鍍上一層銅,一般產品內層間連接導通作用。Laser via hole: 簡稱LVH孔(激光孔),使用激光(CO2)脈沖加工。一般產品內層激光孔使用填孔鍍銅工藝,外層為非填孔鍍銅工藝(孔壁鍍銅)。NPTH孔:非鍍銅通孔, 作用是基板機械加工和封裝時起定位作用。部分產品有PTH孔(Plated Th

6、ough Hole),一般是散熱作用。表面:solder resist 層:簡稱SR層,阻焊層。作用是手機做表面封裝時防止錫焊連接不需要封裝的圖形上導致短路; 碳層、Ni/Au層:產品外層圖形部分圖形需要做碳表面處理或鍍Ni/Au處理,以增強其線路導體能力。 OSP層: Organic Solderable Preservative(有機可焊性保護劑):基板完成后,封裝部位外層銅圖形很容易氧化,需要做抗氧化處理,OSP就起到抗氧化的作用。2009-10-24 PWB工藝流程9Layer 1Layer 5基板各層圖形基板各層圖形(例例)目前目前Ibiden量產品線幅寬度和間隙規格能達到量產品線幅

7、寬度和間隙規格能達到60/60um,正在準備評價,正在準備評價50/50um規格;規格;2009-10-24 PWB工藝流程10概念概念lPWB:Printed Wiring Board (印刷線路板印刷線路板)lPCB: Printed Circuit Board (印刷電路板印刷電路板)lHDI:High Density Interconnection(高密度互聯技術高密度互聯技術 ).lFVSS:Free Via Stacked up Structure (任意疊孔互連技術任意疊孔互連技術 )lFV1:PWB technology with two or more build-up la

8、yers with stacked and filled micro vias on top of mechanically drilled core.lFV3: Any layer micro via structure with stacked and filled micro via. (01年年-現在)現在) (05年年-現在)現在) (未來)(未來)HDIFVSS-1FVSS-32009-10-24 PWB工藝流程11常見的層構成常見的層構成(HDI)1+2+11+4+11+6+1 該類產品一般層構成較簡單,外層有一次激光孔加工,除外層外其他層通過IVH孔導通。目前產品原則上在一工廠

9、量產。 另外,目前產品還有1+8+1,1+10+1結構(I 社)。2009-10-24 PWB工藝流程12常見的層構成常見的層構成(FV1)3+2+32+4+24+2+43+4+3該類產品一般層構成相對復雜,圖形規格要求更加嚴格,一般在二工廠量產,部分該類產品一般層構成相對復雜,圖形規格要求更加嚴格,一般在二工廠量產,部分2+4+2可以在可以在第一工廠量產,二工廠生產效率高一點兒。第一工廠量產,二工廠生產效率高一點兒。2009-10-24 PWB工藝流程13原材料原材料NameStructurePhotoCCL: Copper Clad Laminate (Core, 兩面附銅板兩面附銅板)P

10、P : Prepreg (半固化片半固化片)RCF : Resin coated Copper Foil (單面附銅板單面附銅板)Copper Foil (銅箔銅箔)Glass Fiber (玻璃布)(玻璃布)Copper Foil(銅箔銅箔)Copper FoilResin(樹脂樹脂)ResinGlass FiberResinCopper FoilGlass Fiber2009-10-24 PWB工藝流程14Filled Via (with Copper) 填充孔填充孔連接 L2-L3 / L6-L7L6L5L4L3L7L2L8L1IVH(Inner Via Hole)內層孔/埋孔連接L3-

11、6CCLRCFPrepregPrepregPrepregPrepregRCF截面圖截面圖 (cross section of PWB)LVH (Laser Via Hole )激光孔激光孔連接 L1-2 / L7-8以2+4+2結構產品為例,介紹產品流動工藝:2009-10-24 PWB工藝流程151) CCL preparation (CCL: Copper Clad Laminate)(取板)(取板)Copper foil Glass fiber and epoxy resin Making tooling holes.(鉆孔)(鉆孔)取板后基板的狀態設備照片Layer 4,5(H11)

