1、本文格式為Word版，下載可任意編輯電磁兼容性（EMC）的來源及一些非常具體的抑制方法 電磁兼容性（EMC）是指“一種器件、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時(shí)不會(huì)對(duì)此環(huán)境中任何其他設(shè)備產(chǎn)生劇烈電磁干擾 （IEEE C63.12-1987）?！睂?duì)于無線收發(fā)設(shè)備來說，采納非連續(xù)頻譜可部分實(shí)現(xiàn)EMC性能，但是許多有關(guān)的例子也表明EMC并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測試設(shè)備之間、打印機(jī)和臺(tái)式電腦之間以及蜂窩電話和醫(yī)療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱為電磁干擾（EMI）。 EMC問題來源 全部電器和電子設(shè)備工作時(shí)都會(huì)有間歇或連續(xù)性電壓電流變化，有時(shí)變化速率還相當(dāng)快，

2、這樣會(huì)導(dǎo)致在不同頻率內(nèi)或一個(gè)頻帶間產(chǎn)生電磁能量，而相應(yīng)的電路則會(huì)將這種能量放射到四周的環(huán)境中。 EMI有兩條途徑離開或進(jìn)入一個(gè)電路：輻射和傳導(dǎo)。信號(hào)輻射是通過外殼的縫、槽、開孔或其他缺口泄漏出去；而信號(hào)傳導(dǎo)則通過耦合到電源、信號(hào)和掌握線上離開外殼，在開放的空間中自由輻射，從而產(chǎn)生干擾。 許多EMI抑制都采納外殼屏蔽和縫隙屏蔽結(jié)合的方式來實(shí)現(xiàn)，大多數(shù)時(shí)候下面這些簡潔原則可以有助于實(shí)現(xiàn)EMI屏蔽：從源頭處降低干擾；通過屏蔽、過濾或接地將干擾產(chǎn)生電路隔離以及增加敏感電路的抗干擾力量等。EMI抑制性、隔離性和低敏感性應(yīng)當(dāng)作為全部電路設(shè)計(jì)人員的目標(biāo)，這些性能在設(shè)計(jì)階段的早期就應(yīng)完成。 對(duì)設(shè)計(jì)工程師而言，

3、采納屏蔽材料是一種有效降低EMI的方法。如今已有多種外殼屏蔽材料得到廣泛使用，從金屬罐、薄金屬片和箔帶到在導(dǎo)電織物或卷帶上噴射涂層及鍍層（如導(dǎo)電漆及鋅線噴涂等）。無論是金屬還是涂有導(dǎo)電層的塑料，一旦設(shè)計(jì)人員確定作為外殼材料之后，就可著手開頭選擇襯墊。 金屬屏蔽效率 可用屏蔽效率（SE）對(duì)屏蔽罩的適用性進(jìn)行評(píng)估，其單位是分貝，計(jì)算公式為： SEdB=A+R+B 其中 A:汲取損耗（dB） R:反射損耗（dB） B:校正因子（dB）（適用于薄屏蔽罩內(nèi)存在多個(gè)反射的狀況） 一個(gè)簡潔的屏蔽罩會(huì)使所產(chǎn)生的電磁場強(qiáng)度降至最初的非常之一，即SE等于20dB;而有些場合可能會(huì)要求將場強(qiáng)降至為最初的十萬分之一，

4、即SE要等于100dB。 汲取損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時(shí)能量損耗的數(shù)量，汲取損耗計(jì)算式為： AdB=1.314（f××）1/2×t 其中 f:頻率（MHz） ：銅的導(dǎo)磁率 ：銅的導(dǎo)電率 t:屏蔽罩厚度 反射損耗（近場）的大小取決于電磁波產(chǎn)生源的性質(zhì)以及與波源的距離。對(duì)于桿狀或直線形放射天線而言，離波源越近波阻越高，然后隨著與波源距離的增加而下降，但平面波阻則無變化（恒為377）。 相反，假如波源是一個(gè)小型線圈，則此時(shí)將以磁場為主，離波源越近波阻越低。波阻隨著與波源距離的增加而增加，但當(dāng)距離超過波長的六分之一時(shí)，波阻不再變化，恒定在377處。 反射損耗隨波阻與屏蔽阻

