石墨烯工藝流程單選題100道及答案解析1.石墨烯制備過程中，常用的化學氣相沉積法（CVD）的主要原料是？A.甲烷B.乙烯C.乙炔D.苯答案：A解析：在化學氣相沉積法（CVD）中，常用的原料是甲烷。2.石墨烯生產中，機械剝離法的優(yōu)點是？A.產量高B.成本低C.質量高D.工藝簡單答案：C解析：機械剝離法得到的石墨烯質量高，但產量低、成本高、工藝復雜。3.以下哪種方法不是石墨烯的制備方法？A.氧化還原法B.溶劑熱法C.電泳法D.外延生長法答案：C解析：電泳法不是石墨烯常見的制備方法。4.石墨烯制備過程中，氧化石墨烯還原常用的還原劑是？A.氫氣B.硼氫化鈉C.一氧化碳D.氮氣答案：B解析：硼氫化鈉是常用于還原氧化石墨烯的還原劑。5.化學氣相沉積法制備石墨烯時，通常需要在什么條件下進行？A.高溫高壓B.低溫低壓C.高溫低壓D.低溫高壓答案：C解析：CVD法通常在高溫低壓條件下進行。6.石墨烯工藝流程中，為提高石墨烯的分散性，常采用的處理方法是？A.超聲處理B.加熱處理C.光照處理D.攪拌處理答案：A解析：超聲處理有助于提高石墨烯的分散性。7.以下哪種物質在石墨烯制備中常作為催化劑？A.鎳B.銅C.鐵D.鋁答案：B解析：銅在石墨烯制備中常被用作催化劑。8.石墨烯的氧化過程中，常用的氧化劑是？A.高錳酸鉀B.重鉻酸鉀C.過氧化氫D.次氯酸鈉答案：A解析：高錳酸鉀是石墨烯氧化過程中常用的氧化劑。9.在石墨烯的制備流程中，進行清洗的目的是？A.去除雜質B.增加產量C.改變性質D.提高純度答案：A解析：清洗主要是為了去除制備過程中產生的雜質。10.石墨烯制備中，哪種方法適合大規(guī)模生產？A.機械剝離法B.化學氣相沉積法C.氧化還原法D.外延生長法答案：C解析：氧化還原法相對較適合大規(guī)模生產。11.以下哪種表征手段常用于檢測石墨烯的層數？A.拉曼光譜B.紅外光譜C.紫外光譜D.熒光光譜答案：A解析：拉曼光譜可用于檢測石墨烯的層數。12.石墨烯工藝流程中，干燥處理通常采用的方法是？A.真空干燥B.自然干燥C.加熱干燥D.冷凍干燥答案：A解析：真空干燥常用于石墨烯的干燥處理。13.化學氣相沉積法制備石墨烯時，基底材料通常選擇？A.硅片B.玻璃C.石英D.金屬箔答案：D解析：金屬箔常作為CVD法制備石墨烯的基底材料。14.氧化還原法制備石墨烯，氧化過程中會引入大量的？A.羥基B.羧基C.羰基D.醚鍵答案：B解析：氧化過程中會引入大量的羧基。15.石墨烯制備完成后，進行質量檢測時，不包括以下哪項指標？A.導電性B.比表面積C.顏色D.厚度答案：C解析：顏色通常不作為石墨烯質量檢測的主要指標。16.外延生長法制備石墨烯，通常在什么材料上進行？A.碳化硅B.二氧化硅C.氧化鋁D.氧化鎂答案：A解析：外延生長法通常在碳化硅上進行。17.石墨烯工藝流程中，過濾操作的主要目的是？A.分離石墨烯與溶液B.去除大顆粒雜質C.濃縮溶液D.改變溶液pH答案：A解析：過濾是為了分離石墨烯與溶液。18.機械剝離法制備石墨烯，常用的工具是？A.刀具B.膠帶C.鑷子D.刷子答案：B解析：膠帶常用于機械剝離法制備石墨烯。19.以下哪種方法可以提高石墨烯的導電性？A.摻雜B.氧化C.水解D.聚合答案：A解析：摻雜可以提高石墨烯的導電性。20.石墨烯制備過程中，為了控制石墨烯的尺寸，常采用的方法是？