12、注意:不同層結構產品取板打孔程序不同;一、二工廠取板打孔程序不同; CCL尺寸要比worksize大; 二工廠CCL材料尺寸為大板(1047*1255; 932*1255),需要切割;2009-10-24 PWB工藝流程162) DFR lamination after pretreatment.(貼膜貼膜) DFR(Dry Film Resist)首先,基板表面的清潔和粗糙,然后是貼膜。Layer 4,5(H11) 前處理設備前處理設備貼膜設備貼膜設備2009-10-24 PWB工藝流程17Layer 4,5(H11) 3) Exposure(露光)(露光)Ultra Violet 掩膜掩膜

13、 使用紫外線(Ultra Violet)露光(exposure),露光的位置抗蝕干膜(DFR)變硬。玻璃干板玻璃干板露光后基板露光后基板露光機露光機2009-10-24 PWB工藝流程18Layer 4,5(H11) 4) DFR develop(顯影)(顯影)Spray aqueous Na2CO3使用Na2CO3把沒有露光(non-exposure)的干膜去除掉; 顯影后照片顯影后照片2009-10-24 PWB工藝流程195) Etching(蝕刻)(蝕刻)Spray aqueous CuCl2 沒有被干膜覆蓋區域的銅將被 CuCl2溶液蝕刻掉Layer 4,5(H11) 蝕刻后基板照片

14、蝕刻后基板照片2009-10-24 PWB工藝流程206) DFR Striping(剝膜)(剝膜) Spray aqueous NaOH 將剩余的干膜使用 NaOH 溶液去除掉。Layer 4,5(H11)剝膜后基板照片剝膜后基板照片注意: 1,從前處理到剝膜后的這段工序整體稱為PT圖形形成工序(簡稱PT工序),是線路板生產的核心工序 ”心臟”。 2,前處理和貼膜工序是一條流水線;顯影、蝕刻、剝膜三個工序是在一起的一條流水線; 3,實際上貼膜時干膜表面還有一層塑料保護膜,在顯影前,有一個剝膜工序將塑料保護膜剝除。2009-10-24 PWB工藝流程217) inspection(圖形檢查)(

15、圖形檢查)CCD Camera Short and Open defect 使用AOI 檢查機(Automatic Optical Inspection) 檢查基板的缺陷Layer 4,5(H11)缺口缺口針孔針孔斷線斷線2009-10-24 PWB工藝流程22Surface after BO.(顯微照片)(顯微照片)8) Black oxide(黒化黒化/粗化)粗化)Layer 4,5(H11) 黒化/粗化的目的:使銅的表面變得粗糙,增加樹脂與銅箔的結合力,使之結合的更牢固黒化后基板照片黒化后基板照片粗化后基板照片粗化后基板照片 黑化和粗化的目的是相同的,工藝方面存在一些差別,之前產品都使用

16、黑化工藝,為降低成本,近期剛切換為粗化工藝。2009-10-24 PWB工藝流程23預疊機照片9) Lay up(預疊)(預疊)如上圖,疊加過程一直繼續,直到達到一定的高度。預疊結束后的照片Layer 4,5(H11)一次層壓的疊加數量稱為一垛,一般一垛有5-6lot; 銅箔PP基板PPLay3Lay4Lay5Lay6銅箔 銅箔PP基板PPLay3Lay4Lay5Lay6銅箔隔離板隔離板(中間板)隔離板2009-10-24 PWB工藝流程241) Lamination press(層壓)(層壓) 銅箔PP基板PPLay3Lay4Lay5Lay6銅箔 銅箔PP基板PPLay3Lay4Lay5La

17、y6銅箔隔離板壓力壓力壓力壓力代表熱代表壓力層壓機、冷卻機照片 為了保證層壓的質量和提高生產率,必須對冷卻過程進行控制。注意冷卻時仍然需要加壓;冷卻后解體; 注意:熱量的提供和壓力的提供方式的區別。Layer 3,6(H10)2009-10-24 PWB工藝流程25定位孔定位孔2) 4-Hole X Ray (2-Hole X Ray)(X線定位打孔)線定位打孔)層壓后留下的毛邊3) Edge Routing(切邊)(切邊)切邊后的照片切邊前的照片注意毛邊注意基板邊,整齊干凈目的:為切邊和機械打孔提供定位孔Layer 3,6(H10)切邊的目的:將基板加工至所需尺寸(根據板型確定加工條件),完

