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文檔簡介

1、芯片消費工藝流程課件 單晶拉制1單晶拉制2單晶拉制3單晶拉制4單晶拉制5環境和著裝單項工藝-分散(1)臥式4爐管分散/氧化爐分散/氧化進爐實景圖單項工藝-分散(2)立式分散/氧化爐分散/氧化進爐實景圖單項工藝-分散(3)分散工序作業現場單項工藝-光刻(1)先進光刻曝光設備單項工藝-光刻(2)現場用光刻曝光設備單項工藝-光刻(3)檢查用顯微鏡單項工藝-光刻(4)清 洗淀積/生長隔離層勻 膠SiO2 Si3N4 金屬金屬-HMDS噴淋添加Si的粘性 -勻光刻膠單項工藝-光刻(5)前 烘對 版勻 膠-對每個圓片必需按要求對版對每個圓片必需按要求對版-用弧光燈將光刻版上的圖案轉 移到光刻膠上。-添加黏

2、附作用 -促進有機溶劑揮發單項工藝-光刻(6)顯影/漂洗堅 膜腐 蝕-硬化光刻膠。 -添加與硅片的附著性。-將圓片進展顯影/漂洗，不需求的的光刻膠溶解到有機溶劑。去 膠-干法腐蝕/濕法腐蝕單項工藝-光刻(7)光刻工藝過程單項工藝-CVD1單項工藝-CVD2初級離子氣體被吸收到硅片外表單項工藝-CVD3初級離子氣體在硅片外表分解單項工藝-CVD4玻 璃 的 解 吸單項工藝-CVD5單相工藝-離子注入1單相工藝-離子注入2單相工藝-離子注入3單相工藝-蒸發1蒸發原理表示圖單相工藝-蒸發2濺射原理表示圖單相工藝-蒸發3單相工藝-清洗根底認知襯底資料分散層外延層一次氧化基區光刻干氧氧化離子注入基區分散發射區光刻發射區預淀積發射區分散*發射區低溫氧化*氫氣處置N+光刻適用于P型片N+淀積分散適用P型片N+低溫氧化適用P型片氫氣處置適用P型片3B光刻鋁蒸發四次光刻氮氫合金AL上CVD2氮氣烘焙適用N型片2五次光刻2中測抽測2測試系統減薄、拋光2減薄和拋光部分蒸金/

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