A.改變反應時間B.改變反應溫度C.改變反應物濃度D.選擇不同的基底答案：D解析：選擇不同的基底可以在一定程度上控制石墨烯的尺寸。21.化學氣相沉積法制備的石墨烯，其晶體質量？A.較低B.較高C.中等D.不確定答案：B解析：CVD法制備的石墨烯晶體質量較高。22.氧化石墨烯還原過程中，若溫度過高會導致？A.還原不完全B.石墨烯團聚C.產生副產物D.反應速率減慢答案：B解析：溫度過高會導致石墨烯團聚。23.以下哪種不是石墨烯工藝流程中的預處理步驟？A.粉碎原料B.酸洗C.堿洗D.鍍膜答案：D解析：鍍膜不是石墨烯工藝流程中的預處理步驟。24.石墨烯制備中，溶劑熱法的特點是？A.反應條件溫和B.產物純度高C.反應速度快D.設備要求高答案：A解析：溶劑熱法的反應條件相對溫和。25.機械剝離法得到的石墨烯，其尺寸通常？A.較大B.較小C.均勻D.不規(guī)則答案：A解析：機械剝離法得到的石墨烯尺寸通常較大。26.石墨烯工藝流程中，酸洗的目的是？A.去除金屬雜質B.去除非金屬雜質C.提高導電性D.增加比表面積答案：A解析：酸洗主要是為了去除金屬雜質。27.以下哪種表征方法可以用于分析石墨烯的表面官能團？A.X射線衍射B.掃描電子顯微鏡C.核磁共振D.熱重分析答案：C解析：核磁共振可以用于分析石墨烯的表面官能團。28.氧化還原法制備石墨烯時，常用的氧化試劑組合是？A.濃硫酸和高錳酸鉀B.濃硝酸和過氧化氫C.濃硫酸和過氧化氫D.濃鹽酸和高錳酸鉀答案：A解析：濃硫酸和高錳酸鉀是常用的氧化試劑組合。29.石墨烯的制備過程中，需要進行多次洗滌，其主要原因是？A.去除殘留的反應物B.提高產物純度C.調整產物的pH值D.以上都是答案：D解析：多次洗滌可以去除殘留反應物、提高純度和調整pH值。30.化學氣相沉積法中，影響石墨烯生長速度的因素不包括？A.氣體流量B.反應壓強C.基底粗糙度D.光照強度答案：D解析：光照強度通常不是影響CVD法中石墨烯生長速度的因素。31.外延生長法制備石墨烯時，需要在什么環(huán)境下進行？A.真空B.氧氣C.氮氣D.二氧化碳答案：A解析：外延生長法通常在真空環(huán)境下進行。32.石墨烯制備完成后，儲存時需要注意？A.防潮B.避光C.防高溫D.以上都是答案：D解析：石墨烯儲存時需要防潮、避光、防高溫。33.以下哪種方法可以改善石墨烯在溶劑中的分散性？A.表面修飾B.增加濃度C.降低溫度D.攪拌答案：A解析：表面修飾可以改善石墨烯在溶劑中的分散性。34.氧化石墨烯的制備過程中，通常需要進行攪拌，其目的是？A.加快反應速率B.使反應均勻C.防止沉淀D.以上都是答案：D解析：攪拌可以加快反應速率、使反應均勻、防止沉淀。35.石墨烯工藝流程中，離心分離的作用是？A.分離不同尺寸的石墨烯B.去除水分C.去除雜質D.以上都是答案：D解析：離心分離可以分離不同尺寸的石墨烯、去除水分和雜質。36.化學氣相沉積法制備石墨烯，基底的預處理不包括？A.拋光B.氧化C.清洗D.鍍膜答案：D解析：基底的預處理一般包括拋光、氧化和清洗，不包括鍍膜。37.以下哪種材料不適合作為機械剝離法制備石墨烯的原料？A.石墨棒B.石墨片C.石墨粉D.石墨烯薄膜答案：D解析：石墨烯薄膜不適合作為機械剝離法的原料。38.氧化還原法制備石墨烯，還原過程中需要控制的條件是？