18、工確認時檢查毛邊。孔徑: 一廠5.0mm(4孔,) 二廠3.15mm(2孔,中心定位)4) Half Etching(半蝕刻半蝕刻)目的: 調整銅箔厚度,以達到客戶要求導體厚。 一般蝕刻量為4.5+/-1.0mm(全面蝕刻); 2009-10-24 PWB工藝流程265) IVH-Drill (機械鉆孔)(機械鉆孔)Lay3Lay4Lay5Lay6樹脂殘留樹脂殘留 IVH:Inner Via Hole鉆孔的目的:層與層之間導通機械鉆孔設備照片Layer 3,6(H10) 基板鉆孔后的照片2009-10-24 PWB工藝流程276) 4 Roll Grind(研磨)(研磨)研磨的目的:去除鉆孔可

19、能產生的毛刺研磨的目的:去除鉆孔可能產生的毛刺, 以及殘留的樹脂,使表面清潔。以及殘留的樹脂,使表面清潔。研磨設備照片研磨設備照片7) Panel plating (鍍銅)(鍍銅)目的:給IVH鍍銅,使層與層之間導通 鍍銅鍍銅后照片鍍銅后照片Layer 3,6(H10) 截面圖截面圖2009-10-24 PWB工藝流程28 鍍完銅以后進入H10層圖形形成的過程,和H11層的圖形形成過程一樣。Layer3Layer6Layer4Layer5Layer 3,6(H10) 8) PT工序(前處理工序(前處理-貼膜貼膜-露光露光-顯影顯影-蝕刻蝕刻-剝膜)剝膜)2009-10-24 PWB工藝流程29

20、和H11層的圖形形成過程一樣:H10層圖形形成以后,為了確認圖形有無缺陷,需要對基板進行AOI檢查。同H11層Layer 3,6(H10) 9) AOI檢查檢查10)黒化黒化/粗化粗化 預疊預疊2009-10-24 PWB工藝流程30過程類似H11-10層。圖示為層壓后的效果圖Layer 2,7(H90) 1) 層壓層壓2009-10-24 PWB工藝流程314.978mm X線打孔(3.15mm孔) 切邊 2.0 X線打孔注意:此過程同第一次,該層增加了2.0 X線打孔。N/C5.0孔2.0孔注意此孔和其它2.0孔位置的區別2.0孔的目的:為激光打孔提供對位孔 2.0孔后的半蝕刻(HET)工

21、序,目的:降低銅箔的厚度,使導體厚符合客戶要求;同時也為激光打孔做準備,降低銅箔厚度,便于激光加工。Layer 2,7(H90) 2) X線打孔線打孔/切邊切邊3) 半蝕刻半蝕刻2009-10-24 PWB工藝流程32 激光前處理(LPT),把銅的表面變得粗糙(即把銅氧化),防止由于銅面形成鏡面作用對激光起到反射作用,而造成激光無法打孔。光被反射光被吸收激光前處理(LPT)激光打孔(LSH)示意圖LPT后基板照片LSH后基板照片Layer 2,7(H90) 4)激光前處理激光前處理/激光打孔激光打孔LSH孔放大照片75um2009-10-24 PWB工藝流程33 激光鉆孔后,孔內會有樹脂殘留,