5、抗的比率變化，因此它不僅取決于波的類型，而且取決于屏蔽罩與波源之間的距離。這種狀況適用于小型帶屏蔽的設(shè)備。 近場反射損耗可按下式計(jì)算： R（電）dB=321.8-（20×lg r）-（30×lg f）-10×lg（/） R（磁）dB=14.6+（20×lg r）+（10×lg f）+10×lg（/） 其中 r:波源與屏蔽之間的距離。 SE算式最終一項(xiàng)是校正因子B,其計(jì)算公式為： B=20lg-exp（-2t/） 此式僅適用于近磁場環(huán)境并且汲取損耗小于10dB的狀況。由于屏蔽物汲取效率不高，其內(nèi)部的再反射會(huì)使穿過屏蔽層另一面的能量增加，

6、所以校正因子是個(gè)負(fù)數(shù)，表示屏蔽效率的下降狀況。 只有如金屬和鐵之類導(dǎo)磁率高的材料才能在極低頻率下達(dá)到較高屏蔽效率。這些材料的導(dǎo)磁率會(huì)隨著頻率增加而降低，另外假如初始磁場較強(qiáng)也會(huì)使導(dǎo)磁率降低，還有就是采納機(jī)械方法將屏蔽罩作成規(guī)定外形同樣會(huì)降低導(dǎo)磁率。綜上所述，選擇用于屏蔽的高導(dǎo)磁性材料特別簡單，通常要向EMI屏蔽材料供應(yīng)商以及有關(guān)詢問機(jī)構(gòu)尋求解決方案。 在高頻電場下，采納薄層金屬作為外殼或內(nèi)襯材料可達(dá)到良好的屏蔽效果，但條件是屏蔽必需連續(xù)，并將敏感部分完全遮蓋住，沒有缺口或縫隙（形成一個(gè)法拉第籠）。然而在實(shí)際中要制造一個(gè)無接縫及缺口的屏蔽罩是不行能的，由于屏蔽罩要分成多個(gè)部分進(jìn)行制作，因此就會(huì)有

7、縫隙需要接合，另外通常還得在屏蔽罩上打孔以便安裝與插卡或裝配組件的連線。 設(shè)計(jì)屏蔽罩的困難在于制造過程中不行避開會(huì)產(chǎn)生孔隙，而且設(shè)備運(yùn)行過程中還會(huì)需要用到這些孔隙。制造、面板連線、通風(fēng)口、外部監(jiān)測窗口以及面板安裝組件等都需要在屏蔽罩上打孔，從而大大降低了屏蔽性能。盡管溝槽和縫隙不行避開，但在屏蔽設(shè)計(jì)中對(duì)與電路工作頻率波長有關(guān)的溝槽長度作認(rèn)真考慮是很有好處的。 任一頻率電磁波的波長為：波長（）=光速（C）/頻率（Hz） 當(dāng)縫隙長度為波長（截止頻率）的一半時(shí)，RF波開頭以 20dB/10倍頻（1/10截止頻率）或6dB/8倍頻（1/2截止頻率）的速率衰減。通常RF放射頻率越高衰減越嚴(yán)峻，由于它的波

8、長越短。當(dāng)涉及到最高頻率時(shí)，必需要考慮可能會(huì)消失的任何諧波，不過實(shí)際上只需考慮一次及二次諧波即可。 一旦知道了屏蔽罩內(nèi)RF輻射的頻率及強(qiáng)度，就可計(jì)算出屏蔽罩的最大允許縫隙和溝槽。例如假如需要對(duì)1GHz（波長為300mm）的輻射衰減26dB,則150mm的縫隙將會(huì)開頭產(chǎn)生衰減，因此當(dāng)存在小于 150mm的縫隙時(shí)，1GHz輻射就會(huì)被衰減。所以對(duì)1GHz頻率來講，若需要衰減20dB,則縫隙應(yīng)小于15 mm（150mm的1/10），需要衰減26dB時(shí)，縫隙應(yīng)小于7.5 mm（15mm的1/2以上），需要衰減32dB時(shí)，縫隙應(yīng)小于3.75 mm（7.5mm的1/2以上）。 可采納合適的導(dǎo)電襯墊使縫隙大小