A.溫度和時間B.濃度和壓強C.攪拌速度和pH值D.以上都是答案：D解析：還原過程中需要控制溫度、時間、濃度、壓強、攪拌速度和pH值等條件。39.石墨烯工藝流程中，為了提高產物的純度，常采用的提純方法是？A.重結晶B.萃取C.色譜法D.以上都是答案：D解析：重結晶、萃取和色譜法都可用于提高石墨烯產物的純度。40.外延生長法制備的石墨烯，其層數主要由什么決定？A.生長溫度B.生長時間C.基底材料D.氣體氛圍答案：C解析：外延生長法制備的石墨烯層數主要由基底材料決定。41.化學氣相沉積法制備石墨烯，反應氣體在基底表面的吸附方式是？A.物理吸附B.化學吸附C.既有物理吸附又有化學吸附D.不確定答案：C解析：反應氣體在基底表面既有物理吸附又有化學吸附。42.石墨烯制備過程中，超聲處理的作用不包括？A.分散石墨烯B.破碎團聚體C.促進反應進行D.去除雜質答案：D解析：超聲處理主要用于分散石墨烯、破碎團聚體和促進反應進行，不能去除雜質。43.以下哪種不是石墨烯工藝流程中的后處理步驟？A.退火B(yǎng).摻雜C.氧化D.封裝答案：C解析：氧化通常是制備過程中的一個步驟，不是后處理步驟。44.機械剝離法制備石墨烯，得到的產物層數分布？A.較窄B.較寬C.單一D.均勻答案：B解析：機械剝離法得到的產物層數分布較寬。45.石墨烯工藝流程中，質量控制的關鍵環(huán)節(jié)是？A.原料選擇B.反應條件控制C.產物檢測D.以上都是答案：D解析：原料選擇、反應條件控制和產物檢測都是質量控制的關鍵環(huán)節(jié)。46.氧化還原法制備石墨烯，氧化過程中需要控制的反應參數不包括？A.反應溫度B.氧化劑用量C.攪拌速度D.光照條件答案：D解析：氧化過程中一般不需要控制光照條件。47.化學氣相沉積法中，石墨烯的生長機制是？A.形核生長B.逐層生長C.島狀生長D.以上都是答案：D解析：CVD法中石墨烯的生長機制包括形核生長、逐層生長和島狀生長。48.外延生長法制備石墨烯，生長溫度一般在？A.室溫B.幾百攝氏度C.上千攝氏度D.零度以下答案：C解析：外延生長法的生長溫度一般在上千攝氏度。49.石墨烯制備過程中，干燥溫度過高會導致？A.石墨烯氧化B.石墨烯分解C.石墨烯團聚D.石墨烯變性答案：C解析：干燥溫度過高會導致石墨烯團聚。50.以下哪種表征手段可以用于檢測石墨烯的缺陷？A.透射電子顯微鏡B.原子力顯微鏡C.光電子能譜D.以上都是答案：D解析：透射電子顯微鏡、原子力顯微鏡和光電子能譜都可用于檢測石墨烯的缺陷。51.氧化石墨烯還原后，其導電性？A.不變B.降低C.升高D.先升高后降低答案：C解析：氧化石墨烯還原后，其導電性升高。52.石墨烯工藝流程中，過濾所用的濾膜孔徑一般為？A.微米級B.納米級C.毫米級D.厘米級答案：B解析：過濾石墨烯通常使用納米級孔徑的濾膜。53.機械剝離法制備石墨烯，產量通常？A.很高B.較高C.較低D.很低答案：D解析：機械剝離法制備石墨烯的產量很低。54.化學氣相沉積法制備石墨烯，影響石墨烯質量的因素不包括？A.基底平整度B.反應氣體純度C.反應容器材質D.環(huán)境濕度答案：D解析：環(huán)境濕度通常不是影響CVD法制備石墨烯質量的主要因素。55.外延生長法制備的石墨烯，其性能？A.與基底相關B.獨立于基底C.