￥模擬電子技術(shù)試題匯編。成都理工大學工程技術(shù)學院電子技術(shù)基礎教研室2010-9第一章半導體器件一、填空題1、本征硅中若摻入5價元素的原子，則多數(shù)載流子應是電子，少數(shù)載流子應是空穴。2、在N型半導體中，電子濃度大于空穴濃度，而在P型半導體中，電子濃度小于空穴濃度。3、PN結(jié)反向偏置時，空間電荷區(qū)將變寬。4、雙極型三極管輸出特性的三個區(qū)域分別是_____飽和_____區(qū)、______放大___區(qū)、__截止________區(qū)。5、場效應管分為兩大類：一類稱為_結(jié)型場效應管___________，另一類稱為__絕緣柵場效應管_______。6、PN結(jié)外加反向電壓，即電源的正極接N區(qū)，電源的負極接P區(qū),這種接法稱為___反向接法_______或_反向偏置_________。7、半導體二極管的基本特性是單向?qū)щ娦訽___，在電路中可以起___整流____和___檢波____等作用。8、雙極型半導體三極管按結(jié)構(gòu)可分為__NPN_____型和__PNP_____型兩種，它們的符號分別為_______和________。9、PN結(jié)中進行著兩種載流子的運動：多數(shù)載流子的擴散運動和少數(shù)載流子的___漂移_____運動。10、硅二極管的死區(qū)電壓約為，鍺二極管的死區(qū)電壓約為。11、晶體管穿透電流是反向飽和電流的___1+β_______倍，在選用晶體管的時候，一般希望盡量___小_______。12、場效應管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是___跨導_______。13、PN結(jié)具有__單向?qū)щ奯______特性。14、雙極型三極管有兩個PN結(jié)，分別是___集電結(jié)____和_發(fā)射結(jié)______。15、為了保證三極管工作在放大區(qū)，應使發(fā)射結(jié)_____正向________偏置，集電路______反向_______偏置。16、場效應管是____電壓______控制型元件，而雙極型三極管是____電流_______控制型元件。17、本征硅中若摻入3價元素的原子，則多數(shù)載流子應是空穴，少數(shù)載流子應是電子。18、P型半導體的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是電子。19、PN結(jié)外加正向電壓，即電源的正極接P區(qū)，電源的負極接N區(qū),這種接法稱為正向接法或_正向偏置______。20、從雙極型三極管內(nèi)部三個區(qū)引出三個電極，分別是_集電極______、___發(fā)射極____和__基極______。21、雙極型三極管起放大作用的外部條件是：（1）發(fā)射結(jié)外加_正____________向電壓；（2）集電結(jié)外加___反________向電壓。22、N型半導體可用___正________離子和等量的___負電子________來簡化表示。23、PN結(jié)正向偏置時，空間電荷區(qū)將變___窄________。24、二極管的兩個電極分別稱為__陽____極和__陰____極，二極管的符號是________。25、當溫度升高時，三極管的輸入特性曲線會__左___移，輸出特性曲線會上________移，而且輸出特性曲線之間的間隔將__增大_________。26、影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是___溫度__________。27、P型半導體可用_負______離子和等量的___空穴_____來簡化表示。28、主要半導體材料是_硅_____和__鍺____；兩種載流子是__空穴_______和__電子_______；兩種雜質(zhì)半導體是_P型________和___N型________。29、二極管外加正向電壓導通，外加反向電壓截止。30、當溫度升高時，三極管的參數(shù)β會變大________，會增加________，導通電壓會變小_________。31、雙極型三極管有兩種載流子導電，即____多數(shù)載流子_________和_少數(shù)載流子____________導電，而單極型三極管只有一種載流子導電，即__多數(shù)載流子___________導電。32、N型半導體的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是___空穴_____。33、某晶體管的極限參數(shù)，，。若它的工作電壓，則工作電流不得超過__15_____；若工作電壓，則工作電流不得超過____100___；若工作電流，則工作電壓不得超過___30____。34、放大電路中，已知三極管三個電極的對地電位為=－9V，=－，=－6V，則該三極管是______PNP_______型三極管，A為_______集電______極，B為_____基________極，C為______發(fā)射_______極。35、雙極型三極管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是_____。