據外媒報道，三星電子表示，2025據外媒報道，三星電子表示，20253DDRAM3DDRAM技術，包括垂直通道電大廠動態 晶體和堆疊DRAM。相較傳統電晶體結構，垂直通道電晶體將通道從水準變為垂直，大幅減少元件面積，但提升刻蝕精確度要求。據悉，隨著3DDRAM市場發展，有望2028年達千億美元規模。事件大廠動態

三星是將向英偉達、AMD等GPU廠商提供下一代GDDR7顯存解決方案的三家內存制造商之一，另外兩家公司包括SK海力士和美光也宣布了新一代產品，并透露了新產品的性能，能夠提供高達40Gbps的引腳速度和高達64Gb（8GB）GDDR7266FBGAGDDR7的兩種規格，分32Gbps28GbpsGDDR7。日前在全球芯片制造商聚會日前在全球芯片制造商聚會Memcon2024上，三星公司執行副總裁兼DRAM產品和技術主管HwangSang-joong表大廠動態 示，預計將增加HBM芯片產量，2024年產量是2023年的2.9倍。三星2024年年初在CES2024上給出的預測為2.52026HBM202313.82028年，HBM2023年水平的23.1倍。

美光宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工。美光曾在2023年宣布在西安追加投資43億元人民幣，包括加建這座新廠房，引入全新產線，制造更廣泛的產品解決方案，包括但不限于移動DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現有的DRAM封裝和測試能力。同時，美光也在推進收購力成半導體（西安）有限公司（力成西安）的資產，并將向力成西安1,200名全體員工提供新的就業合同。SK海力士CEO郭魯正3月27日表示，預計用于AI芯片組的HBM芯片在公司DRAM芯片銷售中所占比重將從2023年的個位數上升至2024年的兩位數。郭魯正另外就“SK海力士擬投資約40億美元，在美國印第安納州西拉斐特建造一座先進芯片封裝廠”的媒體報道回應稱，工廠最終選址仍在慎重研究中，尚未做出決定，將于2024年內完成選址工作。大廠動態 SK海力士將投資40億美元在印第安納州建設芯片封裝廠。大廠動態 SK海力士首席執行官預計大廠動態 SK海力士將投資40億美元在印第安納州建設芯片封裝廠。大廠動態 據臺媒報道，臺積電將上調2024年資本支出，由原預估280~320億美元上調至300~340億美元，調幅超7%。終端需求 乘聯會預估終端需求 乘聯會預估2024年3月全國新能源乘用車廠商批發銷量82萬輛，同比增長33%，環比增長84%。終端需求

