1、電阻模型參數(shù)R 電阻倍率因子TC1 線性溫度系數(shù)TC2 二次溫度系數(shù) 電容模型參數(shù) C 電容倍率因子VC1 線性電壓系數(shù)VC2 二次電壓系數(shù)TC1 線性溫度系數(shù)TC2 二次溫度系數(shù) 電感模型參數(shù) L 電感倍率因子IL1 線性電流系數(shù)IL2 二次電流系數(shù)TC1 線性溫度系數(shù)TC2 二次溫度系數(shù) 二極管模型參數(shù)IS 飽和電流RS 寄生串聯(lián)電阻N 發(fā)射系數(shù)TT 渡越時(shí)間CJO 零偏壓 PN 結(jié)電容VJ PN 結(jié)自建電勢(shì)M PN 結(jié)剃度因子EG 禁帶寬度XT1 IS 的溫度指數(shù)FC 正偏耗盡層電容系數(shù)BV 反向擊穿電壓 (漆點(diǎn)電壓 IBV 反向擊穿電流 (漆點(diǎn)電流 KF 閃爍躁聲系數(shù)AF 閃爍躁聲指數(shù)

2、雙極晶體管 (三極管IS 傳輸飽和電流EG 禁帶寬度XTI (PT IS 的溫度效應(yīng)指數(shù) BF 正向電流放大系數(shù)NF 正向電流發(fā)射系數(shù)V AF (V A 正向歐拉電壓IKF (IK 正向漆點(diǎn)電流ISE (C2 B-E 漏飽和電流NE B-E 漏飽和電流BR 反向電流放大系數(shù)NR 反向電流發(fā)射系數(shù)V AR (VB 正想歐拉電壓IKR 反向漆點(diǎn)電流ISC C4 B-C 漏飽和電流NC B-C 漏發(fā)射系數(shù)RB 零偏壓基極電阻IRB 基極電阻降致 RBM/2 時(shí)的電流RE 發(fā)射區(qū)串聯(lián)電阻RC 集電極電阻CJE 零偏發(fā)射結(jié) PN 結(jié)電容VJE PE 發(fā)射結(jié)內(nèi)建電勢(shì)MJE ME 集電結(jié)剃度因子CJC 零偏

3、襯底結(jié) PN 結(jié)電容VJC PC 集電結(jié)內(nèi)建電勢(shì)MJC MC 集電結(jié)剃度因子X(jué)CJC Cbe 接至內(nèi)部 Rb 的內(nèi)部CJS CCS 零偏襯底結(jié) PN 結(jié)電容VJS PS 襯底結(jié)構(gòu) PN 結(jié)電容MJS MS 襯底結(jié)剃度因子FC 正偏勢(shì)壘電容系數(shù)TF 正向渡越時(shí)間XTF TF 隨偏置變化的系數(shù)VTF TF 隨 VBC 變化的電壓參數(shù)ITF 影響 TF 的大電流參數(shù)PTF 在 F=1/(2派 TF Hz 時(shí)超前相移 TR 反向渡越時(shí)間XTB BF 和 BR 的溫度系數(shù)KF I/F 躁聲系數(shù)AF I/F 躁聲指數(shù)Is=14.34f 反向飽和電流。Xti=3 飽和電流的溫度指數(shù)Eg=1.11 硅的帶隙能

4、量V af=74.03 正向歐拉電壓Bf=255.9 正向電流放大系數(shù)Ne=1.307 B-E 極間的泄漏飽和發(fā)射系數(shù) + Ise=14.34f B-E 極間的泄漏飽和電 流 Ikf=.2847 正向 BETA 大電流時(shí)的滑動(dòng)拐點(diǎn) Xtb=1.5 電流放大系數(shù)的溫度系數(shù)Br=6.092 理想反向電流放大系數(shù)Nc=2 B-C 間的泄漏發(fā)射系數(shù)Isc=0Ikr=0 反向 BETA (R 大電流時(shí)的滑動(dòng)拐點(diǎn) Rc=1 集電極電阻 + Cjc=7.306p B-E 結(jié)零偏壓時(shí)的耗盡電容。Mjc=.3416 B-C 結(jié)指數(shù)因子Vjc=.75 B-C 結(jié)內(nèi)建電勢(shì)Fc=.5 正向偏壓時(shí)的耗盡電容系數(shù)Cje=

