《微電子概論（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝躍賈新章史江一》SecondEdition1.平面工藝IC中的BJT結構特點2.4.1BJT直流放大原理2.雙極晶體管直流電流傳輸過程4.提高BJT直流電流放大系數的技術途徑3.BJT直流電流放大系數目錄3.BJT直流電流放大系數(1)共基極DC電流放大系數共基極連接情況下，基極為公共端。輸入端為發射極，輸出端為集電極。

共基極DC電流放大系數描述的是輸出端集電極電流IC與輸入端發射極電流IE之間的關系。IE=IC+IB

IE=InE+IpE

IB=IpE+IRB-ICBOIC=InC+ICBO3.BJT直流電流放大系數(1)共基極DC電流放大系數共基極連接，輸入端E與公共端B之間VBE>0，BE結正偏。輸出端C與公共端B之間偏置電壓VCB>0，CB結反偏。IE=IC+IB

IE=InE+IpE

IB=IpE+IRB-ICBOIC=InC+ICBOBJT工作于正向放大狀態。所示端電流組成關系成立。3.BJT直流電流放大系數(1)共基極DC電流放大系數IE=IC+IB

IE=InE+IpE

IB=IpE+IRB-ICBOIC=InC+ICBO(a)輸入到輸出的電流傳輸效率α0稱為共基極直流電流放大系數。希望α0

越大越好。但是，顯然α0<1。設計良好的BJT，α0

大于0.99。3.BJT直流電流放大系數(1)共基極DC電流放大系數IE=IC+IB

IE=InE+IpE

IB=IpE+IRB-ICBOIC=InC+ICBO(a)輸入到輸出的電流傳輸效率說明

兩種定義只相差很小的ICBO，因此對α0

值幾乎沒有影響。α0

另一種定義方式為：3.BJT直流電流放大系數(1)共基極DC電流放大系數IE=IC+IB

IE=InE+IpE

IB=IpE+IRB-ICBOIC=InC+ICBO(b)輸出端電流的組成從輸入端IE傳輸到輸出端的α0IE；輸出端反偏BC結的反向飽和電流。IC=InC+ICBO輸出端電流IC包括兩部分：=α0

IE+ICBO3.BJT直流電流放大系數(1)共基極DC電流放大系數IE=IC+IB

IE=InE+IpE

IB=IpE+IRB-ICBOIC=InC+ICBO(c)電流ICBO的含義

ICBO是IE為0（即輸入端開路Open）情況下流過輸出端BC間的電流。IC=α0

IE+ICBO因此記為ICBO3.BJT直流電流放大系數(2)中間變量IE=IC+IB

IE=InE+IpE

IB=IpE+IRB-ICBOIC=InC+ICBO由α0定義：記為：3.BJT直流電流放大系數(2)中間變量(a)注入效率稱為注入效率輸入電流中只有注入到基區的那一部分才可能傳輸到輸出端。γ0就是描述在輸入電流中注入到基區的那一部分所占的比例。顯然，希望γ0越大越好。但是γ0小于1。3.BJT直流電流放大系數(2)中間變量(a)注入效率要增大γ0，應該使IpE?InE。根據pn結結論，就要求發射區的摻雜濃度應該比基區的摻雜濃度高得多。由γ0＝InE/IE＝InE/(InE＋IpE)

集成電路工藝中，為了保證雙極晶體管具有一定的電流放大系數，必須保證發射區的摻雜濃度比基區的摻雜濃度高得多。＝1/[1＋(IpE/InE)]3.BJT直流電流放大系數(2)中間變量

(b)基區輸運系數稱為基區輸運系數注入到基區的電流中有一部分在基區中被復合。αT0描述的是注入到基區的電流中順利通過基區的那一部分所占的比例。希望αT0越大越好。但是αT0小于1。3.BJT直流電流放大系數(2)中間變量

(b)基區輸運系數要增大αT0，應該使基區復合電流IRB?InE。由αT0

＝InC/