1、大學(xué)物理學(xué)復(fù)習(xí)資料第一章質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)學(xué)主要公式：1 .笛卡爾直角坐標(biāo)系位失r=xi+yj+zk,一 一.質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)方程(位矢方程)：一=x(t)i +yj +z(t)kx =x(t)參數(shù)方程：J y = y(t) T消去t得軌跡方程。z =z(t)2 .速度：V ="dt一 dv3 .加速度：a =dtr4 .平均速度：v =二 tV5.平均加速度：a =t- d 二6 .角速度：co =dtd 7 .角加速度：汽=dt8 .線速度與角速度關(guān)系：v = R。dv9 .切向加速度：2丁 =翌=Radt2、，一2 v10 .法向加速度：an = Re =R11 .總加速度：a = J a2 +

2、 a2第二章牛頓定律主要公式：1 .牛頓第一定律：當(dāng) F合外=0時(shí)，-=恒矢量。dtdt2 . 牛頓第二定律 ：F=ma = m2=S3 .牛頓第三定律(作用力和反作用力定律)：F = F '第三章動(dòng)量和能量守恒定律主要公式：t21 .動(dòng)量定理：I = F dt = mAv = m(v2 - v1) = AP2 .動(dòng)量守恒定律：當(dāng)合外力 層外力=0,aP = 0x2 一. 一 1,22、3 .動(dòng)能定理：W=F合 dx = AEk = m(v2 -v1 )%24.機(jī)械能守恒定律：當(dāng)只有保守內(nèi)力做功時(shí)，EE =0第五章機(jī)械振動(dòng)主要公式：2 二1 . x = AcosQt + 平)6 =精品

3、資料2 .能量守恒：12動(dòng)能：Ek mvk 212勢(shì)能：Ep kxP 212機(jī)械能：E = Ek . Ep = - kA2x = Acos( t:)3.兩個(gè)同方向、同頻率簡(jiǎn)諧振動(dòng)的合成：仍為簡(jiǎn)諧振動(dòng): 其中：A 二,A2 ? A2 + 2AA2 cos中 arc ALsinVALsin% g Ai cos甲1 + A cos%a.同相，當(dāng)相位差滿足：邛=工2kn時(shí)，振動(dòng)加強(qiáng)， AMAX = A + A2 ；b.反相，當(dāng)相位差滿足：邛=±（2k +1）n時(shí)，振動(dòng)減弱， AMIN = A1 -A2第六章機(jī)械波L向右，取負(fù)號(hào); j向左,取加號(hào)主要公式：x1 .波動(dòng)萬(wàn)程：y = Acoscc

4、（t +）+中 u2 .相位差與波程差的關(guān)系： &華=空區(qū)x九3 .干涉波形成的條件：振動(dòng)方向相同、頻率相同、相位差恒定。2 二4.波的干涉規(guī)律：中=52 -% （X2 -X1）九a.當(dāng)相位差滿足：5=12kn時(shí)，干涉加強(qiáng)， Amax = Ai + A2 ；b.當(dāng)相位差滿足：5=±（2k+1）n時(shí)，干涉減弱，AMIN =|A - A2 。第七章、第八章 氣體動(dòng)理論 熱力學(xué)基礎(chǔ)主要公式：M 一1 .理想氣體物態(tài)方程：PV =RT = nRT （n為摩爾數(shù)）Mmol或：也= P = nR（常數(shù)）TiT2P（pa帕），R = 8.31P（atm大氣壓強(qiáng)），R = 8.2M10”1a

5、tm =1.013 105 pa = 760mmHg2 .大綱熱力學(xué)第一定律：（1）內(nèi)容：熱力學(xué)系統(tǒng)從平衡狀態(tài) 1向平衡狀態(tài)2的變化中，A'（外界對(duì)系統(tǒng)做功） 和Q外界傳給系統(tǒng)的熱量二者之和是恒定的，等于系統(tǒng)內(nèi)能的改變E2-E1。（或：第一類永動(dòng)機(jī)是不可能制成的。）（2）表達(dá)式：Q = E2 - Ei + A （系統(tǒng)對(duì)外界做功）“P1F23 .等容過(guò)程：二二TiT2(A =0做功為0)Q = AE =nCv(T2 -1)A = 0- 一V1V24. 等壓過(guò)程：二TiT2Q=nCp(T2 -Ti)，EE =nCv(T2 -Ti)V2A = I PdV 才iR(T2 -Ti)5 .等溫過(guò)程

6、：RVi =P2V2gE=0內(nèi)能改變?yōu)?)Q = A = nRTlnV2,ViAE =06 .絕熱過(guò)程：RVi ' = P2V2' (Q =0熱量 傳遞 為)；A = -AE = -nCv(T2-Ti)Q =0注：i為自由度Cv=-R, Cp235單原子分子(Ne )：自由度i=3, Cv= R, Cp=R2257雙原子分子(N2, O2)：自由度i =5,Cv =-R,Cp =7R2 p 27 .泊松比：1口 =叱Cvic斗力n AQ吸_Q放（Q均用正值代入）8 .效率：n =Q吸Q吸9.一Q放制冷系數(shù)：co =丁2A Q吸一Q放Ti -T2Q .01熱Q :二0放熱10 .

