1《集成電路用四甲基硅烷》編制說明（討論稿）半導體行業(yè)的蓬勃發(fā)展推動了相關產業(yè)鏈的快速發(fā)展，同時也加快了國產化的進程。《國家中長期科學技術發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020“極大規(guī)模集成電路制造技術及成套工藝”為重大專項之一（02專項），集成電路用基礎原材料作為電子信息產業(yè)的基礎原材料，是支撐電子信息集成電路產業(yè)邁入國際先布的《新材料產業(yè)發(fā)展指南》中，“四、重點任務”（一）突破重點應用領域急需的新材料，明確提及加快高純特種電子材料研發(fā)及產業(yè)化，解決極大規(guī)模集成電路材料制在超大規(guī)模集成電路發(fā)展過程中，導線寬度和間距不斷減小，互聯(lián)寄生電阻電容積（PECVD）工藝沉積制得SiN層，有效的在銅制程的集成電阻止銅金屬原子或銅離子在熱退火或電場條件下的擴散，降低銅互聯(lián)電介質層的有效介電常數(shù)，同時形成了下一金屬層通孔刻蝕過程中的刻蝕停止層。4MS為制備低介電常數(shù)薄膜的前驅體材料，主要應用于高端集成電路制程（45nm及以下節(jié)點）。該材料2021年美國對我國半導體行業(yè)的制裁愈演愈烈，這種強勢的“封殺”行為，極大地刺激了國人的神經，激發(fā)了中國集成電路行業(yè)自主創(chuàng)新的決心，國內企業(yè)陸續(xù)加大對4MS的研發(fā)投入，包括洛陽中硅在內的多家單位陸續(xù)有對標國外產品質量一致的產品產出，然而目前國內缺乏該產品的產品標準，無法形成與國內檢測技術、灌裝技術、安全法律法規(guī)要求相匹配的統(tǒng)一要求。2018年九部委聯(lián)合下發(fā)的《新材料標準領航行料系列標準，加速集成電路材料國產化進程，因此特申請《集成電路用四甲基硅烷》2成電路用四甲基硅烷》制定項目由全國有色金屬標準化技術委員會、全國半導體設備期為24個月，計劃于2025年完成，由洛陽中硅高科技有限公司牽頭制定。技術歸口產基地和一個產業(yè)孵化基地，擁有一個硅基材料國家工程研究中心、兩個省級研發(fā)平臺和一個博士后科研工作站，是河南省創(chuàng)新型示范企業(yè)、我國電子信息行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)和高新技術企業(yè)，獲得國家科技進步二等獎、中國發(fā)明專利金獎、國家工業(yè)大獎率先利用自主知識產權技術打破多晶硅國際壟斷，帶動了洛陽市乃至河南省光伏新能源產業(yè)發(fā)展，促進了我國多晶硅產業(yè)從無到有并統(tǒng)領全球市場。目前電子級多晶硅、光纖級四氯化硅、電子級三氯氫硅、電子級二氯二氫硅、電子級六氯乙硅烷和四甲基烷》的編制工作由洛陽中硅高科技有限公司牽頭負責，組亞洲硅業(yè)（青海）股份有限公司，陜西有色天宏瑞科硅材硅業(yè)科技發(fā)展有限公司，四川永祥股份有限公司等公司專家成3詳細討論并廣泛調研收集整理了國內外與本標準項目資料，為標準修訂提供技術參考和支撐。同時標準編制組也充產企業(yè)公司和下游客戶單位的對四甲基硅烷產品的技術要求，對擬制定標準所涉及的內容、范圍、適用性、和科學性等內容和改進，在調研的基礎上，初步確立了標準的主要內容。最終（一）查閱相關標準和國內外客戶的相關技術要求，制定集成電路用四甲基硅烷產品的等級分類和技術指標，更好地引導四甲基硅烷的生產，滿足用戶的使用需求，使之（二）按照GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)（三）結合國內四甲基硅烷實際生產水平，同時根據(jù)產品用戶的意見反饋，正確兼顧好彼此之間的關系，追求技術的先進性、指標的三、標準主要內容的確定依據(jù)及主要試驗驗證情況分析標準編制小組首先開始搜集相關的資料，起草小組對國際、國內集成電路用四甲項目單位原料級客戶A客戶B客戶C客戶D客戶E客戶F客戶G客戶H純度%≥99.9≥99.9≥99.9≥99.9≥99.99≥99.99≥99.99≥99.99Ling/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Bng/g/≤2TMI<100≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Nang/g/≤5≤5≤0.5≤0.5≤0.5＜0.50Mgng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Alng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.204Kng/g/≤5≤5≤0.5≤0.5≤0.5＜0.50Cang/g/≤5≤5≤0.5≤0.5≤0.5＜0.50Ting/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Crng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Mnng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Feng/g/≤5≤5≤0.5≤0.5≤0.5＜0.50Cong/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Ning/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Cung/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Znng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Vng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20氯含量μg/g/≤2////＜1.00微量水μg/g//////<1.0＜10.00表3討論稿技術要求項目指標四甲基硅烷((CH3)4Si)純度（質量分數(shù)）/l0-2≥99.9≥99.99金屬元素及其他元素含量鋰（Li）/（ng/g）≤2≤0.2硼（B）/（ng/g）≤2≤0.2鈉（Na）含量/（ng/g）≤5≤0.5鎂（Mg）含量/（ng/g）≤2≤0.2鋁（Al）含量/（ng/g）≤2≤0.2鉀（K）含量/（ng/g）≤5≤0.5鈣（Ca）含量/（ng/g）≤5≤0.5鈦（Ti）含量/（ng/g）≤2≤0.2鉻（Cr）含量/（ng/g）≤2≤0.2錳（Mn）含量/（ng/g）≤2≤0.2鐵（Fe）含量/（ng/g）≤5≤0.5鈷（Co）含量/（ng/g）≤2≤0.2鎳（Ni）含量/（ng/g）≤2≤0.2銅（Cu）含量/（ng/g）≤2≤0.2鋅（Zn）含量/（ng/g）≤2≤0.2釩（V）含量/（ng/g）≤2≤0.2微量水（質量分數(shù)）/l0-6/≤20氯離子（質量分數(shù)）/l0-6≤10≤25五、采用國際標準和國外先進標準的情況六、與現(xiàn)行相關法律、法規(guī)、規(guī)章及相關標準的關系本標準修訂時，考慮到與國際標準和規(guī)范接軌，在規(guī)范性引用文件上按我國標準體系做了調整和編輯，在標準的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存等方面與國內相關標準協(xié)調一致；新制定的《集成電路用四甲基硅烷》從技術合理；標準的格式和