9、限定在規(guī)定尺寸內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)這種衰減效果。 屏蔽設(shè)計(jì)難點(diǎn) 由于接縫會(huì)導(dǎo)致屏蔽罩導(dǎo)通率下降，因此屏蔽效率也會(huì)降低。要留意低于截止頻率的輻射其衰減只取決于縫隙的長度直徑比，例如長度直徑比為3時(shí)可獲得 100dB的衰減。在需要穿孔時(shí)，可利用厚屏蔽罩上面小孔的波導(dǎo)特性；另一種實(shí)現(xiàn)較高長度直徑比的方法是附加一個(gè)小型金屬屏蔽物，如一個(gè)大小合適的襯墊。上述原理及其在多縫狀況下的推廣構(gòu)成多孔屏蔽罩設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。 多孔薄型屏蔽層：多孔的例子許多，比如薄金屬片上的通風(fēng)孔等等，當(dāng)各孔間距較近時(shí)設(shè)計(jì)上必需要認(rèn)真考慮。下面是此類狀況下屏蔽效率計(jì)算公式： SE=20lg （fc/o/）-10lg n 其中 fc/o:截止頻率

10、n:孔洞數(shù)目 留意此公式僅適用于孔間距小于孔直徑的狀況，也可用于計(jì)算金屬編織網(wǎng)的相關(guān)屏蔽效率。 接縫和接點(diǎn)：電焊、銅焊或錫焊是薄片之間進(jìn)行永久性固定的常用方式，接合部位金屬表面必需清理潔凈，以使接合處能完全用導(dǎo)電的金屬填滿。不建議用螺釘或鉚釘進(jìn)行固定，由于緊固件之間接合處的低阻接觸狀態(tài)不簡單長期保持。 導(dǎo)電襯墊的作用是削減接縫或接合處的槽、孔或縫隙，使RF輻射不會(huì)散發(fā)出去。EMI襯墊是一種導(dǎo)電介質(zhì)，用于填補(bǔ)屏蔽罩內(nèi)的空隙并供應(yīng)連續(xù)低阻抗接點(diǎn)。通常EMI襯墊可在兩個(gè)導(dǎo)體之間供應(yīng)一種敏捷的連接，使一個(gè)導(dǎo)體上的電流傳至另一導(dǎo)體。 封孔EMI襯墊的選用可參照以下性能參數(shù)： 特定頻率范圍的屏蔽效率 安裝

11、方法和密封強(qiáng)度 與外罩電流兼容性以及對(duì)外部環(huán)境的抗腐蝕力量 工作溫度范圍 大多數(shù)商用襯墊都具有足夠的屏蔽性能以使設(shè)備滿意EMC標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)鍵是在屏蔽罩內(nèi)正確地對(duì)墊片進(jìn)行設(shè)計(jì)。 墊片系統(tǒng)：一個(gè)需要考慮的重要因素是壓縮，壓縮能在襯墊和墊片之間產(chǎn)生較高導(dǎo)電率。襯墊和墊片之間導(dǎo)電性太差會(huì)降低屏蔽效率，另外接合處假如少了一塊則會(huì)消失細(xì)縫而形成槽狀天線，其輻射波長比縫隙長度小約4倍。 確保導(dǎo)通性首先要保證墊片表面平滑、潔凈并經(jīng)過必要處理以具有良好導(dǎo)電性，這些表面在接合之前必需先遮??；另外屏蔽襯墊材料對(duì)這種墊片具有持續(xù)良好的粘合性也特別重要。導(dǎo)電襯墊的可壓縮特性可以彌補(bǔ)墊片的任何不規(guī)章狀況。 全部襯墊都有一個(gè)有