由生長溫度決定D.由生長時間決定答案：A解析：外延生長法制備的石墨烯性能與基底相關。56.石墨烯工藝流程中，為了提高反應效率，可以？A.增加反應物濃度B.升高反應溫度C.加入催化劑D.以上都是答案：D解析：增加反應物濃度、升高反應溫度和加入催化劑都可以提高反應效率。57.氧化還原法制備石墨烯，常用的檢測方法不包括？A.紅外光譜B.拉曼光譜C.掃描隧道顯微鏡D.氣相色譜答案：D解析：氣相色譜一般不用于氧化還原法制備石墨烯的檢測。58.化學氣相沉積法中，石墨烯的成核密度與？A.氣體流量有關B.基底材質有關C.反應壓強有關D.以上都是答案：D解析：石墨烯的成核密度與氣體流量、基底材質和反應壓強等都有關。59.機械剝離法制備的石墨烯，適合用于？A.基礎研究B.大規(guī)模生產C.工業(yè)應用D.以上都不是答案：A解析：機械剝離法制備的石墨烯適合用于基礎研究。60.石墨烯制備過程中，為了防止氧化，通常在？A.惰性氣氛中進行B.氧氣氣氛中進行C.空氣氣氛中進行D.以上都可以答案：A解析：為防止氧化，通常在惰性氣氛中進行。61.以下哪種不是石墨烯工藝流程中常用的溶劑？A.水B.乙醇C.丙酮D.石油醚答案：D解析：石油醚不是石墨烯工藝流程中常用的溶劑。62.氧化石墨烯的結構特點是？A.含有大量羥基和羧基B.具有良好的導電性C.層數較少D.結晶度高答案：A解析：氧化石墨烯含有大量羥基和羧基。63.石墨烯工藝流程中，攪拌的方式不包括？A.機械攪拌B.磁力攪拌C.超聲攪拌D.氣流攪拌答案：D解析：氣流攪拌不是石墨烯工藝流程中常見的攪拌方式。64.化學氣相沉積法制備石墨烯，基底的選擇依據是？A.價格B.導電性C.晶體結構D.以上都是答案：D解析：基底的選擇依據包括價格、導電性和晶體結構等。65.外延生長法制備石墨烯，需要對基底進行預處理，其目的是？A.去除雜質B.增加粗糙度C.形成特定晶面D.以上都是答案：D解析：預處理基底的目的包括去除雜質、增加粗糙度和形成特定晶面等。66.石墨烯制備完成后，需要進行表征，以下哪種表征手段可以用于確定石墨烯的層數？A.掃描電子顯微鏡B.原子力顯微鏡C.傅里葉變換紅外光譜D.紫外可見吸收光譜答案：B解析：原子力顯微鏡可以用于確定石墨烯的層數。67.氧化還原法制備石墨烯，氧化過程中溶液的顏色變化通常是？A.無色變黃色B.黃色變黑色C.黑色變黃色D.無色變黑色答案：A解析：氧化還原法制備石墨烯的氧化過程中，溶液通常會從無色變?yōu)辄S色，這是因為氧化過程中產生了一些具有特定顏色的官能團和物質。68.化學氣相沉積法制備石墨烯，以下哪種氣體通常作為碳源？A.一氧化碳B.二氧化碳C.甲烷D.乙烷答案：C解析：甲烷通常作為化學氣相沉積法制備石墨烯的碳源。69.石墨烯工藝流程中，進行摻雜的目的是？A.改變電學性能B.提高化學穩(wěn)定性C.增加比表面積D.降低生產成本答案：A解析：摻雜的目的主要是改變石墨烯的電學性能。70.機械剝離法制備石墨烯時，對石墨原料的要求是？A.純度高B.顆粒大C.硬度低D.結晶度低答案：A解析：機械剝離法對石墨原料的純度要求較高。71.氧化還原法中，還原后的石墨烯在水中的分散性？A.變好B.變差C.不變D.先變好后變差答案：A解析：還原后的石墨烯在水中的分散性變好。72.以下哪種不是化學氣相沉積法制備石墨烯的優(yōu)點？