人教版選擇性必修2網(wǎng)科學(xué)【備課無(wú)憂(yōu)】2021-2022學(xué)年高二化學(xué)同步優(yōu)質(zhì)課件人教版選擇性必修2網(wǎng)科學(xué)

1.1.4原子結(jié)構(gòu)解題策略專(zhuān)講第一章原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第一節(jié)原子結(jié)構(gòu)1.通過(guò)認(rèn)識(shí)原子結(jié)構(gòu)及核外電子排布,知道原子核外電子的能層、能級(jí)及電子排布規(guī)律,形成宏觀辨識(shí)與微觀探析的核心素養(yǎng)。2.結(jié)合原子模型的演變過(guò)程,掌握原子核外電子排布的構(gòu)造原理,形成證據(jù)推理與模型認(rèn)知的核心素養(yǎng)。3.通過(guò)原子核外電子運(yùn)動(dòng)的形象化表達(dá),了解電子云和原子軌道的概念,形成宏觀辨識(shí)與微觀探析的核心素養(yǎng)。4.通過(guò)對(duì)核外電子排布規(guī)律的探究,了解泡利原理、洪特規(guī)則、能量最低原理等,形成證據(jù)推理與模型認(rèn)知的核心素養(yǎng)。素養(yǎng)目標(biāo)【典例1】已知n為能層序數(shù),下列有關(guān)認(rèn)識(shí)正確的是(

)A.各能層含有的電子數(shù)為2n2B.各能層的能級(jí)都是從s能級(jí)開(kāi)始至f能級(jí)結(jié)束C.各能層含有的能級(jí)數(shù)為n-1D.各能級(jí)最多容納的電子數(shù)按s、p、d、f的順序依次為1、3、5、7的2倍答案

D解析

各能層最多含有的電子數(shù)為2n2,A項(xiàng)錯(cuò)誤;各能層的能級(jí)都是從s能級(jí)開(kāi)始,但并不是都到f能級(jí)結(jié)束,如第1、2、3能層,B項(xiàng)錯(cuò)誤;各能層含有的能級(jí)數(shù)與其能層序數(shù)相等,C項(xiàng)錯(cuò)誤;各能級(jí)最多容納的電子數(shù)按s、p、d、f的順序依次為1、3、5、7的2倍,D項(xiàng)正確。考向一能層與能級(jí)【典例2】比較下列能級(jí)的能量大小(填“>”“＝”或“<”)。(1)2s________4s；(2)3p________3d；(3)3d________4s；(4)4d________5d；(5)2p________3s；(6)4d________5f。【答案】(1)<

(2)<

(3)>

(4)<

(5)<

(6)<【解析】由構(gòu)造原理可知：①同一能層中各能級(jí)的能量高低順序?yàn)閚s<np<nd<nf；②不同能層之間，能量會(huì)產(chǎn)生能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象，即能層序數(shù)大，其能級(jí)的能量不一定高，如3d具有的能量介于4s和4p具有的能量之間。【特別警示】能層與能級(jí)的認(rèn)識(shí)誤區(qū)(1)任何能層均含有s能級(jí),都是從s能級(jí)開(kāi)始,且能級(jí)數(shù)與能層序數(shù)相同,但不是任何能層均含有任何能級(jí)。(2)能層就是電子層。(3)從第3能層開(kāi)始出現(xiàn)d能級(jí),且3d能級(jí)的能量大于4s能級(jí)。(4)每個(gè)能層最多容納電子數(shù)是能層序數(shù)平方的二倍,但與實(shí)際填充的電子數(shù)不一定相同。

【方法技巧】

判斷能級(jí)能量高低的方法(1)首先看能層,一般能層序數(shù)越大,能量越高。(2)再看能級(jí),同一能層中的各能級(jí),能量由低到高的順序是ns<np<nd<nf。(3)還要注意能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象,即高能層的s、p能級(jí)的能量可能會(huì)小于低能層的d、f能級(jí),如4s<3d,6p<5f等。【深化拓展】1.能層、能級(jí)中的數(shù)量關(guān)系:(1)任一能層,能級(jí)數(shù)=能層序數(shù),且總是從s能級(jí)開(kāi)始。(2)以s、p、d、f……排序的各能級(jí)最多容納的電子數(shù)依次為1、3、5、7……的二倍。(3)每個(gè)能層最多可容納的電子數(shù)是能層序數(shù)的平方的二倍,即2n2。(4)能級(jí)符號(hào)相同的不同能級(jí)中所容納的最多電子數(shù)相同。2.能層、能級(jí)中的能量關(guān)系:【典例1】按要求填空:(1)根據(jù)構(gòu)造原理寫(xiě)出下列基態(tài)原子或離子的核外電子排布式。①A元素原子核外M層電子數(shù)是L層電子數(shù)的一半:__________________。