22、而且可能還有其它異物,造成孔內不清潔,而給下一個工序-鍍銅帶來困難。所以在到達鍍銅之前必須把異物去除-即去鉆污。同時也把被氧化的銅去除。異物去鉆污前激光孔照片去鉆污前激光孔照片去鉆污后激光孔照片去鉆污后激光孔照片Layer 2,7(H90) 5)去鉆污去鉆污注意:目前鍍銅工序部分線體前端已經包含了去鉆污工序;注意:目前鍍銅工序部分線體前端已經包含了去鉆污工序;2009-10-24 PWB工藝流程34 為了層與層之間的貫通,要進行鍍銅,注意H90層的鍍銅是填孔鍍銅(即把激光孔填滿)。為了能夠盡可能的在孔內填滿銅,公司的鍍銅線采用的脈沖鍍銅。 鍍銅之后,根據客戶對導體厚的要求,一部分產品還需要做一

23、次半蝕刻工序(蝕刻量4.5+/-1um), 調整導體厚度;另一部分產品鍍銅后導體厚度已經達到客戶規格,不需要做該工序。Layer 2,7(H90) 6) 填孔鍍銅填孔鍍銅7) 半蝕刻半蝕刻8) 盲孔檢查盲孔檢查(INP)鍍銅后激光孔位置銅面會存在一定的凹陷量;如果凹陷量過大,會影響后面貼膜不良以及蝕刻不良問題,可能導致圖形形成大量不良或廢棄,甚至影響到外層的品質。一般凹陷量需要控制在20um以下。2009-10-24 PWB工藝流程35 H90層圖形形成過程同H10和H11:Layer 2,7(H90) 9) PT圖形形成圖形形成10) 蝕刻蝕刻11) AOI檢查檢查12)黒化黒化 預疊預疊注

24、意:外層使用材料RCF2009-10-24 PWB工藝流程36 5.0X線(3.15mm) 切邊 2.0X線Layer 1,8(M) 1) 層壓層壓層壓后效果圖如下圖所示:2) X線打孔線打孔/切邊切邊3)半蝕刻半蝕刻2009-10-24 PWB工藝流程37 激光打孔前處理(LPT) 激光打孔(LSH) 去鉆污(Desmear):Layer 1,8(M) 4)激光孔加工激光孔加工2009-10-24 PWB工藝流程38 Layer 1,8(M) 5)鍍銅鍍銅(非填孔鍍銅非填孔鍍銅)外層激光孔直徑:100um2009-10-24 PWB工藝流程39 注意觀察鍍銅后最終效果,H90層的激光孔是填孔

25、鍍銅,M層的激光孔是非填孔鍍銅。 非填孔鍍銅填孔鍍銅Layer 1,8(M) 6)PT形成形成7) AOI檢查檢查2009-10-24 PWB工藝流程40v 露出銅的部分用于焊接電子元器件綠色部分為阻焊劑 阻焊膜形成過程:Surface of PWB (表面表面)原理圖流程:LP印刷(L1面) 指觸干燥 LP印刷(L8面)指觸干燥 露光(露光機)顯影(未曝光位置蝕刻掉)本干燥(UV固化,只針對金品) 8) LPSR工序工序(阻焊劑阻焊劑Liquid Photoimagible Solder Mask) 實際上,目前LPSR工序使用的油墨為感光油墨,LP油墨全面印刷后,露光,沒有曝光位置通過蝕刻

26、液蝕刻掉。2009-10-24 PWB工藝流程41v MASK工序與干膜的形成過程類似,鍍鎳金和鍍銅的過程類似。MASK是為鍍鎳金做準備,鍍鎳金的目的:1、提高可焊性 2、提高耐腐蝕性 3、降低阻抗,提高元器件的靈敏度 ;注意鍍鎳金是部分鍍,并不是所有裸露的銅都鍍鎳金。鍍鎳金后照片阻焊膜后照片鍍鎳金部分Surface of PWB (表面表面)9) Mask鍍鎳金鍍鎳金剝膜剝膜 實際上,大部分產品Ni/Au處理只是部分鍍,一些需要封裝的圖形為銅表面即可滿足設計要求;只有少量產品為全面鍍; Mask膜的作用就是限制鍍Ni/Au范圍。注意:鍍Ni/Au具有選擇性,只有在無mask保護的銅面上可以鍍