5、22.01p B-E 結(jié)零偏壓時(shí)的耗盡電容Mje=.377 B E 結(jié)指數(shù)因子Vje=.75 B-E 結(jié)內(nèi)建電勢(shì)+ Tr=46.91n 反向渡越時(shí)間Tf=411.1p 正向渡越時(shí)間Itf=.6 正向渡越時(shí)間隨 VBE 變化的參數(shù)Vtf=1.7Xtf=3 Rb=10 正向渡越時(shí)間隨偏置變化的參數(shù) 三極管參數(shù)中文字符號(hào)英文對(duì)照Pcm 集電極最大耗散功率Icm 集電極最大允許電流V(brcbo 發(fā)射極開路時(shí) ,集電極與基極間反向擊穿電壓 V(brceo 基極開路時(shí) ,集電極與發(fā)射極間反向擊穿電壓 V(brebo 集電極開路時(shí) ,發(fā)射極與基極間反向擊穿電壓Icbo 發(fā)射極開路時(shí) ,集電極與基極間反向漏

6、電流Iceo 基極開路時(shí) ,集電極與發(fā)射極間反向漏電流Iebo 集電極開路時(shí) ,發(fā)射極與基極間反向漏電流Vce(sat 基極與發(fā)射極間的正向飽和壓降Vbe(sat 集電極與發(fā)射極間的反向飽和壓降hFE 共發(fā)射接法時(shí)靜態(tài)電流放大系數(shù) (簡(jiǎn)稱放大數(shù) Ft 特征頻率 (共發(fā)射極電流放 大系數(shù)下降到 1時(shí)的頻率 Cob 共基極輸出電容Nf 嗓聲系數(shù)Fa 共基極截止頻率Hre 共發(fā)射極交流輸入開路時(shí)的電壓反饋系數(shù)Gp 共基極時(shí)功率增益Kp 共發(fā)射極時(shí)功率增益Vf 正向降壓Vr 反向降壓Typ 典型值Max 最大值Min 最小值If 正向電流Ir 反向電流Toff 關(guān)閉時(shí)間共發(fā)極交流輸入開路時(shí)的輸示Cc-

7、集電極電容Ccb-集電極與基極間電容Cce-發(fā)射極接地輸出電容Ci-輸入電容Cib-共基極輸入電容Cie-共發(fā)射極輸入電容Cies-共發(fā)射極短路輸入電容Cieo-共發(fā)射極開路輸入電容Cn-中和電容 （外電路參數(shù)Co-輸出電容Cob-共基極輸出電容。在基極電路中 ,集電極與基極間輸出電容Coe-共發(fā)射極輸出電容Coeo-共發(fā)射極開路輸出電容Cre-共發(fā)射極反饋電容Cic-集電結(jié)勢(shì)壘電容CL-負(fù)載電容 （外電路參數(shù)Cp-并聯(lián)電容 （外電路參數(shù)BVcbo- 發(fā)射極開路 ,集電極與基極間擊穿電壓BVceo-基極開路, CE 結(jié)擊穿電壓BV ebo- 集電極開路 EB 結(jié)擊穿電壓BVces-基極與發(fā)射極

8、短路 CE 結(jié)擊穿電壓BV cer-基極與發(fā)射極串接一電阻 , CE 結(jié)擊穿電壓D-占空比f(wàn)T- 特征頻率fmax-最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于 1 時(shí)的工作頻率hFE-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)hIE-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗hOE-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)h RE- 共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)hie-共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗hre-共發(fā)射極小信號(hào)開路電壓反饋系數(shù)hfe-共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù)hoe-共發(fā)射極小信號(hào)開路輸出導(dǎo)納IB-基極直流電流或交流電流的平均值Ic-集電極直流電流或交流電流的平均值IE-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值Icbo-基極接地,發(fā)射極對(duì)地開路 ,在規(guī)定的 VC