7、熱力學(xué)第二定律:（1）內(nèi)容：一切與熱現(xiàn)象有關(guān)的實(shí)際宏觀過(guò)程是不可逆的。（2）表達(dá)式：一切孤立系統(tǒng)，嫡的增量AS>0o （S=klnC）311 .每個(gè)分子平均平動(dòng)動(dòng)能與溫度T成正比：備=kT212 .每個(gè)分子平均總動(dòng)能與溫度T和自由度i均有關(guān)：='kT2R（k = N mol8.316.02 1023一一 一 23=1.38父10,稱玻爾茲曼常數(shù)）第九、十章 靜電場(chǎng)（是保守力場(chǎng)）主要公式：一、 電場(chǎng)強(qiáng)度1 .點(diǎn)電荷場(chǎng)強(qiáng)： E = -q-er 4二；0r2 .點(diǎn)電荷系場(chǎng)強(qiáng)：E =Ei +E2 + +En （矢量和）3 .連續(xù)帶電體場(chǎng)強(qiáng)：E = dE = （ dq 2er4二;0r2（

8、五步走積分法）（建立坐標(biāo)系、取電荷元、寫 dE、分解、積分）"q4 .對(duì)稱性帶電體場(chǎng)強(qiáng)：（用高斯定理求解） j=,E dS = 5 ；0、電勢(shì) 1 .點(diǎn)電荷電勢(shì)：V=-q4二；°r2.點(diǎn)電荷系電勢(shì):V =Vi +V2 + ' "+Vn （代數(shù)和）3.連續(xù)帶電體電勢(shì):=dV =dq4 二；0 r（四步走積分法）（建立坐標(biāo)系、取電荷元、寫dV、積分）%4.已知場(chǎng)強(qiáng)分布求電勢(shì)：V = E dl = £ E dr三、電勢(shì)差：B -Uab = a E dl A四、電場(chǎng)力做功：I 一 ="l2A=q0U=q0 E dl l1五、基本定理（1）靜電場(chǎng)

9、高斯定理：，、_ ' q表達(dá)式：e = 1： E dS =s；o物理意義：表明靜電場(chǎng)中，通過(guò)任意閉合曲面的 電通量（電場(chǎng)強(qiáng)度沿任意閉合曲面的面積分）等于該曲面內(nèi)包圍的電荷代數(shù)和除以加。（3）靜電場(chǎng)安培環(huán)路定理：表達(dá)式：E E dl =0物理意義：表明靜電場(chǎng)中，電場(chǎng)強(qiáng)度沿任意閉合路徑的線積分為0。第十一章恒定磁場(chǎng)（非保守力場(chǎng)）主要公式:1.畢奧-薩伐爾定律表達(dá)式：dB =0 Idl er24 二 r2 。 .1）有限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線，垂直距離r處磁感應(yīng)強(qiáng)度：B =叱（cosR - cos%）4二r（其中61和%分別是起點(diǎn)及終點(diǎn)的電 流方向與到場(chǎng)點(diǎn)連線方 向之間的夾角。）2)無(wú)限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線，

10、垂直距離r處磁感應(yīng)強(qiáng)度:3）半無(wú)限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線，過(guò)端點(diǎn)垂線上且垂直距離r處磁感應(yīng)強(qiáng)度:I4）圓形載流線圈，半徑為 R,在圓心。處：B0 =0-2RI5）半圓形載流線圈，半徑為 R,在圓心。處：B0 =0-4R0I .6）圓弧形載流導(dǎo)線，圓心角為 “弧度制），半徑為R,在圓心O處：B0 =08 4二 R（e用弧度代入）2 .安培力：F = Idl MB （方向沿Idl MB方向，或用左手定則判定）積分法五步走：1.建坐標(biāo)系；2.取電流元Idl ;3.寫dF = IdlBsine ;4.分解;5.積分.3 .洛倫茲力：F=qvxB （磁場(chǎng)對(duì)運(yùn)動(dòng)電荷的作用力）4 .磁場(chǎng)高斯定理：表達(dá)式：4m =qB