27、上金,樹脂和SR油墨表面鍍不上金;2009-10-24 PWB工藝流程42 部分產品為降低成本,不做Ni/Au處理,而用碳表面處理代替;碳表面處理工序替代MASK鍍鎳金剝膜。碳表面處理使用的是碳油墨印刷, 然后做高溫固化處理,設備如下圖所示:Surface of PWB (表面表面)10)碳表面處理碳表面處理(Carbon Printing)11)字符印刷字符印刷(Silk Printing) 另外,少量產品,客戶要求在手機攝像頭等位置要求印刷白色或黑色油墨, 該工序與碳表面處理工藝類似,并且在碳印刷工序做。碳印刷設備IR爐2009-10-24 PWB工藝流程4312) 二次打孔二次打孔(2n

28、d Drill)作用:1) 后面外形加工時,大板會加工成單個的Frame,加工時固定基板用; 2) 客戶封裝時固定基板用;二次打孔的設備與機械打孔設備相同。13)一次打孔一次打孔(1st Drill) 目前,部分產品存在PTH( Plated Though Hole)孔,這種情況下,打孔工序需要設置在外層鍍銅前,一般該工序在外層半蝕刻后,激光工序前;注意: 一次打孔工序可以加工NPTH孔( Non Plated Though Hole)鉆孔設備照片2009-10-24 PWB工藝流程4414)外形加工(外形加工(Routing Cut)外形加工機器加工過程基板加工后(一個frame)基板加工前

29、狀態2009-10-24 PWB工藝流程4515)激光納?。す饧{?。⊿tamping)F: Supplier Name= PEKING (P: PEKING )9:Number of Year when PWB is shipped35:Number of Work Week when PWB is shipped0405:Number of Lot which is shipped in Its work week目的:每個lot 產品的“身份證”,便于產品追蹤;2009-10-24 PWB工藝流程4616) 回流焊回流焊 (Reflow、Baking) 由于基板是在較高溫度條件下做表面封

30、裝的,一般封裝需要兩次(2面),基板會發生一定量的收縮,一般第一次封裝后基板收縮量較大,可能影響第二次的封裝精度。 對于一些客戶要求基板尺寸精度高的產品(TSP品:Tolerance Sensitive Product),就需要做預先的熱處理以降低其收縮量, 回流焊工序就是模擬客戶封裝時的條件處理基板,基板經過處理后,封裝時的收縮量就會大大降低。 對于碳品,碳工序有高溫干燥處理,與回流焊工序效果相同,因此不需要再經過回流焊工序。實際上:與封裝條件相比,回流焊工序溫度相對較低,流動速度相對要快??梢赃_到目的的同時降低成本,提高產能。2009-10-24 PWB工藝流程4717)反翹修正(反翹修正

31、(WPM) 目的:修正基板在流動過程中,由于熱和壓力的作用,出現的翹曲狀態。(產品在經過高溫工序和機械設備加工工序后會發生不同程度的翹曲。)加熱壓平設備 冷卻設備Dot1Dot2板翹量:基板翹起高度或扭曲程度。基 準:測量的板翹量要小于測量兩點間距離的0.5%。實際測量:測量基板四角(兩面)翹起量,其最大值控制在Frame對角線長度0.5%以下。2009-10-24 PWB工藝流程4818)通電檢查(通電檢查(Testing)目的:檢查開路和短路, 基板需要100%檢查。PWB上模具下模具ET fixtureE開路檢查開路檢查E短路檢查短路檢查通電模具2009-10-24 PWB工藝流程491

32、9)表面處理(表面處理(OSP)OSP : Organic Solderable Preservative (有機可焊性保護劑)目的:保護裸銅不被氧化,并且在高溫時可以焊接元器件.20)外觀檢查外觀檢查(FVI)目的:檢出外觀不合格的產品,對可修正的產品做修正,確認;表面處理設備目視檢查放大鏡放大鏡外觀檢查機檢查2009-10-24 PWB工藝流程5022) 包裝(包裝(WRP) 采用真空包裝,包裝內保持40%的濕度,保質期大概三個月;TSP品需要使用真空鋁箔包裝。然后紙箱裝箱封裝;21) 最終檢查最終檢查(FQA)對客戶有規格要求的圖形測定確認。23) 入庫(入庫(STG)存在阻抗(Zo)要

