fOAum1.幅頻特性和相頻特性

Au(f)—幅頻特性

(f)—相頻特性0.707AumfOAuf

L

—下限截止頻率

f

H

—上限截止頻率

2.頻帶寬度(帶寬)BW(BandWidth)BW=f

H

-

f

L

f

H引言fLfH1一、RC低通電路的頻率特性5.1.1簡單RC低通和高通電路的頻率特性1.頻率特性的描述RC?????令1/RC=

H則fH

=1/2

RC2?滯后????fO|Au

|10.707O–45

–90

fHf幅頻特性相頻特性32.頻率特性的波特圖f/fH0?20lg|Au

|/dB–200–45

–90

fH–400.11101000.1110f/fH頻率特性波特圖?–90

f0|Au

|10.7070–45

fHf–3dB–20dB/十倍頻–

45

/十倍頻?4二、RC高通電路的頻率特性???令1/RC=

L則fL

=1/2

RC超前f

10fL20lg|Au|=0dBf=fL20lg|Au|=20lg0.7071=-3dBf

0.1fL20lg|Au|=-20lgf/fHRC??5例5.1.1求已知一階低通電路的上限截止頻率。0.01F1k

1k

1//1k

0.01F例5.1.2已知一階高通電路的fL

=300Hz，求電容C。500

C2k

戴維寧定理等效6雙極型三極管物理模型（1）物理模型rb'e---re歸算到基極回路的電阻

---發射結電容，也用C

這一符號---集電結電阻---集電結電容，也用C

這一符號

rbb'---基區的體電阻，b'是假想的基區內的一個點。---發射結電阻

re一、混合π型高頻小信號模型課本P2145.2晶體管的高頻等效模型7

高頻混合π型小信號模型電路圖（2）混合π型微變等效電路簡化：忽略rb’c

、rce課本P2158低頻時（3）參數計算課本P2159（3）單向化據密勒定理可進一步簡化：C'=Cb'e+C’=Cb'e+(1+gmRL

)Cbc課本P21510圖的等效電路

二、電流放大系數β

的頻率響應共發射極接法的截止頻率(betacutofffrequency)中頻

課本P216112.

與頻率f的關系

=0.707

0f

—共發射極截止頻率fT

—

特征頻率

=1可求得：同樣可求得：可見：f

f

o0.707

o1fTO課本P21712以共射放大電路為例，全頻段小信號模型如圖:CE接法基本放大電路

全頻段小信號等效電路大電容(C1,C2,Ce)小電容(C’等)高頻段中頻段低頻段頻段Xc=1/jwC小大0(短路)

(開路)0

XcXc課本P2195.3單管放大電路的頻率響應13+VCCRCC1C2VRL++RB1RB2RSUS?1.中頻特性C1、C2

可視為短路極間電容可視為開路2.低頻特性：極間電容視為開路耦合電容C1、C2與電路中電阻串聯容抗不能忽略課本P22014?????????結論:

頻率降低,Aus

隨之減小,輸出比輸入電壓相位超前。R

B>>rbe??課本P221153.高頻特性EBB

Crbb

rb

eCb

eCb

cR

LRS?US???rbb

EBB

Crb

eCb

eR

LCMRSUS????密勒等效(C1，C2

視為短路)在輸出回路略去Cb

cR

L

=RC//RL

H=1/RtCtfH

=1/2

RtCtCM=(1+gmR

L

)Cb

c課本P222Rt

=(RS+r

bb

)//rb

eCt=Cb

e+CM=Cb

e+(1+gmR

L

)Cb

c16???????增益帶寬積G

BW=Aus0

fH(常數)結論：頻率升高，Au

減小輸出相位滯后

增益帶寬積為常數課本P22717三、完整的單管共射放大電路的頻率特性將前面畫出的單管共射放大電路頻率特性的中頻段、低頻段和高頻段畫在同一張圖上就得到了如圖所示的完整的頻率特性（波特）圖。

共射電路完整波特圖實際上，同時也可得出單管共射電路完整的電壓放大倍數表達式，即課本P22318

如果放大器由多級級聯而成，那么，總增益5.4多級放大電路的頻率響應195.4.1多級放大器的上限頻率fH

設單級放大器的增益表達式為20

式中，|AuI|=|AuI1||AuI2|…|AuIn|為多級放大器中頻增益。令215.4.2多級放大器的下限頻率fL

設單級放大器的低頻增益為(5–69)(5–70)(5–71)(5–72)22

解得多級放大器的下限角頻率近似式為若各級下限角頻率相等，即ωL1=ωL2=…=ωLn,則235.4.3多級放大電路的上限頻率和下限頻率在實際的多級放大電路中，當各放大級的時間常數相差懸殊時，可取其主要作用的那一級作為估算的依據。243.三極管的結電容和分布電容是引起放大電路高頻響應的主要原因，上限截止頻率由高頻時間常數中較大的一個決定(fHmin)；2.放大電路的耦合電容和旁路電容是引起低頻響應的主要原因，下限截止頻率主要由低頻時間常數中較小的一個決定(fLmax)；1.C：C1、C2、Ce、C

R:與各電容構成回路的等效電阻值。5.5小結254.由于若電壓放大倍數K增加，C

也增加，上限截止頻率就下降，通頻帶變窄。增益和帶寬是一對矛盾，所以常把增益帶寬積作為衡量放