宏微科技2023年半年度董事會經營評述一、報告期內公司所屬行業(yè)及主營業(yè)務情況說明二、經營情況的討論與分析報告期內，公司專注于功率半導體器件的研發(fā)和技術創(chuàng)新，已經建立完善的研發(fā)體系和研發(fā)團隊，目前公司已具備先進的IGBT、FRED芯片設計、工藝集成、模塊的封裝設計及工藝實現、器件的產品特性分析及可靠性研究等能力，自主研發(fā)已成為公司核心競爭力之一、產品方面公司已在IGBT、FRED等功率半導體芯片、單管和模塊的設計、封裝和測試等方面積累核心技術，隨著公司技術與產品在工控領域的不斷滲入及新能源領域的不斷拓展，有望帶動公司業(yè)績持續(xù)增長。受益于雙碳戰(zhàn)略對于新能源汽車、光伏等下游產業(yè)成長所帶來的巨大推動及半導體器件國產化的驅動，公司業(yè)務將進一步快速增長。公司將全面優(yōu)化管理流程，大力提高運營效率，降低成本提升效益，實現高質量高速發(fā)展。（一）經營情況在部分原材料供應緊張、價格上漲的情況下，公司通過技術創(chuàng)新、工藝改進和精細化管理，提高了生產效率和產品的良品率。通過加強上下游協同，深化產業(yè)鏈戰(zhàn)略合作，核心競爭力持續(xù)提升。報告期內，公司實現營業(yè)收入76,441.78萬元，歸屬于上市公司股東凈利潤6,251.85萬元，同比分別增長129.70%和93.90%。（二）募投項目情況報告期內，公司抓住市場需求旺盛和國產化替代的機遇，積極推進募投項目建設。加快引進先進的生產工藝設備，擴大產能，緩解了產能缺口。截至報告期末，“新型電力半導體器件產業(yè)基地項目”及“研發(fā)中心建設項目”共計已投入31,938.14萬元。（三）研發(fā)工作情況報告期內，公司為加快產品開發(fā)速度、提高產品開發(fā)成功率、加強產品開發(fā)階段質量管控，在產品研發(fā)階段導入了項目管理。并在公司內部多場合、多頻次宣貫“目標管理、進度管理、預算管理”的意識，強調“通過團隊協作，加速新品和新技術開發(fā)、產品迭代”的理念，通過“產品需求管理、產品概念策劃、項目目標和計劃評審、項目立項評審、項目階段評審、項目驗收考核”等一系列措施的環(huán)環(huán)相扣，使得研發(fā)項目按時完成率和目標達成率較往年有較大的提升。聚焦公司主營業(yè)務方向、服務于中長期業(yè)務發(fā)展需求，公司在重點應用領域（如電動汽車、光伏）、重點客戶、新市場積極布局新產品開發(fā)，通過市場調研、應用分析、聯合下游客戶合作，持續(xù)篩選出經濟效益較好、市場競爭力較強、技術含量高，創(chuàng)新性高，填補市場空白的產品開發(fā)需求。公司以汽車產品質量管理IATF16949體系中五大工具（APQP、FMEA、PPAP、MSA、SPC）為切入點，梳理了APQP五個階段的輸入與輸出文件，使得項目開發(fā)過程中緊密圍繞產品質量管理的主線，重點強化了DFMEA、PFMEA、CP、SOP的信息對齊與貫通，提高了產品開發(fā)階段全過程質量意識及重要性。基于項目管理的產品開發(fā)模式，公司通過明確項目目標、進度管理、預算管理，明確了項目開發(fā)各個階段的工作內容及輸出物，設立了項目里程碑，在各個關鍵階段組織評審，評審階段目標及工作完成情況、問題點關閉情況是否達到預期要求，能否滿足進入下個階段工作的條件。實施項目管理以來，設計開發(fā)階段的變更得到了有效的控制、產品質量先期策劃（APQP）的深入度得到了加強、開發(fā)階段的風險項和問題點識別愈發(fā)細致。項目團隊人員專業(yè)化程度、職業(yè)化素養(yǎng)、人員的積極性得到較大的提升，“目標結果為導向、成本和經營意識、項目時間的緊迫性”逐步地深入到各個部門中，團隊協作的意識得到加強。報告期內，公司根據年度研發(fā)計劃以及市場需求情況展開技術及產品研發(fā)工作，根據項目要求配置先進設備，按項目特點和需求合理配置研發(fā)團隊，加強對外合作，充分利用公司研發(fā)資源，提升公司的自主創(chuàng)新能力和研發(fā)水平，鞏固和保持公司產品和技術的領先地位，取得了一定成效。