標準解讀
《GB/T 43493.2-2023 半導體器件 功率器件用碳化硅同質外延片缺陷的無損檢測識別判據 第2部分：缺陷的光學檢測方法》這一標準，主要針對用于功率器件的碳化硅同質外延片，在不破壞樣品的前提下，通過光學手段對其中存在的缺陷進行識別與分類。該文件詳細規定了利用光學方法進行檢測時所需遵循的具體步驟和技術要求。
首先，標準明確了適用范圍，即適用于基于碳化硅材料制造的功率半導體器件中所使用的同質外延層。它強調了這些材料在現代電子工業尤其是高壓、高溫環境下的廣泛應用背景，并指出準確評估此類材料的質量對于提高最終產品性能至關重要。
接著，標準介紹了幾種常見的光學檢測技術及其原理，包括但不限于顯微鏡觀察法、激光掃描共聚焦顯微術等。每種技術都有其特點和應用場景，選擇合適的方法取決于待測樣品的具體情況以及希望達到的分辨率等因素。
此外，《GB/T 43493.2-2023》還提供了詳細的實驗操作指南，從樣品準備到數據記錄分析全過程覆蓋。例如，在樣品制備階段，需要確保表面清潔且平整；而在實際測量過程中，則需注意控制光源強度、光路調整等參數以獲得最佳成像效果。
最后，標準列出了不同類型缺陷（如位錯、顆粒污染等）的特征描述及判定依據。通過對圖像特征的分析，可以有效區分各種缺陷類型，并據此評估外延片的整體質量水平。
該文件為相關行業提供了一個統一的技術參考框架，有助于促進碳化硅基功率器件領域內產品質量的一致性和可靠性提升。
如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。
....
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- 現行
- 正在執行有效
- 2023-12-28 頒布
- 2024-07-01 實施
文檔簡介
ICS3108099
CCSL.90.
中華人民共和國國家標準
GB/T434932—2023/IEC63068-22019
.:
半導體器件
功率器件用碳化硅同質外延片缺陷的
無損檢測識別判據
第2部分缺陷的光學檢測方法
:
Semiconductordevice—Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon
carbidehomoeitaxialwaferforowerdevices—Part2Testmethodfor
pp:
defectsusingopticalinspection
IEC63068-22019IDT
(:,)
2023-12-28發布2024-07-01實施
國家市場監督管理總局發布
國家標準化管理委員會
GB/T434932—2023/IEC63068-22019
.:
目次
前言
…………………………Ⅰ
引言
…………………………Ⅱ
范圍
1………………………1
規范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
光學檢測方法
4……………5
通則
4.1…………………5
原理
4.2…………………5
測試需求
4.3……………5
參數設置
4.4……………7
測試步驟
4.5……………7
評價
4.6…………………7
精密度
4.7………………7
測試報告
4.8……………7
附錄資料性缺陷的光學檢測圖像
A()…………………9
概述
A.1…………………9
微管
A.2…………………9
A.3TSD…………………9
A.4TED………………10
A.5BPD………………11
劃痕痕跡
A.6…………………………11
堆垛層錯
A.7…………………………11
延伸堆垛層錯
A.8……………………12
復合堆垛層錯
A.9……………………14
多型包裹體
A.10………………………14
顆粒包裹體
A.11………………………15
臺階聚集簇
A.12………………………16
參考文獻
……………………18
GB/T434932—2023/IEC63068-22019
.:
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是半導體器件功率器件用碳化硅同質外延片缺陷的無損檢測識別判據的
GB/T43493《》
第部分已經發布了以下部分
2。GB/T43493:
第部分缺陷分類
———1:;
第部分缺陷的光學檢測方法
———2:;
第部分缺陷的光致發光檢測方法
———3:。
本文件等同采用半導體器件功率器件用碳化硅同質外延片缺陷的無損檢測
IEC63068-2:2019《
識別判據第部分缺陷的光學檢測方法
2:》。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布結構不承擔識別專利的責任
。。
本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草單位河北半導體研究所中國電子科技集團公司第十三研究所之江實驗室中國電
:()、、
子科技集團公司第四十六研究所浙江大學山東天岳先進科技股份有限公司河北普興電子科技股份
、、、
有限公司中國科學院半導體研究所中電化合物半導體有限公司山西爍科晶體有限公司廣東天域半
、、、、
導體股份有限公司深圳市星漢激光科技股份有限公司常州銀河世紀微電子股份有限公司深圳市恒
、、、
運昌真空技術有限公司深圳市鷹眼在線電子科技有限公司深圳超盈智能科技有限公司常州臻晶半
、、、
導體有限公司廈門柯爾自動化設備有限公司廈門普誠科技有限公司
、、。
本文件主要起草人蘆偉立房玉龍李佳張冉冉李麗霞楊青殷源劉立娜張建峰李振廷
:、、、、、、、、、、
徐晨宋生張永強鈕應喜金向軍毛開禮丁雄杰劉薇周少豐莊建軍樂衛平周翔夏俊杰陸敏
、、、、、、、、、、、、、、
鄭隆結薛聯金
、。
Ⅰ
GB/T434932—2023/IEC63068-22019
.:
引言
碳化硅作為半導體材料被廣泛應用于新一代功率半導體器件中與硅相比具有擊穿
(SiC),。(Si),
電場強度高導熱率高飽和電子漂移速率高和本征載流子濃度低等優越的物理性能基功率半導
、、,SiC
體器件相對于硅基器件具有更快的開關速度低損耗高阻斷電壓和耐高溫等性能
,、、。
功率半導體器件尚未全面得以應用主要由于成本高產量低和長期可靠性等問題其中一個
SiC,、。
嚴重的問題是外延材料的缺陷盡管都在努力降低外延片中的缺陷但商用外延片中仍
SiC。SiC,SiC
存在一定數量的缺陷因此有必要建立同質外延片質量評定國際標準
。SiC。
旨在給出高功率半導體器件用同質外延片中各類缺陷的分類光學檢測方法
GB/T434934H-SiC、
和光致發光檢測方法由三個部分組成
。。
第部分缺陷分類目的是列出并提供高功率半導體器件用同質外延片中各類缺
———1:。4H-SiC
陷及其典型特征
。
第部分缺陷的光學檢測方法目的是給出并提供高功率半導體器件用同質外延
———2:。4H-SiC
片中缺陷光學檢測的定義和指導方法
。
第部分缺陷的光致發光檢測方法目的是給出并提供高功率半導體器件用同質
———3:。4H-SiC
外延片中缺陷光致發光檢測的定義和指導方法
。
Ⅱ
GB/T434932—2023/IEC63068-22019
.:
半導體器件
功率器件用碳化硅同質外延片缺陷的
無損檢測識別判據
第2部分缺陷的光學檢測方法
:
1范圍
本文件提供了在商用碳化硅同質外延片產品上缺陷光學檢測的定義和方法主要是通過給
(SiC)。
出這些缺陷的光學圖像示例為同質外延片上缺陷的光學檢測提供檢測和分類的依據
,SiC。
本文件主要論述缺陷的無損表征方法因此有損表征例如濕法腐蝕等不包含在本文件范圍內
,。
2規范性引用文件
本文件沒有規范性引用文件
。
3術語和定義
下列術語和定義適用于本文件
。
和維護的用于標準化的術語數據庫地址如下
ISOIEC:
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