12、效工作最小接觸電阻，設(shè)計(jì)人員可以加大對(duì)襯墊的壓縮力度以降低多個(gè)襯墊的接觸電阻，當(dāng)然這將增加密封強(qiáng)度，會(huì)使屏蔽罩變得更為彎曲。大多數(shù)襯墊在壓縮到原來厚度的30%至70%時(shí)效果比較好。因此在建議的最小接觸面范圍內(nèi)，兩個(gè)相向凹點(diǎn)之間的壓力應(yīng)足以確保襯墊和墊片之間具有良好的導(dǎo)電性。 另一方面，對(duì)襯墊的壓力不應(yīng)大到使襯墊處于非正常壓縮狀態(tài)，由于此時(shí)會(huì)導(dǎo)致襯墊接觸失效，并可能產(chǎn)生電磁泄漏。與墊片分別的要求對(duì)于將襯墊壓縮掌握在制造商建議范圍特別重要，這種設(shè)計(jì)需要確保墊片具有足夠的硬度，以免在墊片緊固件之間產(chǎn)生較大彎曲。在某些狀況下，可能需要另外一些緊固件以防止外殼結(jié)構(gòu)彎曲。 壓縮性也是轉(zhuǎn)動(dòng)接合處的一個(gè)重要特

13、性，如在門或插板等位置。若襯墊易于壓縮，那么屏蔽性能會(huì)隨著門的每次轉(zhuǎn)動(dòng)而下降，此時(shí)襯墊需要更高的壓縮力才能達(dá)到與新襯墊相同的屏蔽性能。在大多數(shù)狀況下這不太可能做得到，因此需要一個(gè)長期EMI解決方案。 假如屏蔽罩或墊片由涂有導(dǎo)電層的塑料制成，則添加一個(gè)EMI襯墊不會(huì)產(chǎn)生太多問題，但是設(shè)計(jì)人員必需考慮許多襯墊在導(dǎo)電表面上都會(huì)有磨損，通常金屬襯墊的鍍層表面更易磨損。隨著時(shí)間增長這種磨損會(huì)降低襯墊接合處的屏蔽效率，并給后面的制造商帶來麻煩。 假如屏蔽罩或墊片結(jié)構(gòu)是金屬的，那么在噴涂拋光材料之前可加一個(gè)襯墊把墊片表面包住，只需用導(dǎo)電膜和卷帶即可。若在接合墊片的兩邊都使用卷帶，則可用機(jī)械固件對(duì)EMI襯墊進(jìn)

14、行緊固，例如帶有塑料鉚釘或壓敏粘結(jié)劑（PSA）的“C型”襯墊。襯墊安裝在墊片的一邊，以完成對(duì)EMI的屏蔽。 襯墊及附件 目前可用的屏蔽和襯墊產(chǎn)品特別多，包括鈹-銅接頭、金屬網(wǎng)線（帶彈性內(nèi)芯或不帶）、嵌入橡膠中的金屬網(wǎng)和定向線、導(dǎo)電橡膠以及具有金屬鍍層的聚氨酯泡沫襯墊等。大多數(shù)屏蔽材料制造商都可供應(yīng)各種襯墊能達(dá)到的SE估量值，但要記住SE是個(gè)相對(duì)數(shù)值，還取決于孔隙、襯墊尺寸、襯墊壓縮比以及材料成分等。襯墊有多種外形，可用于各種特定應(yīng)用，包括有磨損、滑動(dòng)以及帶鉸鏈的場合。目前很多襯墊帶有粘膠或在襯墊上面就有固定裝置，如擠壓插入、管腳插入或倒鉤裝置等。 各類襯墊中，涂層泡沫襯墊是最新也是市面上用途最廣的產(chǎn)品之一。這類襯墊可做成多種外形，厚度大于0.5mm，也可削減厚度以滿意 UL燃燒及環(huán)境密封標(biāo)準(zhǔn)。還有另一種新型襯墊即環(huán)境/EMI混合襯墊，有了它就可以無需再使用單獨(dú)的密封材料，從而降低屏蔽罩成本和簡單程度。這些襯墊的外部覆層對(duì)紫外線穩(wěn)定，可防潮、防風(fēng)、防清洗溶劑，內(nèi)部涂層則進(jìn)行金屬化處理并具有較高