報告期內，公司主要取得的研發(fā)成果如下：1、光伏用400A/650V三電平定制模塊開發(fā)順利，已開始批量交付，目前產能穩(wěn)定，終端表現良好；2、車用800A/750V雙面散熱模塊開發(fā)順利，通過相關車用可靠性測試及系統(tǒng)測試，已開始小批量交付使用；3、車用750V12寸芯片的順利開發(fā)以及其對應的車用模塊快速上量；4、12寸1700V高性能續(xù)流管及1700VIGBT芯片已完成開發(fā)和驗證。三、風險因素（一）核心競爭力風險1、技術升級及產品迭代風險功率半導體器件行業(yè)技術不斷升級，持續(xù)的研發(fā)投入和新產品開發(fā)是保持競爭優(yōu)勢的關鍵。公司現有的技術存在被新的技術替代的可能。如國內外競爭對手推出更先進、更具競爭力的技術和產品，而公司未能準確把握行業(yè)技術發(fā)展趨勢并制定新技術的研究方向，或公司技術和產品升級迭代的進度跟不上行業(yè)先進水平，新產品研發(fā)失敗，將導致產品技術落后、公司產品和技術被迭代的風險。（二）經營風險1、重要供應商依賴的風險產品中的核心原材料中自研芯片采用Fabless模式委托芯片代工企業(yè)生產，外購芯片主要采購英飛凌等芯片供應商。如果公司主要芯片代工供應商產能嚴重緊張或者難以通過供應商采購芯片，則可能導致公司產品無法及時、足量供應，進而對公司的經營業(yè)績產生不利影響。2、固定資產折舊及減值的風險隨著公司改擴建項目的投產使用，將新增較大量的固定資產，使得年新增折舊及攤銷費用較大。若公司未來因面臨低迷的行業(yè)環(huán)境而使得經營無法達到預期水平，則固定資產投入使用后帶來的新增效益可能無法彌補計提折舊的金額。固定資產存在由于損壞、技術升級和運營效率降低等原因存在資產減值的風險。未來，若下游市場重大變化、制造的工藝發(fā)生重大變革，或出現其他更為領先的工藝，亦會導致公司固定資產出現減值的風險。（三）行業(yè)風險1、市場競爭風險國際市場上，經過60余年的發(fā)展，以英飛凌、安森美、意法半導體為代表的國際領先企業(yè)占據了全球半導體分立器件的主要市場份額。同時，國際領先企業(yè)掌握著多規(guī)格中高端芯片制造技術和先進的封裝技術，其研發(fā)投入強度也高于國內企業(yè)，在全球競爭中保持優(yōu)勢地位，幾乎壟斷工業(yè)控制、新能源、電動汽車等利潤率較高的應用領域。國內市場較為分散，市場化程度較高，各公司處于充分競爭狀態(tài)。我國目前已成為全球最大的半導體分立器件市場，并保持著較快的發(fā)展速度，這可能會吸引更多的競爭對手加入從而導致市場競爭加劇，公司如果研發(fā)效果不達預期，不能滿足新興市場及領域的要求，公司市場份額存在下降的風險。（四）宏觀環(huán)境風險公司產品主要應用于工業(yè)控制、新能源、電動汽車等行業(yè)，如果宏觀經濟波動較大或長期處于低谷，上述行業(yè)的整體盈利能力會受到不同程度的影響，半導體行業(yè)也將隨之受到影響，從而對公司的銷售和利潤帶來負面影響。四、報告期內核心競爭力分析(一)核心競爭力分析1、技術優(yōu)勢IGBT作為一種功率半導體器件，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，屬于國家戰(zhàn)略高新技術及核心關鍵技術。公司專注于功率半導體器件的研發(fā)和技術創(chuàng)新，始終堅持“關注需求、賦予價值、成就品牌”的研發(fā)理念，以技術自主創(chuàng)新為根基，以研發(fā)持續(xù)投入為保障，建立了完善的研發(fā)體系和強大的研發(fā)團隊。公司已具備并掌握先進的IGBT、FRED芯片設計能力、工藝設計能力、模塊的封裝設計與制造能力、特性分析與可靠性研究能力、器件的應用研究與失效分析能力。公司自主研發(fā)設計的芯片是公司模塊產品具有高性價比的主要競爭力之一、經過多年的技術沉淀和積累，公司已在IGBT、FRED等功率半導體芯片、單管和模塊的設計、封裝和測試等方面積累了眾多優(yōu)秀核心技術。其中芯片領域的核心技術主要包括微細溝槽柵、多層場阻斷層、虛擬原胞、逆導集成結構等IGBT芯片設計及制造技術；軟恢復結構、非均勻少子壽命控制技術等FRED芯片設計及制造技術；高可靠終端設計等高壓MOSFET芯片設計及制造技術等。2、產品優(yōu)勢公司致力于功率半導體芯片、單管及模塊研發(fā)、生產和銷售，公司產品集中應用于工業(yè)控制（變頻器、伺服電機、UPS、開關電源等），部分產品應用于新能源發(fā)電（光伏逆變器等）、電動汽車（電控系統(tǒng)等）等多元化領域。目前，公司產品已涵蓋