A.質量高B.層數可控C.產量大D.設備簡單答案：D解析：CVD法設備不簡單，這不是其優(yōu)點。73.石墨烯工藝流程中，進行退火處理的作用是？A.去除缺陷B.增加層數C.提高結晶度D.以上都是答案：D解析：退火處理可以去除缺陷、增加層數和提高結晶度。74.外延生長法制備石墨烯，以下哪種基底的晶格匹配度較好？A.硅B.銅C.鎳D.碳化硅答案：D解析：碳化硅作為基底與石墨烯的晶格匹配度較好。75.氧化石墨烯在制備過程中，其厚度會？A.增加B.減小C.不變D.先增加后減小答案：A解析：氧化石墨烯在制備過程中厚度會增加。76.石墨烯制備中，溶劑熱法的反應容器通常是？A.玻璃容器B.金屬容器C.陶瓷容器D.聚四氟乙烯容器答案：D解析：溶劑熱法的反應容器通常是聚四氟乙烯容器。77.化學氣相沉積法制備石墨烯，以下哪種因素會影響石墨烯的生長均勻性？A.基底溫度分布B.氣體流速C.反應時間D.以上都是答案：D解析：基底溫度分布、氣體流速和反應時間都會影響石墨烯的生長均勻性。78.機械剝離法得到的石墨烯，其邊緣結構通常是？A.鋸齒型B.扶手椅型C.不規(guī)則型D.以上都有可能答案：D解析：機械剝離法得到的石墨烯邊緣結構以上都有可能。79.氧化還原法制備石墨烯，以下哪種還原劑的還原效果較好？A.水合肼B.氫氣C.硼氫化鈉D.維生素C答案：A解析：水合肼的還原效果較好。80.石墨烯工藝流程中，進行表面改性的方法不包括？A.共價鍵修飾B.非共價鍵修飾C.氧化處理D.等離子體處理答案：C解析：氧化處理不是表面改性的常見方法。81.外延生長法制備石墨烯，生長過程中的控制參數不包括？A.基底溫度B.氣體壓力C.光照強度D.基底取向答案：C解析：光照強度通常不是外延生長法的控制參數。82.化學氣相沉積法中，石墨烯的生長方向主要由？A.基底晶向決定B.氣體流速決定C.反應溫度決定D.反應時間決定答案：A解析：石墨烯的生長方向主要由基底晶向決定。83.機械剝離法制備石墨烯，提高產量的方法是？A.增加剝離次數B.增大剝離力C.優(yōu)化石墨原料D.以上都是答案：D解析：增加剝離次數、增大剝離力和優(yōu)化石墨原料都可以提高產量。84.氧化還原法中，氧化石墨烯的制備通常在？A.酸性條件下B.堿性條件下C.中性條件下D.任意條件下答案：A解析：氧化石墨烯的制備通常在酸性條件下。85.石墨烯工藝流程中，以下哪種操作可以提高石墨烯的純度？A.多次離心B.增加反應時間C.提高反應溫度D.減少反應物用量答案：A解析：多次離心可以提高石墨烯的純度。86.外延生長法制備的石墨烯，其缺陷密度？A.較高B.較低C.中等D.不確定答案：B解析：外延生長法制備的石墨烯缺陷密度較低。87.化學氣相沉積法制備石墨烯，以下哪種基底有利于大面積生長？A.銅箔B.鎳箔C.硅片D.藍寶石答案：A解析：銅箔有利于石墨烯的大面積生長。88.機械剝離法得到的石墨烯，其面積通常？A.較大B.較小C.適中D.不確定答案：B解析：機械剝離法得到的石墨烯面積通常較小。89.氧化還原法制備石墨烯，以下哪種氧化劑的氧化性較強？A.高錳酸鉀B.雙氧水C.硝酸D.高氯酸答案：A解析：高錳酸鉀的氧化性較強。90.石墨烯工藝流程中，進行封裝的目的是？A.防止氧化B.提高穩(wěn)定性C.便于儲存和運輸D.以上都是答案：D