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文檔簡介

圖7.1矽MOS閘極電極用金屬資料的組合 圖7.2(a)單晶，(b)多晶，(c)非晶的比較表示圖 圖7.3一個MOSFET中的多晶矽閘 圖7.4耐火金屬矽化物的製作，(a)長側牆氧化物，(b)鍍鈦，(c)長出矽化鈦，去除多餘的矽化物 圖7.5多晶矽矽化物(polycide)的成長過程 圖7.6磁電濺鍍(magnetron)設備的概略圖 圖7.7蒸鍍用的(a)鎢絲加熱器，(b)坩堝外繞加熱器 圖7.8蒸鍍機的概略圖 圖7.9電子束蒸鍍的表示圖 圖7.10電子束槍和源資料系統 圖7.11接面尖峰 圖7.12鋁線因電致遷移而產生的斷路情形 圖7.13矽積體電路內連線運用的金屬資料組合 圖7.14鎢插塞的製作(a)毯覆式沉積鎢，(b)鎢回蝕 圖7.15鑲嵌製程

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