36、場效應管輸出特性的三個區(qū)域分別是_______恒流______區(qū)、____可變電阻_________區(qū)、___夾斷__________區(qū)。37、純凈的、不含其他雜質(zhì)的半導體稱為_____本征半導體_____。38、場效應管與晶體管比較，場效應管的熱穩(wěn)定好，輸入電阻高，晶體管的放大能力強。39、雙極型三極管內(nèi)部有三個摻雜區(qū)域，分別是__發(fā)射區(qū)_______、___基區(qū)_______和___集電區(qū)_______。二、選擇題1、從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管兩端壓降大于（B）時處于正偏導通狀態(tài)。A．0B．死區(qū)電壓C．反向擊穿電壓D．正向壓降2、雜質(zhì)半導體中（A）的濃度對溫度敏感。A．少子B．多子C．雜質(zhì)離子D．空穴3、晶體管的集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置，它的工作狀態(tài)是（B），若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)都反向偏置，它的工作狀態(tài)是（A），若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正向偏置，則它的工作狀態(tài)是（C）。A．截止B．放大C．飽和D．損毀4、當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應為(B)。A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏C．前者正偏、后者也正偏D．前者反偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時有（A）和（B）兩種載流子參與導電,而場效應管所導電過程僅僅取決于（A）的流動。A．多子B．少子C．自由電子D.空穴6、當NPN型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關系為（A）（A）。A．>B．<C．=D．≤7、對二極管正向電阻和反向電阻的要求是（C）A．、都大B．、都小C．很小，很大D．大，小8、穩(wěn)壓二極管動態(tài)電阻（B），穩(wěn)壓性能愈好。A．愈大B．愈小C．為任意值9、三極管當發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時工作于（C）狀態(tài)。A．放大B．截止C．飽和D．無法確定10．結(jié)型場效應管放大電路的偏置方式是（A、D）A．自給偏壓電路B．外加偏壓電路C．無須偏置電路 D．柵極分壓與源極自偏結(jié)合11、在雜質(zhì)半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（A），而少數(shù)載流子的濃度與（B）有很大關系。A．溫度B．摻雜工藝C．雜質(zhì)濃度D．晶體管缺陷12、場效應管屬于（B）控制型器件，而晶體管若用簡化h參數(shù)來分析，則可認為是（C）控制型器件。A．電荷B．電壓C．電流13、當PN節(jié)外加反向電壓時，擴散電流（B）漂移電流，耗盡層（D）。A．大于B．小于C．等于D．變寬E．變窄F．不變14、當溫度升高時，二極管正向特性和反向特性曲線分別（D）。A．左移，下移B．右移，上移C．左移，上移D．右移，下移15、PN結(jié)加正向電壓時導通，此時空間電荷區(qū)將（A）。A．變窄B．基本不變C．變寬D.先變窄，后變寬16、在25oC時，某二極管的死區(qū)電壓Uth≈，反向飽和電流Is≈，則在35oC時，下列哪組數(shù)據(jù)可能正確：（D）。AUth≈，Is≈BUth≈，Is≈CUth≈，Is≈DUth≈，Is≈17、用萬用表判斷放大電路中處于正常工作的某個晶體管的類型（NPN或PNP）與三個電極時，最為方便的測試方法為（B）。A．測試各極間電阻B．測試各極間、對地電壓C．測試各極電流三、判斷題 1、三極管在工作頻率大于最高工作頻率時會損壞。（╳）2、穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時應工作在正向?qū)▍^(qū)域。（╳）3、與三極管放大電路相比，場效應管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。（√）4、P型半導體可通過在純凈半導體中摻入五價磷元素而獲得。（╳）5、有人測得晶體管在=時，=5，因此認為在此工作點上的大約為。（√）6、通常結(jié)型場效應管JFET在漏極和源極互換使用時，仍有正常的放大作用。（√）7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時，仍有較大的電流放大作用。（╳）8、在N型半導體中，摻入高濃度的三階雜質(zhì)可以改型為P型半導體。（√）9、P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。（╳）10、PN結(jié)內(nèi)擴散電流是載流子在電場作用下形成的。（╳）11、漂移電流是少數(shù)載流子在電場作用下形成的。