②B元素原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的1.5倍:____________。

③基態(tài)Ni2+、Fe3+、S2-的電子排布式分別為_(kāi)_________、__________、________。

考向二構(gòu)造原理和電子排布式(2)某元素的最外層電子排布式是4s24p5,則其元素符號(hào)為_(kāi)_______。

(3)基態(tài)Ti2+中,電子占據(jù)的最高的能層符號(hào)為_(kāi)_______,該能層有____個(gè)能級(jí)。

(4)寫(xiě)出基態(tài)砷原子的電子排布式__________________,砷位于元素周期表中________周期第________族。

【解題指南】解答該題要注意以下三點(diǎn):(1)最外層電子數(shù)不超過(guò)8(K層為最外層時(shí)最多容納2個(gè)電子)。(2)書(shū)寫(xiě)電子式時(shí)按照能層由低到高的順序書(shū)寫(xiě),不能按電子的填充順序書(shū)寫(xiě)。(3)原子結(jié)構(gòu)與元素在元素周期表中的位置之間的關(guān)系。【方法規(guī)律】簡(jiǎn)單離子電子排布式的書(shū)寫(xiě)先寫(xiě)原子的電子排布式,然后再得失電子,寫(xiě)出對(duì)應(yīng)離子的電子排布式。如:O2-的電子排布式,先寫(xiě)O原子的電子排布式為1s22s22p4,再得2個(gè)電子填充于2p能級(jí),則O2-的電子排布式為1s22s22p6。Fe3+的電子排布式,先寫(xiě)Fe原子的電子排布式為[Ar]3d64s2,再失去3個(gè)電子(由外層向內(nèi)層失去電子)得到Fe3+電子排布式為[Ar]3d5,而不能先失去3d上的3個(gè)電子,再按能層順序?qū)懗蒣Ar]3d34s2。【解析】(1)①L層有8個(gè)電子,則M層有4個(gè)電子,故A為硅。②當(dāng)次外層為K層時(shí),最外層電子數(shù)則為3,為硼;當(dāng)次外層為L(zhǎng)層時(shí),最外層電子數(shù)為1.5×8=12,違背了排布規(guī)律,故不可能。③Ni的原子序數(shù)為28,根據(jù)構(gòu)造原理,基態(tài)Ni原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d84s2,故Ni2+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d8;基態(tài)Fe原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,故Fe3+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5;硫原子序數(shù)為16,基態(tài)硫原子的電子排布式1s22s22p63s23p4,故S2-的電子排布式為1s22s22p63s23p6。(2)根據(jù)價(jià)電子排布式可知該元素有4個(gè)電子層,最外層有7個(gè)電子,位于元素周期表的第四周期第ⅦA族,為Br元素。(3)Ti的原子序數(shù)為22,基態(tài)Ti原子的電子排布式為[Ar]3d24s2,故基態(tài)Ti2+的電子排布式為[Ar]3d2,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為M,該能層有3s、3p、3d3個(gè)能級(jí)。(4)砷的原子序數(shù)為33,基態(tài)As原子的電子排布式為[Ar]3d104s24p3,位于第四周期第ⅤA族。答案:(1)①1s22s22p63s23p2或[Ne]3s23p2