11、 dS=0 （無(wú)源場(chǎng)）（因?yàn)榇艌?chǎng)線是閉合曲線，從閉合曲面一側(cè)穿入，必從另一側(cè)穿出.）物理意義：表明穩(wěn)恒磁場(chǎng)中， 通過(guò)任意閉合曲面的 磁通量（磁場(chǎng)強(qiáng)度沿任意閉合曲面的面積分）等于0。5 .磁場(chǎng)安培環(huán)路定理：,B d =N0£ I （有旋場(chǎng)）表達(dá)式：-B dl K；0' I物理意義：表明穩(wěn)恒磁場(chǎng)中， 磁感應(yīng)強(qiáng)度 B沿任意閉合路徑的線積分，等于該路徑內(nèi)包圍 的電流代數(shù)和的 倍。N0稱真空磁導(dǎo)率6 .有磁介質(zhì)的安培環(huán)路定理：qH，dl =£ IH B H第十二章電磁感應(yīng)電磁場(chǎng)和電磁波主要公式： d '1 .法拉第電磁感應(yīng)定律：z=-N dt2 .磁通量：6m = B

12、 dS3 .動(dòng)生電動(dòng)勢(shì) 8=(vxB)，dl = (vBsinot)dl cosP -口是v與B的夾角；B是JxB的方向與L方向的夾角.注：感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的方向沿 JmB的方向，從 低電勢(shì) 指向高電勢(shì)。第十四章波動(dòng)光學(xué)主要公式：1 .光程差與半波損失光程差：幾何光程乘以折射率之差：n =n1rl -n2r2半波損失：當(dāng)入射光從折射率較小的光疏介質(zhì)投射到折射率較大的光疏密介質(zhì)表面時(shí),反射光比入射光有 n的相位突變，即光程發(fā)生上的躍變。(若兩束相干光中一束發(fā)生半波2損失，而另一束沒(méi)有，則附加的光程差；若兩有或兩無(wú)，則無(wú)附加光程差。)23.楊氏雙縫干涉：(D-縫屏距；d-雙縫間距；k-級(jí)數(shù))明紋公式：x

13、4二k以1d暗紋公式：xk暗=處二！匹2 d相鄰條紋間距：取=2土.d條紋特征：明暗相間均勻等間距直條紋，中央為零級(jí)明紋。條紋間距Ax與縫屏距D成正比,與入射光波長(zhǎng) 九成正比，與雙縫間距 d成反比。i =04 .增透膜、增反膜原理：（先分析折射率 "n2 n3關(guān)系）1)當(dāng)5 <n2 <n3,或“ An? a%時(shí)，（2k+1）九，增透膜=2n 2d =2k，增反膜n2dn32)當(dāng) n1 <n2 >n3,或ni >n2 <n3時(shí),(2k 1), =2n2d =2'2%山增反膜增透膜5.劈尖干涉：（b-相鄰條紋間距，6-劈尖夾角，D-鋼絲直徑，血

14、-劈尖介質(zhì)折射率）相鄰條紋對(duì)應(yīng)的薄膜厚度差：e = 2 n2相鄰條紋間距：b =2n2 二劈尖夾角：1二二口2n2b L條紋特征：與棱邊平行的等間距明暗相間直條紋，且棱邊為暗紋。條紋間距l(xiāng)與與入射光波長(zhǎng)K成正比，與介質(zhì)折射率n成反比，與劈尖夾角日成反比。工程測(cè)量中用于測(cè)下面工件平整度，若觀察到條紋左彎.則該處下表面凹.，條紋右.彎.則該處下表面凸.。（左凹右凸）6.單縫衍射：（f-透鏡焦距；a-單縫寬度；k-級(jí)數(shù)）E二目分八# .(2k+1)九(2k+1) fz明紋公式:asine =-L,x明=-22 a暗紋公式:asin日=k%xk暗=kf a中央明紋寬度lo =2 a其它條紋寬度Al =

15、色L.a條紋特征：明暗相間直條紋，中央為零級(jí)明紋，寬度是其它條紋寬度的兩倍。條紋間距Al與透鏡焦距f成正比，與入射光波長(zhǎng)AI”。九成正比，與單縫寬度 a成反比。3f-7 .衍射光柵"W df = a他為為柵常數(shù)， f 衍射強(qiáng)) a a O a a a* 光柵方程：(a +b)sin 日=±k%k =0,1,2 ，一，、.， 一，、.，1(a為透光部分，b不透光部分，d=一,N為每米刻痕數(shù)N .f,琳光柵明紋公式：dsin8 =k%xk明=k d可見光光譜波長(zhǎng)范圍：400nm,760nm第K級(jí)光譜張角：日二弘一包第K級(jí)光譜線寬度：x = X2 - Xi = f(tgL - tgl)（dsin» =k%, dsin? =k%,九i=400nm