9、B 反向電壓條件下的集電極與基 極之間的反向截止電流 Iceo-發(fā)射極接地 ,基極對(duì)地開路 ,在規(guī)定的反向電壓 VCE 條 件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Iebo-基極接地 ,集電極對(duì)地開路 ,在規(guī)定 的反向電壓 VEB 條件下 ,發(fā)射極與基極之間的反向截止電流 Icer-基極與發(fā)射極間 串聯(lián)電阻 R ,集電極與發(fā)射極間的電壓 VCE 為規(guī)定值時(shí) ,集電極與發(fā)射極之間的反 向截止電流Ices-發(fā)射極接地 ,基極對(duì)地短路 ,在規(guī)定的反向電壓 VCE 條件下 ,集電極與發(fā)射 極之間的反向截止電流Icex-發(fā)射極接地 ,基極與發(fā)射極間加指定偏壓 ,在規(guī)定的反向偏壓 VCE 下 ,集電 極與

10、發(fā)射極之間的反向 截止電流ICM- 集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM- 在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi) ,能連續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大 值 ,或交流電流的最大平均 值ICMP-集電極最大允許脈沖電流ISB-二次擊穿電流IAGC-正向自動(dòng)控制電流Pc-集電極耗散功率PCM-集電極最大允許耗散功率Pi-輸入功率Po-輸出功率Posc-振蕩功率Pn-噪聲功率Ptot-總耗散功率ESB-二次擊穿能量rbb'-基區(qū)擴(kuò)展電阻 （基區(qū)本征電阻rbb'Cc-基極 -集電極時(shí)間常數(shù) ,即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積rie-發(fā)射極接地 ,交流輸出短路時(shí)的輸入電阻roe-發(fā)射極

11、接地 ,在規(guī)定 VCE 、 Ic 或 IE 、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí) 的輸出電阻RE-外接發(fā)射極電阻 （ 外電路參數(shù)RB-外接基極電阻 （外電路參數(shù)Rc -外接集電極電阻 （外電路參數(shù)RBE-外接基極 -發(fā)射極間電阻 （外電路參數(shù)RL- 負(fù)載電阻 （外電路參數(shù)RG-信號(hào)源內(nèi)阻Rth-熱阻Ta-環(huán)境溫度Tc-管殼溫度Ts-結(jié)溫Tjm-最大允許結(jié)溫Tstg-貯存溫度td延遲時(shí)間tr-上升時(shí)間ts-存貯時(shí)間tf-下降時(shí)間ton-開通時(shí)間toff-關(guān)斷時(shí)間VCB- 集電極 -基極（直流電壓VCE-集電極 -發(fā)射極 （直流電壓VBE-基極發(fā)射極 （直流電壓VCBO-基極接地 ,發(fā)射極對(duì)地開路 ,

12、集電極與基極之間在指定條件下的最高耐 壓VEBO-基極接地，集電極對(duì)地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高 耐壓 VCEO- 發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最 高耐壓 VCER- 發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻 R，集電極與發(fā)射極間在指 定條件下的最高耐壓 VCES-發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，集電極與發(fā)射極之間在 指定條件下的最高耐壓 VCEX- 發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集 電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓 Vp-穿通電壓。 VSB- 二次擊穿電壓 VBB- 基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） Vcc-集電極（直流）電源電壓（外 電路