②1s22s22p1或[He]2s22p1

③1s22s22p63s23p63d8或[Ar]3d8

1s22s22p63s23p63d5或[Ar]3d5

1s22s22p63s23p6或[Ne]3s23p6

(2)Br

(3)M

3

(4)[Ar]3d104s24p3四ⅤA【易錯(cuò)提醒】電子排布式書(shū)寫(xiě)的易錯(cuò)點(diǎn)(1)電子排布式的書(shū)寫(xiě):①要依據(jù)構(gòu)造原理來(lái)完成;②對(duì)于副族元素要注意能級(jí)交錯(cuò);③要注意“價(jià)電子排布”“核外電子排布”的區(qū)別;④關(guān)注原子電子排布式與離子電子排布式的區(qū)別。(2)電子排布式的幾個(gè)特例。Cr:[Ar]3d54s1、Cu:[Ar]3d104s1。【典例2】按要求填空:(1)基態(tài)B原子的電子排布式為_(kāi)___________。

(2)基態(tài)N原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)___________。

(3)Se原子序數(shù)為_(kāi)________,其核外M層電子的排布式為_(kāi)___________。

(4)Li3N晶體中氮以N3-形式存在,基態(tài)N3-的電子排布式為_(kāi)___________。

(5)寫(xiě)出基態(tài)鎵(Ga)原子的電子排布式:________________。

【解析】B的核外有5個(gè)電子,電子排布式為1s22s22p1或[He]2s22p1。N原子最外層有5個(gè)電子,最高能層為2,價(jià)電子排布式為2s22p3。Se與O同主族。原子序數(shù)為34,N能層有6個(gè)電子,故其M層排滿(mǎn),M層電子排布式為3s23p63d10。N原子電子排布式為1s22s22p3,N原子得到3個(gè)電子所得N3-的電子排布式為1s22s22p6。Ga為第四周期第ⅢA族元素。故其原子最外層電子排布式為4s24p1,Ga原子電子排布式為[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1。答案:(1)1s22s22p1或[He]2s22p1

(2)2s22p3

(3)34

3s23p63d10

(4)1s22s22p6

(5)1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1電子排布式書(shū)寫(xiě)的易錯(cuò)點(diǎn)(1)電子排布式的書(shū)寫(xiě):①要依據(jù)構(gòu)造原理來(lái)完成;②對(duì)于副族元素要注意能級(jí)交錯(cuò);③要注意“價(jià)電子排布”“核外電子排布”的區(qū)別;④關(guān)注原子電子排布式與離子電子排布式的區(qū)別。[易錯(cuò)警示]

(2)并不是所有的原子核外電子的排布都遵循構(gòu)造原理。Cr原子和Cu原子具有特殊性Cr:[Ar]3d54s1,Cu:[Ar]3d104s1。

(3)與化合價(jià)有關(guān)的電子叫價(jià)層電子,價(jià)層電子并不都是指原子的最外層電子,主族元素的價(jià)層電子就是最外層電子,但過(guò)渡元素的價(jià)層電子包括最外層s電子,次外層d電子,有的還包括倒數(shù)第三層f電子。(4)書(shū)寫(xiě)電子排布式時(shí),同一能層按能級(jí)由低到高順序連在一起。如基態(tài)Fe原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,而不能寫(xiě)成1s22s22p63s23p64s23d6。(5)在原子失去價(jià)電子時(shí),并不都是按照填充的相反順序失去,而是按電子排布式順序從外層向內(nèi)層失去。如基態(tài)Fe3+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5,即Fe→Fe3+是失去4s能級(jí)上的兩個(gè)電子和3d能級(jí)上的一個(gè)電子。【深化拓展】電子排布式的書(shū)寫(xiě)方法(1)簡(jiǎn)單原子的電子排布式按照構(gòu)造原理將電子依次填充到能量逐漸升高的能級(jí)中。如6C:1s22s22p2。(2)復(fù)雜原子的核外電子排布式

↓

↓例如26Fe:1s22s22p63s23p64s23d6

1s22s22p63s23p63d64s2(3)特殊原子當(dāng)p、d、f能級(jí)處于全空、全充滿(mǎn)或半充滿(mǎn)狀態(tài)時(shí),能量相對(duì)較低,原子結(jié)構(gòu)較穩(wěn)定。如24Cr:(4)簡(jiǎn)化電子排布式為了避免電子排布式過(guò)于煩瑣,可以把內(nèi)層電子達(dá)到稀有氣體電子層結(jié)構(gòu)的部分,以相應(yīng)稀有氣體元素符號(hào)外加方括號(hào)來(lái)表示。如K:1s22s22p63s23p64s1,其簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]4s1,其中[Ar]代表Ar的核外電子排布式,即1s22s22p63s23p6。素養(yǎng)脈絡(luò)【典例1】下列說(shuō)法中正確的是(