33、求的產品抽檢;阻抗測定儀2009-10-24 PWB工藝流程512+4+2結構流程圖結構流程圖H11蝕刻AOI檢查粗化處理多層預疊H10X線打孔研磨鍍銅抗蝕膜蝕刻AOI檢查粗化處理切邊機械打孔層壓多層預疊多層預疊H90激光打孔粗化處理鍍銅半蝕刻盲孔確認抗蝕膜蝕刻切邊層壓X線打孔半蝕刻LPT處理AOI檢查M通電檢查層壓X線打孔切邊半蝕刻機械打孔去鉆污鍍銅抗蝕膜蝕刻AOI檢查LPSRMASK鍍鎳金剝膜外形加工板翹修正表面處理外觀檢查最終檢查包裝入庫激光打孔X線打孔LPT處理取板抗蝕膜2009-10-24 PWB工藝流程523+2+3結構流程圖結構流程圖H11取板蝕刻AOI檢查黑化處理多層預疊H10

34、H90M通電檢查層壓X線打孔切邊半蝕刻機械打孔去鉆污鍍銅抗蝕膜AOI檢查LPSRMASK鍍鎳金剝膜外形加工板翹修正表面處理外觀檢查最終檢查包裝入庫激光打孔X線打孔LPT處理機械打孔半蝕刻鍍銅抗蝕膜蝕刻多層預疊鍍銅半蝕刻盲孔確認抗蝕膜切邊層壓X線打孔半蝕刻LPT處理AOI檢查黑化處理蝕刻激光打孔多層預疊鍍銅半蝕刻盲孔確認抗蝕膜切邊層壓X線打孔半蝕刻LPT處理AOI檢查黑化處理蝕刻激光打孔2009-10-24 PWB工藝流程53小結小結l不同層構成,不同導體厚,不同表面完工情況,產品流動的工序、次序、條件都會有所不同。l一般層數越多,打孔次數越多,產品流動越復雜(涉及PT次數工序次數,打孔次數,鍍

35、銅次數,半蝕刻次數),各層間的對位也越困難。l本資料只涉及主要工序,各工序中的細節沒有涉及。l目前北京工廠存在Apple (I社/C社),Sharp,Nokia E-flex(柔性板)等產品,其規格與講解的Nokia (O社)一般品規格有所不同,各位以后工作中涉及到相關產品時,請注意。2009-10-24 PWB工藝流程54附加內容:附加內容:熔著品:熔著品: 目前北京工廠存在1+6+1,1+8+1,2+6+2(以及1+10+1)等層構成,內部存在6層以上通過一次機械鉆孔導通,該產品存在特別的熔著工藝。例,例,1+6+1結構:結構:2009-10-24 PWB工藝流程55熔著工藝:熔著工藝:P

36、P打孔工序熔著機熔著后的基板工序:PP準備:PP打孔熔著:將各層(H13,PP) H12,PP,H11按順序固定在設別銷釘上,通過一定壓力、溫度下將各層基板邊緣位置熔著在一起。之后正常預疊/層壓(H10)熔著點2009-10-24 PWB工藝流程56預分關鍵操作流程NCH12NCH11NCH11NCH12擺放預分1NCH11NCH12預分2熔著固定柱NCH12NCH11NCH12NCH11NCH12NCH11NCH12NCH11熔著關鍵是疊加次序不能錯誤:預分時H11/H12均NC朝上,經過預分H12在最上層;熔著時放置,需要一次拿一枚將對位孔插入固定柱;熔著后:L3PPL6預分熔著預疊層壓P