（√）12、由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差，所以當把PN結(jié)兩端短路時，就有電流流過。（╳）13、PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向特性和反向特性，也可以描述PN結(jié)的反向擊穿特性。（╳）14、場效應管的突出優(yōu)點是具有特別高的輸出電阻（╳）15、有人測試晶體管的，方法是通過測得晶體管的，，推算出。（╳）四、綜合題1、放大電路中測得晶體管各電極電位如下表所示，試將表格填寫完整。（10分）管腳（各電極）電位晶體管1晶體管23V6V-4V電極(e或b或c)ebccbeNPN或PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判斷下列管子的工作狀態(tài)（a.飽和；b.放大；c.截止；d.損壞）（共8分）管子類型NPNPNPNPNPNP各電極電位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc26-3046狀態(tài)cbda3、如下圖，試確定二極管D是正偏還是反偏設二極管正偏時的正向壓降為,試計算UX和UY的值（共9分）（a） （b）答案：（a）D正偏導通I=2RI==（b）D僅偏截止I=0=0=10V4、如下圖，設硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，求Uo為多少（共3分）答：=9-6=3V5、（3分）圖示電路中二極管為理想二極管，請判斷它是否導通，并求出u0。D導通，6、判斷下列電路能否放大電壓信號。（設圖中所有電容對交流信號視為短路）（9分）都不能放大電壓信號（a）（b） （c）輸入交流短路 無直流基極偏壓輸入交流短路7、如下圖，設硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，穩(wěn)壓管的正向壓降為，試寫出輸出電壓Uo為多少（共8分）（a） （b）（c）（d）8、設二極管理想化，試判斷下列各圖二極管是否導通還是截止并求出UO=（a）D導通 （b）D截止（c） 導通截止（d）先導通截止=0V=-3V第二章放大電路原理一、填空題1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中，_共集________組態(tài)帶負載能力強，_共基____________組態(tài)頻率響應好，__共射___________組態(tài)有倒相作用，__共集___________組態(tài)向信號源索取的電流小。2、多級放大電路的對數(shù)增益等于其各級對數(shù)增益的_之和______。3、BJT放大電路的三種組態(tài)是___共射__________、___共基__________、____共集_________。4、影響放大電路工作點穩(wěn)定的主要原因是___溫度變化__________。5、三極管___共集_________組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點。6、放大電路最常用的基本分析方法，就是__圖解法________和_微變等效電路法___________。7、共集電極放大電路又稱為___射極輸出器或射隨器_________。8、多級放大電路常用的耦合方式有三種：即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___變壓器耦合_________。9、放大電路的三種基本組態(tài)中，__共射___________組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力，___共集__________只具有電流放大能力，__共基___________組態(tài)只具有電壓放大能力。10、放大的本質(zhì)首先是實現(xiàn)_能量_____的控制；所謂放大作用，其放大的對象是_變化量_____。11、產(chǎn)生零點漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受__溫度_______的影響而發(fā)生波動，導致放大電路的__靜態(tài)工作點________不穩(wěn)定。12、輸出電壓離開零點，緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化，這種現(xiàn)象稱為__零點漂移_______。二、選擇題1、關于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點（簡稱Q點），下列說法中不正確的是（D）。A．Q點過高會產(chǎn)生飽和失真B．Q點過低會產(chǎn)生截止失真C．導致Q點不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化D．Q點可采用微變等效電路法求得2、雙極型三極管放大電路中，輸入電阻最大的是___B________電路。A．共發(fā)射極B．共集電極C．共基極D．不能確定3、晶體管放大電路中，高頻特性最好的電路是（D）。A.共射電路 B.共集電路 C.共源電路 D.