)A.1s電子云呈球形,表示電子繞原子核做圓周運(yùn)動(dòng)B.ns能級(jí)的原子軌道可表示為C.3d3表示3d能級(jí)有3個(gè)軌道D.電子云輪廓圖中的小點(diǎn)密度大,說(shuō)明該原子核外空間電子數(shù)目多答案

B解析

電子云表示電子在核外空間某處出現(xiàn)的概率,不代表電子的運(yùn)動(dòng)軌跡,故A錯(cuò)誤;ns能級(jí)的電子云輪廓圖呈球形,所以可以用題給圖示表示該能級(jí)的原子軌道,故B正確;3d3表示3d能級(jí)有3個(gè)電子,故C錯(cuò)誤;電子云輪廓圖中小點(diǎn)的疏密表示電子出現(xiàn)概率的大小,密則概率大,疏則概率小,故D錯(cuò)誤。考向三電子云和原子軌道【典例2】如圖是2pz原子軌道電子云形狀的示意圖,請(qǐng)觀察圖示并判斷下列說(shuō)法中不正確的是(

)A.2pz軌道上的電子在空間出現(xiàn)的概率分布是z軸對(duì)稱(chēng)B.s電子的電子云形狀是球形對(duì)稱(chēng)的C.電子先沿z軸正半軸運(yùn)動(dòng),然后再沿負(fù)半軸運(yùn)動(dòng)D.2pz原子軌道形狀為啞鈴形答案

C解析

電子云是表示電子在核外一定區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)概率大小的圖形,它并不是電子運(yùn)動(dòng)的實(shí)際軌跡,故C錯(cuò);s軌道是球形對(duì)稱(chēng)的,s電子的電子云是球形對(duì)稱(chēng)的,故B對(duì);觀察題給圖示可知A對(duì);該p軌道為啞鈴形,D正確。[規(guī)律總結(jié)]

(1)不同能層的同種能級(jí)的原子軌道形狀相同,但半徑不同。能層序數(shù)n越大,原子軌道的半徑越大。(2)s能級(jí)只有1個(gè)原子軌道。p能級(jí)有3個(gè)原子軌道,它們互相垂直,分別以px、py、pz表示。在同一能層中px、py、pz的能量相同。(3)原子軌道數(shù)與能層序數(shù)n的關(guān)系:原子軌道數(shù)目=n2。【深化拓展】1.s能級(jí)和p能級(jí)的原子軌道的對(duì)比能級(jí)sp軌道輪廓圖

軌道形狀球形啞鈴形能級(jí)sp軌道數(shù)目1

3(空間相互垂直)

各軌道中電子能量相同最多容納電子數(shù)26相同點(diǎn)①均以原子核為對(duì)稱(chēng)中心;②原子軌道的平均半徑分別隨能層序數(shù)增大而增大,且同種能級(jí)符號(hào)的原子軌道形狀相似2.不同能層中的原子軌道

能層能級(jí)原子軌道數(shù)原子軌道名稱(chēng)電子云輪廓圖形狀取向K1s11s球形—L2s12s球形—2p32px、2py、2pz啞鈴形相互垂直M3s13s球形—3p33px、3py、3pz啞鈴形相互垂直3d5………………N4s14s球形—4p34px、4py、4pz啞鈴形相互垂直4d5………………4f7………………………………………………【典例1】(1)下列原子或離子的電子排布式正確的是

(填序號(hào),下同),違反能量最低原理的是

,違反洪特規(guī)則的是

,違反泡利原理的是

。

①Ca2+:1s22s22p63s23p6②F-:1s22s23p6④Cr:1s22s22p63s23p63d44s2⑤Fe:1s22s22p63s23p63d64s2⑥Mg2+:1s22s22p6答案(1)①⑤⑥

②④

⑦

③

考向四核外電子排布規(guī)律及其表達(dá)方式【典例2】A、B、C、D、E代表5種元素。請(qǐng)?zhí)羁?(1)A元素基態(tài)原子的最外層有3個(gè)未成對(duì)電子,次外層有2個(gè)電子,該基態(tài)原子的軌道表示式為