根據CounterpointResearch的《全球智能手機出貨量預測》，2024年全球智能手機出貨量預計將增長3%，達到12億部。在加勒比及拉丁美洲、印度和中東非市場復蘇的推動下，中低端市場（150-249美元）將有所反彈。得益于蘋果和華為的增長，高端市場（600-799美元）預計將同比增長17%。資料來源：閃存市場、研究所附圖1：4月3日中國臺灣發生7.3級地震，多家半導體大廠停機檢查資料來源：TrendForce850750650550450350本周：+1.26%2024年初至今：+23.18%750700650600550500450400本周：-0.42%2024年初至今：+16.01%附圖2：指數：2024年第850750650550450350本周：+1.26%2024年初至今：+23.18%750700650600550500450400本周：-0.42%2024年初至今：+16.01%NAND指數 DRAM指數數據來源：閃存市場、研究所 數據來源：閃存市場、研究所當前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅（美元）產品名稱周漲跌幅2024當前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅（美元）產品名稱周漲跌幅2024年初至今漲跌幅當前價（美元）產品名稱Wafer:256GbTLC 2.10 0.00% 23.53% TLC 7.55 0.00% 23.77% 0.00 0.40 0.00 1.45Wafer:512GbTLC 4.05 0.00% 28.57% QLC 7.00 0.00% 27.27% 0.00 0.90 0.00 1.50數據來源：閃存市場、研究所附表3：價格復盤：2024年第14周DDR價格平均下降1.5%產品名稱當前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅 產品名稱 當前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅（美元） （美元）DDR4/8Gb/32001.40 -3.45% -1.41% DDR4/8Gb/eTT 1.16 -2.52% 7.41% -0.05 -0.02 -0.03 0.08DDR4/16Gb/32003.10 -1.59% 6.90% DDR4/4Gb/eTT 0.72 0.00% 2.86% -0.05 0.20 0.00 0.02DDR4/16Gb/eTT2.80 0.00% 15.70% 0.00 0.38數據來源：閃存市場、研究所附表4：價格復盤：2024年第14周SSD（渠道市場）價格基本持平產品名稱當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅SSD/120GB/SATA38.40 -3.45% 9.09% -0.30 0.70SSD/240GB/SATA314.40 -2.70% 16.13% -0.40 2.00SSD/480GB/SATA324.80 -0.80% 15.89% -0.20 3.40SSD/256GB/PCIe3.016.30 -0.61% 17.27% -0.10 2.40SSD/512GB/PCIe3.028.20 0.00% 20.00% 0.00 4.70SSD/1TB/PCIe3.052.00 0.00% 26.83% 0.00 11.00SSD/512GB/PCIe4.037.60 0.00% 22.88% 0.00 7.00SSD/1TB/PCIe4.056.50 -0.88% 31.40% -0.50 13.50SSD/2TB/PCIe4.0110.00 0.00% 34.15% 0.00 28.00數據來源：閃存市場、開源證券研究所附表5：價格復盤：2024年第14周SSD（行業市場）價格平均上漲4.3%產品名稱當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅SSD/256GB/SATA319.00 3.83% 5.56% 0.70 1.00SSD/512GB/SATA333.00 0.61% 3.13% 0.20 1.00SSD/1TB/SATA362.00 6.90% 12.73% 4.00 7.00SSD/256GB/PCIe3.021.80 3.81% 9.00% 0.80 1.80SSD/512GB/PCIe3.037.00 3.35% 8.82% 1.20 3.00SSD/1TB/PCIe3.066.00 7.32% 13.79% 4.50 8.00SSD/512GB/PCIe4.039.00 5.41% 8.33% 2.00 3.00SSD/1TB/PCIe4.068.00 6.25% 13.33% 4.00 8.00SSD/2TB/PCIe4.0125.00 1.63% 26.26% 2.00 26.00數據來源：閃存市場、研究所產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表6：價格復盤：2024年第產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅DDR4/UDIMM/8GB/3200 13.00 -5.11% 6.56% -0.70 0.80DDR4/UDIMM/16GB/3200 23.80 -0.83% 5.78% -0.20 1.30DDR4/UDIMM/32GB/3200 48.00 -2.04% 11.63% -1.00 5.00數據來源：閃存市場、研究所產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表7：價格復盤：2024產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅DDR4/SODIMM/4GB/3200 11.00 0.00% 22.22% 0.00 2.00DDR4/SODIMM/8GB/3200 18.00 0.00% 16.13% 0.00 2.50DDR4/SODIMM/16GB/3200 30.00 0.00% 15.38% 0.00 4.00數據來源：閃存市場、研究所附表8：價格復盤：2024年3月內存條（服務器）價格平均上漲5.1%產品名稱3月價月漲跌幅2024年初至今漲跌幅DDR4RDIMM16GB320048.006.67%23.08%DDR4RDIMM32GB320074.002.78%27.59%DDR4RDIMM64GB3200143.005.93%30.00%數據來源：閃存市場、研究所產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表9：價格復盤：2024年第12產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅eMMC/8GB/5.11.85 -5.13% -2.63% -0.10 -0.05eMMC/16GB/5.12.50 0.00% 4.17% 0.00 0.10eMMC/32GB/5.12.70 -1.82% 3.85% -0.05 0.10eMMC/64GB/5.14.75 1.06% 25.00% 0.05 0.95eMMC/128GB/5.19.00 3.45% 32.35% 0.30 2.20eMMC/256GB/5.1 17.80 1.71% 33.83% 0.30 4.50數據來源：閃存市場、研究所產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表10：價格復盤：2024年第14周產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅eMCP(eMMC+LPDDR4X)64GB+32Gb 15.00 3.45% 25.00% 0.50 3.00eMCP(eMMC+LPDDR4X)128GB+32Gb 19.00 2.70% 26.67% 0.50 4.00eMCP(eMMC+LPDDR4X)128GB+48Gb 24.50 2.08% 36.11% 0.50 6.50數據來源：閃存市場、研究所附表11：價格復盤：2024年第14周LPDDR價格平均上漲1.7%產品名稱當前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅 產品名稱 當前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅（美元） （美元）LPDDR4X/96Gb27.00 0.75% 42.11% LPDDR4X/32Gb 8.50 0.00% 13.33% 0.20 8.00 0.00 1.00LPDDR4X/64Gb20.50 2.50% 28.13% LPDDR4/16Gb 3.70 0.00% 12.12% 0.50 4.50 0.00 0.40LPDDR4X/48Gb15.00 7.14% 25.00% LPDDR4/8Gb 2.35 0.00% 6.82% 1.00 3.00 0.00 0.15數據來源：閃存市場、研究所產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表12：價格復盤：2024年第14周產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅UFS/64GB 5.30 1.92% 20.45% 0.10 0.90UFS/128GB 9.50 3.26% 30.14% 0.30 2.20UFS/256GB 18.30 1.67% 32.61% 0.30 4.50數據來源：閃存市場、研究所產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表13：價格復盤：2024年第14周產品名稱 當前價（美元） 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)4GB+128GB 19.00 2.70% 31.03% 0.50 4.50uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)6GB+128GB 24.50 2.08% 28.95% 0.50 5.50uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)8GB+128GB 30.00 1.69% 30.43% 0.50 7.00uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)8GB+256GB 40.00 1.27% 35.59% 0.50 10.50數據來源：閃存市場、研究所品類 2024Q1（E） 2024Q2（品類 2024Q1（E） 2024Q2（F）PCDRAM up15%~20%（DDR4&DDR5：up15%~20%）ServerDRAM up15%~20%（DDR4：up~20%；DDR5：up15%~20%）

