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文檔簡介

1、MOSFET管開關過程分析管開關過程分析MOSFET管在管在H橋中橋中MOSFET管特性曲線管特性曲線三極管有三個工作區：截止區、放大區和飽和區，MOSFET對應是關斷區、恒流區和可變電阻區。注意：MOSFET恒流區有時也稱飽和區或放大區。MOSFET管導通過程管導通過程開關過程中，功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。MOSFET管導通過程管導通過程當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時，Vgs的電壓逐漸升高時，MOSFET的開通軌跡A-B-C-D如圖中的路線所示。MOSFET管導通過程管導通過程開通前，Vgd的電壓為Vgs-Vds，為負壓。進入米勒平臺，Vgd的

2、負電壓絕對值不斷下降，過0后轉為正電壓。驅動電路的電流絕大部分流過CGD，以掃除米勒電容的電荷，因此柵極的電壓基本維持不變。Vds電壓降低到很低的值后，米勒電容的電荷基本上被掃除，即圖中的C點，于是，柵極的電壓在驅動電流的充電下又開始升高，如圖中的C-D，使MOSFET進一步完全導通。MOSFET管導通過程管導通過程C-D為可變電阻區，相應的Vgs電壓對應著一定的Vds電壓。Vgs電壓達到最大值，Vds電壓達到最小值，由于Id電流為ID恒定，因此Vds的電壓即為ID和MOSFET的導通電阻的乘積。MOSFET管導通過程管導通過程給功率MOSFET加上理想開通信號，則開通過程關鍵波形如左圖所示，關斷過程如右圖所示。MOSFET管導通過程管導通過程功率MOSFET硬開關過程中開關損耗大，開通時主要發生在t1 t3期間，關斷時主要發生在t3t4。期間，且隨著開關頻率的提高而線性增長。17.6%7.3%16.1%58.8%占總損耗比例不同參數對啟動過程的影響IR2101 MOSFET專用

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