。

(2)B元素的負(fù)一價(jià)離子與C元素的正一價(jià)離子的電子排布式都與氬原子相同,B元素的符號(hào)為

,C的離子結(jié)構(gòu)示意圖為

。

(3)D元素正三價(jià)離子的3d能級(jí)為半充滿(mǎn),D的元素符號(hào)為

,其基態(tài)原子的電子排布式為

。

(4)E元素基態(tài)原子的M層全充滿(mǎn),N層沒(méi)有成對(duì)電子,只有一個(gè)未成對(duì)電子,E的元素符號(hào)為

,其價(jià)電子軌道表示式為

。

ClFe1s22s22p63s23p63d64s2(或[Ar]3d64s2)Cu解析(1)根據(jù)A元素基態(tài)原子的最外層有3個(gè)未成對(duì)電子,次外層有2個(gè)電子可知,該元素的基態(tài)原子有2個(gè)電子層,共有7個(gè)電子,是N元素,其軌道表示式為

。(2)B元素的負(fù)一價(jià)離子與C元素的正一價(jià)離子的電子排布式都與氬原子相同,即都有18個(gè)電子,則B元素為Cl,C元素為K,K+的結(jié)構(gòu)示意圖為。[規(guī)律總結(jié)]

1~36號(hào)元素中原子核外電子排布的特殊性。(1)最外層只有一個(gè)未成對(duì)電子的元素:①第ⅠA族(ns1:H、Li、Na、K);②第ⅢA族(ns2np1:B、Al、Ga);③第ⅦA族(ns2np5:F、Cl、Br);④Cr(3d54s1)和Cu(3d104s1)。(2)最外層有2個(gè)未成對(duì)電子的元素:①第ⅣA族(ns2np2:C、Si、Ge);②第ⅥA族(ns2np4:O、S、Se)。(3)最外層有3個(gè)未成對(duì)電子的元素:第ⅤA族(ns2np3:N、P、As)。(4)3d能級(jí)半充滿(mǎn)的元素:Cr(3d54s1)和Mn(3d54s2)。【深化拓展】1.核外電子排布式與原子結(jié)構(gòu)示意圖、軌道表示式的關(guān)系原子結(jié)構(gòu)示意圖→電子排布式→軌道表示式逐步細(xì)化核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。2.核外電子排布表示方法的常見(jiàn)誤區(qū)(1)當(dāng)出現(xiàn)d能級(jí)時(shí),雖然電子按ns、(n-1)d、np的順序填充,但在書(shū)寫(xiě)電子排布式時(shí),仍把(n-1)d放在ns前,如Fe:1s22s22p63s23p63d64s2正確,Fe:1s22s22p63s23p64s23d6錯(cuò)誤。(2)在畫(huà)基態(tài)原子的軌道表示式時(shí),常出現(xiàn)以下錯(cuò)誤:素養(yǎng)脈絡(luò)1.圖1和圖2分別是1s電子的概率密度分布圖和原子軌道圖。下列有關(guān)認(rèn)識(shí)正確的是(

)A.圖1中的每個(gè)小點(diǎn)表示1個(gè)電子B.圖2表示1s電子只能在球體內(nèi)出現(xiàn)C.圖2表明1s軌道呈圓形,有無(wú)數(shù)對(duì)稱(chēng)軸D.圖1中小點(diǎn)的疏密表示某一時(shí)刻電子在核外出現(xiàn)概率的大小答案

D解析

圖1中小點(diǎn)只是電子在原子核外空間的概率密度分布,A錯(cuò)誤;圖2只是表示電子在該區(qū)域出現(xiàn)的概率較大,在此之外也能出現(xiàn),不過(guò)概率很小,B錯(cuò)誤;1s軌道在空間呈球形而不是圓形,C錯(cuò)誤。【素養(yǎng)訓(xùn)練】2.下列說(shuō)法正確的是(

)A.基態(tài)原子中,3d3表示3d能級(jí)有3個(gè)電子且自旋不是都平行B.np能級(jí)全充滿(mǎn)時(shí)的軌道表示式為:C.核外電子運(yùn)動(dòng)的電子云輪廓圖就是原子軌道D.電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)可從能層、能級(jí)、原子軌道3個(gè)方面進(jìn)行描述答案

