微電子概論（第3版）課件2-5-4JFET器件特性分析定量描述_第1頁
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文檔簡介

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微電子概論》（第3版）郝躍賈新章史江一目錄1.線性區(qū)和過渡區(qū)2.5.4JFET直流特性定量分析2.飽和區(qū)3.截止區(qū)基于pn結(jié)基本結(jié)論，分析柵源電壓VGS對溝道“可變電阻”的控制，就可以推導(dǎo)得到ID與VDS之間的關(guān)系，這就是ID與VDS特性的定量描述。這種方法物理過程明確，但是采用該模型進行電路模擬時經(jīng)常出現(xiàn)不收斂問題，因此Spice等電路模擬軟件中均采用近似表達式。1.線性區(qū)和過渡區(qū)線性區(qū)和過渡區(qū)

(1)偏置情況：VGS>VP

（對n溝JFET，夾斷電壓為負值）式中，β稱為跨導(dǎo)因子，β＝(eμnND)aW/L

其中L、W和a分別是溝道的長、寬和厚度0＜VDS＜夾斷電壓VDS(sat)=VGS-VP

(2)電流表達式IDS＝β[2(VGS-VP)VDS-VDS2]2.飽和區(qū)式中，λ為溝道長度調(diào)制系數(shù)。λ≡(△L/L)/(VDS)代表單位漏源電壓引起的溝道長度的相對變化率。VDS>夾斷電壓VDsat

IDS＝β(VGS-VP)2(1+λVDS)線性區(qū)和過渡區(qū)飽和區(qū)

(1)偏置情況：VGS>VP

（對n溝JFET，夾斷電壓為負值）(2)電流表達式3.截止區(qū)偏置情況：VGS＜VP溝

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