ICS29.045

CCSL04

CASME

中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CASMEXXXX—2024

半導(dǎo)體器件加工規(guī)范

Semiconductordeviceprocessingspecification

（征求意見稿）

在提交反饋意見時(shí)，請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會??發(fā)布

T/CASMEXXXX—2024

半導(dǎo)體器件加工規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了半導(dǎo)體器件加工的一般要求、加工工藝、標(biāo)識、記錄、包裝和貯存。

本文件適用于半導(dǎo)體器件加工。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

SJ21166—2016MEMS慣性器件劃片工藝技術(shù)要求

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

劃片waferdicing

將晶片切割成若干個(gè)獨(dú)立芯片的過程。

3.2

崩邊chipping

劃片過程中，圓片的內(nèi)部應(yīng)力在刀片作用下從切割位置擴(kuò)散開來，在基底材料上形成缺損及裂紋等

現(xiàn)象。

4縮略語

UV：紫外線（Ultraviolet）

5一般要求

5.1環(huán)境

5.1.1半導(dǎo)體器件加工工作環(huán)境應(yīng)滿足以下要求：

a)環(huán)境溫度：（5～30）℃；

b)相對濕度：30％～70％；

c)潔凈度：不低于GB/T25915.1—2010中規(guī)定的ISO7級。

5.1.2作業(yè)區(qū)域應(yīng)干凈整潔，具有良好的照明條件，工作區(qū)光照度應(yīng)不低于750lx，檢驗(yàn)工作區(qū)光照

度應(yīng)不低于1000lx。

5.2人員

5.2.1作業(yè)人員應(yīng)掌握半導(dǎo)體器件加工的專業(yè)知識和技能，熟悉相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備的性能和操作規(guī)范，經(jīng)

培訓(xùn)考核合格后方可上崗。

5.2.2作業(yè)人員應(yīng)嚴(yán)格按照設(shè)備安全操作規(guī)程進(jìn)行操作，按規(guī)定穿戴好勞動保護(hù)用品，確保安全生產(chǎn)。

5.2.3作業(yè)人員進(jìn)行穿著無塵服，佩戴口罩，接觸圓片應(yīng)戴手套或使用鑷子。

1

T/CASMEXXXX—2024

5.3材料

半導(dǎo)體加工所需主要材料見表1，所用材料應(yīng)按照相關(guān)儲存條件存放，在有效期內(nèi)使用。

表1材料

名稱技術(shù)要求

厚度（0.05～0.15）mm

刀片

角度刀片厚度（0.3～0.5）mm，角度30°～120°

藍(lán)膜厚度（70～80）μm

UV膜厚度（85～120）μm

壓縮空氣壓力（0.45～0.60）mpa

去離子水電阻率≥12MΩ?cm

5.4設(shè)備、儀器和工具

5.4.1半導(dǎo)體器件加工所用設(shè)備、儀器應(yīng)定期進(jìn)行計(jì)量校準(zhǔn)。常用設(shè)備和儀器見表2。

表2常用設(shè)備儀器

名稱技術(shù)要求

顯微鏡放大倍數(shù)（100～500）倍

劃片機(jī)主軸轉(zhuǎn)速范圍（6000～60000）r/min

5.4.2工具應(yīng)完好無損、潔凈，工具尺寸規(guī)格應(yīng)與使用要求相適應(yīng)，常用工具如下：

a)鑷子；

b)貼膜框架；

c)鐵環(huán)；

d)晶粒盤。

6加工工藝

6.1晶圓切割

6.1.1作業(yè)準(zhǔn)備

6.1.1.1應(yīng)按照工藝文件核對圓片的批號、數(shù)量、藍(lán)膜厚度、圓片厚度，對來片進(jìn)行檢查：

a)目視檢查圓片表面，應(yīng)無裂紋、劃痕、異物和破損現(xiàn)象；

b)使用放大倍數(shù)為100倍～500倍的顯微鏡對圓片表面進(jìn)行檢查，圓片表面狀態(tài)應(yīng)符合工藝文

件要求。

6.1.1.2應(yīng)根據(jù)圓片厚度及加工文件要求選擇刀片和檢查設(shè)備：

a)刀刃剩余量≥晶圓厚度＋藍(lán)膜切入量＋刀刃剩余安全量；

b)刀高設(shè)定根據(jù)切割用膜的情況進(jìn)行確認(rèn)，膜的切入量為（20±5）μm；

c)每日作業(yè)前檢查設(shè)備純水電阻率和二氧化碳電阻率，超出監(jiān)控范圍則暫停所有設(shè)備，通知工

藝主管及相關(guān)設(shè)備人員；

d)每班次作業(yè)前檢查確認(rèn)切割液泵開啟狀態(tài)，切割液與純水配比為1:5。

6.1.2貼膜

6.1.2.1應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品尺寸及表面結(jié)構(gòu)，采用不同的貼膜工藝：

a)尺寸較小（小于2mm×2mm）時(shí)采用UV膜，尺寸較大時(shí)采用普通藍(lán)膜；

b)當(dāng)表面具有易損結(jié)構(gòu)時(shí)，可采用雙面貼膜，保護(hù)易損結(jié)構(gòu)。

6.1.2.2采用藍(lán)膜貼膜時(shí)應(yīng)加熱工作臺，加熱溫度范圍40℃～60℃。

2

T/CASMEXXXX—2024

6.1.2.3貼膜工藝要求如下：

a)所用框架應(yīng)牢固固定在設(shè)備安裝位置；

b)圓片應(yīng)放置在工作臺指定位置，吸附固定在工作盤上，保證圓片在貼膜過程中不發(fā)生移動；

c)貼膜過程應(yīng)均勻用力，圓片與膜之間應(yīng)無氣泡，膜應(yīng)無褶皺；

d)選用UV膜時(shí)，貼膜前應(yīng)先將保護(hù)膜去除；

e)雙面貼膜時(shí)，應(yīng)先進(jìn)行切割面的貼膜。

6.1.3劃片切割

6.1.3.1使用劃片機(jī)進(jìn)行切割的，應(yīng)根據(jù)工藝文件要求選擇對應(yīng)程序進(jìn)行切割，無對應(yīng)程序的，應(yīng)通