up3~8%（DDR4&DDR5：up3~8%）up3-8%（DDR4：up5~10%；DDR5：up3~8%）MobileDRAM up18~23% up3~8%GraphicsDRAM up13~18% up3~8%ConsumerDRAM up10~15%（DDR3:up8~13%；DDR4:up10~15%）

up3~8%DRAM up~20% up3~8%數據來源：TrendForce、研究所附表15：價格預測：預計2024Q2NANDFLASH產品合約價上漲13%-18%品類2024Q1（E）2024Q2（F）eMMC/UFSup25-30%up10-15%EnterpriseSSDup23-28%up20-25%ClientSSDup23-28%up10-15%3DNANDWafers（TLC&QLC）up23-28%up5-10%TotalNANDFlashup23-28%up13-18%數據來源：TrendForce、研究所附表16：價格預測：2024年DRAM&NANDFLASH產品合約價格全年看漲品類2024Q1（E）2024Q2（E）2024Q3（E）2024Q4（E）BlendedDRAMup13%-18%up3-8%up8%-13%up8%-13%BlendedNANDFlashup18-23%up3-8%up8%-13%up0-5%數據來源：TrendForce、研究所附表17：需求預測：預計2024年三大終端DRAM/NAND單機平均搭載容量將同比增加DRAMNANDFlash20232024（E）20232024（E）智能手機17.50%14.10%19.20%9.30%服務器13.60%17.30%14.90%13.20%筆電9.00%12.40%10.10%9.70%數據來源：TrendForce、研究所附表18：需求預測：2024年智能手機、服務器、PC出貨量預計同比增長4%/2%/8%2023E2023YoY2024F2024FYoY智能手機（億部）11.50-6.00%12.00+4.00%服務器（百萬臺）13.90-2.00%14.20+2.00%PC（億臺）2.50-14.00%2.70+8.00%數據來源：閃存市場、研究所附圖4：供給側：2023Q4DRAM市場CR3高達96.6% 附圖5：供給側：2023Q4NAND場CR5高達94.1%科技,1.6%美光科技,1.6%美光,19.9%電子,0.8%1.1%三星,44.2%SK海力士32.5%

其他,

美光,10.1%

其他,5.9%西部數據,13.7%

鎧俠,14.6%

三星,35.6%SK海力士+Solidigm,20.1%三星 海力士 美光 南亞科技 華邦電子 其他

三星 海力士+Solidigm 鎧俠 西部數據 美光 其他數據來源：閃存市場、研究所 數據來源：閃存市場、研究所附表19：供給側：海外三大原廠集體調升2024Q1-Q2稼動率廠商季度上調前上調后三星電子2024Q177%81%2024Q285%89%SK海力士2024Q192%94%2024Q2-95%美光2024Q195%98%2024Q2--數據來源：集微網、研究所附圖6：熱點賽道：三大原廠HBM3e預計于2024H2逐季放量資料來源：TrendForce附表20：熱點賽道：2023-2024HBM市場競爭格局預計將由三星和SK海力士主導公司20222023（E）2024（F）SK海力士50%46%~49%47%~49%三星40%46%~49%47%~49%美光10%4%~6%3%~5%數據來源：TrendForce、研究所800.87841.520%518.638%3%附圖7：熱點賽道：2024年HBM800.87841.520%518.638%3%02022 2023 2024EDRAM產業營收（億美元） HBM營收占比

25%20%15%10%5%0%數據來源：TrendForce，研究所附表21：熱點賽道：2024年三星海力士HBM產能規劃積極，美光占比提升三星SK海力士美光截至2023年底HBMTSV產能預估45K/m45