37、PNC2009-10-24 PWB工藝流程57e-Flex工藝介紹工藝介紹開發背景開發背景e-Flex(IBI開發)開發)Rigid-Flex(通常通常Type) 只在需要的地方使用只在需要的地方使用Flex柔性板柔性板 Flex和和Rigid基板基板連接連接 基板內整體都是柔性板基板內整體都是柔性板 Flex埋入埋入Rigid基板基板連接連接BatteryCameraE-Flex基板可以實現翻折,從而可以實現客戶終基板可以實現翻折,從而可以實現客戶終端產品輕薄化、小型化的要求端產品輕薄化、小型化的要求通過部分位置(而非全部)使用高價格的通過部分位置(而非全部)使用高價格的Flex柔性柔性板,

38、可以使我們的產品更具有競爭力板,可以使我們的產品更具有競爭力2009-10-24 PWB工藝流程58基板照片基板照片2009-10-24 PWB工藝流程59e-Flex工藝介紹工藝介紹工藝流程設計工藝流程設計治具板取板取板PT蝕刻蝕刻CorePPCut(沖壓加工)(沖壓加工)北京工廠粗化粗化粗化后CoreFlexPP真空融著真空融著預疊預疊埋件埋件H11PET2009-10-24 PWB工藝流程60e-Flex工藝介紹工藝介紹埋件作業埋件作業0.50.5中治具中治具上治具上治具2.011.0下治具下治具2009-10-24 PWB工藝流程61e-Flex工藝介紹工藝介紹工藝流程設計工藝流程設計

39、H10預疊預疊層壓層壓X線線 切邊切邊半蝕刻半蝕刻激光打孔激光打孔2次打孔次打孔外形外形1翹取翹取剝膜剝膜沖壓加工沖壓加工板翹修正板翹修正通電檢查通電檢查外形外形2鍍銅鍍銅PT蝕刻蝕刻AOI檢查檢查LPSR碳印刷碳印刷外觀檢查外觀檢查最終檢查最終檢查H90H99M包裝出貨包裝出貨此處工藝同普通此處工藝同普通FVSS產品產品2009-10-24 PWB工藝流程62e-Flex工藝介紹工藝介紹翹取作業翹取作業Flex柔性板外面的保護材,通過人工使用撬具進柔性板外面的保護材,通過人工使用撬具進行去除,作業時指定下刀位置,保證不劃傷行去除,作業時指定下刀位置,保證不劃傷Flex2009-10-24 P

40、WB工藝流程63e-Flex工藝介紹工藝介紹沖壓加工沖壓加工使用沖壓設備,將使用沖壓設備,將Flex柔性板多余部分沖掉,形柔性板多余部分沖掉,形成最終的柔性板外形成最終的柔性板外形2009-10-24 PWB工藝流程64I社社/C社品:社品:I社目前產品為N18和N33:為一貫品;C社目前產品為OII、OIC、OHC:為追加工品2009-10-24 PWB工藝流程65I社社/C社品:社品:Layer1OII:I社N18、N33為2+4+2的層結構,其中存在兩層CCL:H11H12;兩者的區別是N18內內層是0.06t的薄板,N33內內層是0.05t的薄板。兩者都是全面鍍金的產品且外層使用PP+

41、Cu.H10層存在100um激光孔,外層存在75um激光孔。在北京量產流動到最終并出貨給客戶!C社OII、OIC為1+8+1的層結構,其中存在三層CCL:H11H12h13;兩者的區別是OII外層存在75um激光孔,OIC外層存在100um激光孔。兩者都是全面鍍金的產品且外層使用PP+Cu,在北京只量產流動到M層PT后送往日本進行后續加工并出貨給客戶!目前N33因為內內層為0.05t的薄板,所以在二工廠量產。其他品種在一工廠量產,都是使用415*510的尺寸!Layer102009-10-24 PWB工藝流程66N18N18是是2 2次激光孔的次激光孔的HDIHDI品,因此品,因此與與O O社社產品相比有若干不同的地產品相比有若干不同的地方方。 I I社輔材社輔材存在存在IVHIVH和和LVHLVH,因而,因而鍍銅時兩方面都須考慮鍍銅時兩方面都須考慮。外層外層同時存在同時存在filled viafilled via和和PTHPTH,首先將,首先將filled viafilled via填滿之填滿之后再對后再對PTHP

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