知工藝主管或相關(guān)設(shè)備人員進(jìn)行設(shè)置，主要參數(shù)設(shè)置見表3。

表3劃片機(jī)參數(shù)

項(xiàng)目參數(shù)

主軸轉(zhuǎn)速，rpm6000～60000

進(jìn)刀速度，mm/s≤20

開槽≤圓片厚度/3

劃切深度，mm

倒角≤（圓片厚度＋膜厚）/2

測高間隔刀數(shù)，刀10～60

6.1.3.2切割第一刀后應(yīng)暫停，在顯微鏡下檢查切割刀痕位置、刀痕狀態(tài)，符合工藝要求方可繼續(xù)切

割。

6.1.3.3切割過程中應(yīng)對正在切割的圓片進(jìn)行暫停檢查，檢查內(nèi)容至少包括刀痕深淺、位置、崩邊、

裂痕、劃傷。除首刀暫停外，后續(xù)每一面切割20刀宜暫停檢查1次。

6.1.3.4第一片切割完成，應(yīng)進(jìn)行首片檢查，檢驗(yàn)人員應(yīng)檢查確認(rèn)無不良項(xiàng)目，方可進(jìn)行下一片切割，

每切割7片宜抽取1片進(jìn)行檢驗(yàn)。

6.1.3.5切割過程中應(yīng)注意真空度和水流量，真空度應(yīng)大于-60mpa，水流量應(yīng)大于0.5L/min。

6.1.3.6切割過程中切割水宜采用水射流方式，溫度應(yīng)控制在22℃～25℃范圍內(nèi)。

6.1.3.7切割過程中若設(shè)備突發(fā)故障，待機(jī)超30min，恢復(fù)切割作業(yè)前應(yīng)進(jìn)行不少于5min暖機(jī)，

測高后方可作業(yè)。

6.1.4清洗

切割完成后應(yīng)進(jìn)行清洗，工藝技術(shù)要求如下：

a)轉(zhuǎn)速2000rpm～3000rpm；

b)沖洗時(shí)間不少于30s；

c)吹干時(shí)間不少于30s。

6.1.5UV處理

采用UV膜時(shí)應(yīng)進(jìn)行UV照射處理，工藝技術(shù)要求如下：

a)膜面朝向光源；

b)照射時(shí)間不少于60s；

c)曝光量不小于6J/cm2。

6.1.6檢驗(yàn)

按SJ21166—2016中第6章的規(guī)定進(jìn)行。

6.2挑粒

3

T/CASMEXXXX—2024

6.2.1作業(yè)準(zhǔn)備

6.2.1.1應(yīng)根據(jù)加工流程單核查核對產(chǎn)品芯片品種、批號和數(shù)量。

6.2.1.2根據(jù)產(chǎn)品芯片品種、尺寸確認(rèn)晶粒盤規(guī)格和缺口方向。

6.2.2作業(yè)要求

6.2.2.1使用挑粒機(jī)進(jìn)行挑粒的，應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品芯片品種選擇挑粒程序。

6.2.2.2根據(jù)產(chǎn)品芯片的大小選用合適的吸嘴與頂針，見表4。吸嘴和頂針應(yīng)定期更換，挑粒過程中

吸嘴出現(xiàn)破損、沾污、無法吸取情況的應(yīng)進(jìn)行更換，挑粒過程中頂針出現(xiàn)斷裂、變形、頂起異常情況的

可進(jìn)行更換。

表4吸嘴與頂針

單位為毫米

芯片尺寸吸嘴型號頂針

0.5～1.020～401.5

1.0～1.550～701.5

1.5～2.070～901.5

2.0～4.080～1401.5～2.5

6.2.2.3芯片模版分值設(shè)定按以下步驟進(jìn)行：

a)取一顆芯片獲取樣板；

b)隨機(jī)檢測10顆良品分值，再隨機(jī)檢測10顆不良品分值；

c)最終分值設(shè)定取檢測后良品的最低值和不良品的最高分值的中心值。

6.2.2.4首片挑取單步應(yīng)進(jìn)行單顆吸放動作，檢查設(shè)備吸放過程是否正常。

6.2.2.5每個(gè)批次進(jìn)行挑粒時(shí)，首盤需在檢驗(yàn)人員的確認(rèn)下完成并進(jìn)行記錄，后續(xù)每4h抽取一盤進(jìn)

行過程檢驗(yàn)。

6.2.2.6挑粒過程中出現(xiàn)設(shè)備不能正常挑取的異常現(xiàn)象，調(diào)試后應(yīng)進(jìn)行首盤檢驗(yàn)：

a)調(diào)整頂針高度后，檢查芯片背面膜殘留情況；

b)調(diào)整取片放片高度后，檢查芯片有無壓傷或劃傷情況；

c)更換吸嘴后，檢查芯片表面沾污情況；

d)調(diào)整位置后，檢查芯片崩邊情況。

6.2.2.7每片挑粒結(jié)束后應(yīng)核實(shí)芯片數(shù)量并記錄，常規(guī)產(chǎn)品每片剩余尾數(shù)可與下一片數(shù)量合并，要求

每片數(shù)量分開的除外