共基電路4、有兩個放大倍數(shù)（電路相同，采用同一晶體管）相同，輸入和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大，在負載開路的條件下測得A的輸出電壓小，這說明A的（B）。A．輸入電阻大B．輸入電阻小C．輸出電阻大D．輸出電阻小5、多極放大電路的增益是（B）、輸入電阻是（A）、輸出電阻是（C）。A．由第一級確定B.由各級共同確定C.由末級電路確定6、某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入3K的負載電阻的輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為（C）A．10KB．2KC1KD7、放大電路產(chǎn)生零點漂移的主要原因是（A）。A．環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化B．放大倍數(shù)太大C．晶體管的噪聲太大D．外界存在干擾源8、在多級放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者：（本題可多選）（1）要求各級靜態(tài)工作點互不影響，可選用（A,C）。（2）要求能放大直流信號，可選用（B）。（3）要求能放大高頻交流信號，可選用（A,B）。（4）要求電路的溫漂小，可選用（A,C）。（5）為了實現(xiàn)阻抗交換，使信號與負載間有較好的耦合，應采用（C）。A．阻容耦合B．直接耦合C．變壓器耦合9、用微變等效電路法分析放大電路（B）A．只能分析靜態(tài)工作點B.只能分析動態(tài)參數(shù)C．既可分析靜態(tài)，也能分析動態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是（B）；既能放大電流，又能放大電壓的電路是（C）。A．共基放大電路B．共集放大電路C．共射放大電路11、對于基本共射放大電路，如下圖，試判斷某一參數(shù)變化時放大電路動態(tài)性能的變化情況,選擇正確答案填入空格（1）減小時，輸入電阻_B____。（2）增大時，輸出電阻____A_。（3）信號源內(nèi)阻增大時，輸入電阻___C___。（4）信號源遠內(nèi)阻減小時，電壓放大倍數(shù)__A____。（5）負載電阻增大時，電壓放大倍數(shù)__A___；（6）負載電阻減小時，輸出電阻Ro____C__;(7)若Rb減小，則靜態(tài)的將__A____，將__B__電壓放大倍數(shù)將__A____。(8)若換一個值較小的晶體管，則靜態(tài)的將___C__。(9)增大時，將_A_____。(10)增大時，將__B____。(11)增大時，將__C____。(12)增大時，將__C____。A.增大B.減小C.不變12、由NPN晶體管組成的基本放大電路，如圖：輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真，則：（1）這種失真是___B______A.飽和失真B.截止失真C.交越失真D.頻率失真。（2）為了消除這種失真，應___D_____A．減小集電極電阻B.改換小的管子C.增大基極偏置電阻RbD．減小基極偏置電阻Rb,E.減小電源電壓。13、由PNP晶體管組成的基本放大電路，如圖：電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真:則(1)這種失真是___A______A.飽和失真B.截止失真C交越失真D頻率失真。（2）為了消除這種失真，應___A，B，C______A．減小集電極電阻B.改換小的管子C增大基極偏置電阻RbD.減小基極偏置電阻RbE.減小電源電壓。14、如下圖，選擇正確答案填空（1）要使靜態(tài)工作電流減小，則應_A_____。（2）在適當范圍內(nèi)增大，則||_B_____，_A_____，_C_____。（3)在適當范圍內(nèi)增大，則||_C_____，__C____，_C_____。(4)從輸出端開路，到接上，靜態(tài)工作點將_C_____，_B_____，（設靜態(tài)工作點偏低）(5)減小時，直流負載線斜率__C____。(6)減小時，直流負載線斜率__A____。A.增大B.減小C.不變(7)若=10V,=4，=6，=，=2，、足夠大，設則:①Vi=0，管壓降大約是__B____（A．4VB．C7VD5V)②使管子由50改為100，則|是__A__________（A.約為原來的2倍B.約為原來的C.基本不變D約為原來的4倍）③保持=50不變，將由改為，則||_C_____。（A約為原來的2倍B約為原來的C基本不變D約為原來的4倍E約為原來的）15、兩級放大電路=-40，=-50，若輸入電壓,則輸出電壓為_C_____A．-200mV三、判斷題1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號（能放大的√，不能正常放大的畫×）?！獭痢?、測得某些電路中幾個三極管各極的電位如下圖所示，試判斷各三極管晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。放大截止飽和放大3、判斷三極管的工作狀態(tài)（放大、截止、飽和）。（6分）(a)放大(b)截止4、判斷圖示電路是否有信號放大作用（用“√”，“×”表示。每圖3分，共12分）(a)×