B解析

3d3表示第三能層d能級(jí)有3個(gè)電子,d能級(jí)有5個(gè)軌道,當(dāng)5個(gè)d軌道中有3個(gè)電子時(shí),這3個(gè)電子自旋平行,A項(xiàng)不正確;電子云是對(duì)電子在原子核外空間的概率密度分布的形象化描述,而原子軌道是用來(lái)描述核外電子空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的,C項(xiàng)不正確;核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)從能層、能級(jí)、原子軌道和電子自旋四個(gè)方面進(jìn)行描述,D項(xiàng)不正確。3.下列基態(tài)原子的價(jià)電子軌道表示式正確的是(

)B4.下列說(shuō)法正確的是(

)A.基態(tài)原子的能量一定比激發(fā)態(tài)原子的能量低B.1s22s12p1表示的是基態(tài)原子的電子排布C.日常生活中我們看到的許多可見(jiàn)光,如霓虹燈光、節(jié)日焰火,都與原子核外電子發(fā)生躍遷釋放能量有關(guān)D.電子僅在激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)才會(huì)產(chǎn)生原子光譜答案

C解析

同類(lèi)原子基態(tài)比激發(fā)態(tài)的能量低,A選項(xiàng)錯(cuò)誤;1s22s12p1不符合構(gòu)造原理,該原子處于激發(fā)態(tài),B選項(xiàng)錯(cuò)誤;原子光譜有發(fā)射光譜和吸收光譜兩種,電子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生發(fā)射光譜,從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)時(shí)產(chǎn)生吸收光譜,D選項(xiàng)錯(cuò)誤。5.下面是s能級(jí)、p能級(jí)的原子軌道圖,據(jù)圖回答下列問(wèn)題:(1)s能級(jí)的原子軌道呈

形,每個(gè)s能級(jí)有

個(gè)原子軌道;p能級(jí)中的原子軌道分別相對(duì)于x、y、z軸

,每個(gè)p能級(jí)有

個(gè)原子軌道。

(2)s能級(jí)原子軌道、p能級(jí)原子軌道的半徑與什么因素有關(guān)?是什么關(guān)系?解析

s能級(jí)中的原子軌道在三維空間分布的圖形為球形,p能級(jí)中的原子軌道在空間分布的圖形分別相對(duì)于x、y、z軸對(duì)稱(chēng);原子軌道的半徑與能層序數(shù)有關(guān),并隨能層序數(shù)增大而增大。球1對(duì)稱(chēng)3原子軌道的半徑與能層序數(shù)有關(guān),并隨能層序數(shù)增大而增大。6.寫(xiě)出下列原子的電子排布式。(1)基態(tài)Cl原子的電子排布式是

。

(2)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為

。

(3)寫(xiě)出基態(tài)As原子的電子排布式:

。

(4)P原子的電子排布式是

。

答案

(1)1s22s22p63s23p5或[Ne]3s23p5(2)1s22s22p63s23p63d104s24p2或[Ar]3d104s24p2(3)1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3(4)1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3解析

根據(jù)構(gòu)造原理填充核外電子,根據(jù)能層序數(shù)由低到高的順序書(shū)寫(xiě)電子排布式。要注意從3d能級(jí)開(kāi)始出現(xiàn)“能級(jí)交錯(cuò)”現(xiàn)象。7.(1)寫(xiě)出砷的元素符號(hào):

,砷原子中所有電子占據(jù)

個(gè)能級(jí),共占有

個(gè)軌道,核外共有

個(gè)不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。

(2)寫(xiě)出元素Ni的名稱(chēng):

,該元素在元素周期表的位置為第

周期第

族。

(3)第四周期基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)最多的元素是

,該元素基態(tài)原子的價(jià)層電子軌道表示式為

。

(4)第三電子層上有

個(gè)能級(jí),作為內(nèi)層最多可容納

個(gè)電子,作為最外層時(shí),最多可含有

個(gè)未成對(duì)電子。

答案

(1)As

8

18

33

(2)鎳四Ⅷ(3)鉻