13、參數(shù)） VEE- 發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VCE（sat-發(fā)射極接 地，規(guī)定 Ic、IB 條件下的集電極 -發(fā)射極間飽和壓降 VBE（sat-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB 條件下，基極 -發(fā)射極飽和壓降（前向壓降） VAGC-正向自動(dòng)增益控制電 壓 Vn（p-p-輸入端等效噪聲電壓峰值 V n-噪聲電壓 Cj-結(jié)（極間）電容， 表示 在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv- 偏壓結(jié)電容 Co-零偏 壓電容 Cjo-零偏壓結(jié)電容 Cjo/Cjn- 結(jié)電容變化 Cs-管殼電容或封裝電容 Ct-總 電容 CTV- 電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的

14、絕 對(duì)變化之比 CTC-電容溫度系數(shù) Cvn-標(biāo)稱電容 IF- 正向直流電流（正向測(cè)試電 流） 。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓 VF 下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、 硅 堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流（平均 值） ，硅開關(guān)二極管在額定功 率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管 正向電參數(shù)時(shí)給定的電流 IF（AV ）-正向平均電流 IFM（IM）-正向峰值電流 （正向最大電流） 。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光 二極管極限電流。 IH- 恒定電流、維持電流。 Ii- 發(fā)光二極管起輝電流 IFRM- 正向重復(fù)峰值電流 IFSM-正向不重復(fù)峰

15、值電流（浪涌電流） Io- 整流電流。在特 定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流 IF（ov- 正向過(guò)載電流 IL- 光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID-暗電流 IB2- 單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM- 發(fā)射極峰值電流 IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 ICM- 最大輸出平均電流 IFMP- 正向脈沖電流 IP-峰點(diǎn)電流 IV-谷點(diǎn)電流 IGT- 晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD-晶 閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM- 控制極正向峰值電流 IR（AV ）-反向平均電流 IR （ In）-反向直流電流（反向漏電流） 。在

16、測(cè)反向特性時(shí)，給定的反向電流；硅 堆在正弦半波電阻性負(fù)載 電路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過(guò)的電流；硅開關(guān) 二極管兩端加反向工作電壓 VR 時(shí)所通過(guò)的電流； 穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn) 生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM- 反向峰值電流 IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流 IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 IRRM- 反向 重復(fù)峰值電流 IRSM-反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流） Irp- 反向恢復(fù)電流 Iz- 穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流） 。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí)，給定的反向電流 Izk- 穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流 IOM- 最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最 大瞬時(shí)

17、電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整 流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的 最大工作電流 IZSM- 穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM- 最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率 下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流 iF-正向總瞬時(shí)電流 iR-反向總瞬時(shí)電流 ir- 反向 恢復(fù)電流 Iop-工作電流 Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 f- 頻率 n-電容變化指數(shù)；電容 比 Q-優(yōu)值（品質(zhì)因素） v-z-穩(wěn)壓管電壓漂移 di/dt- 通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt- -通態(tài)電壓臨界上升率 PB-承受脈沖燒毀功率 PFT（AV ）-正向?qū)ㄆ骄纳⒐?率 PFTM- 正向峰值耗散功率 PFT-正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率 Pd-耗散功率 PG-

18、 門極平均功率 PGM- 門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率 Pi-輸入功率 PK- 最大開關(guān)功率 PM- -額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于 150 度所能承受的最大功率 PMP-最大漏過(guò)脈沖 功率 PMS-最大承受脈沖功率 Po-輸出功率 PR-反向浪涌功率 Ptot-總耗散功率 Pomax-最大輸出功率 Psc-連續(xù)輸出功率 PSM-不重復(fù)浪涌功率 PZM- 最大耗散 功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF（ r）-正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向 電壓下，電壓增加微小量 V，正向電流相應(yīng)增加 I，則V/I 稱微分電阻 RBB-雙基極晶體管的基極間電阻 RE-射頻電阻 RL- 負(fù)載電阻 Rs（rs串聯(lián)電阻Rth熱阻 R（thja 結(jié)到環(huán)境的熱阻 Rz（ru- 動(dòng)態(tài)電阻 R（thjc-結(jié)到殼的熱阻 r -衰減電阻 r（th-瞬態(tài)電阻 Ta-環(huán)境溫度 Tc-殼溫 td-延遲時(shí)間 tf